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TMS570LS系列Flash读写操作

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简介:
简介:TMS570LS系列提供高效可靠的闪存存储解决方案,涵盖多种Flash读写操作功能。此系列微控制器支持灵活的数据处理与安全特性,适用于汽车电子和其他嵌入式系统。 ### TMS570LS系列FLASH读写操作 #### 知识点概述 本段落档针对在调试TMS570LS系列微控制器读写片内FLASH BANK0时遇到的问题进行了详细的分析与解决。TMS570LS是德州仪器(TI)推出的一款高性能安全微控制器,广泛应用于汽车电子、工业自动化等领域。该系列微控制器集成了多种安全特性,并提供了丰富的外设资源,包括片上闪存。在进行固件开发的过程中,正确地管理和操作片内闪存对于确保系统的稳定性和安全性至关重要。 #### 问题现象及原因分析 在对TMS570LS系列中的不同型号进行测试时,发现了一个共同的问题:当尝试读写BANK0时,首次执行erase操作就会触发“undefEntry”异常,导致程序异常终止。进一步分析后确定了以下几点: - **测试3137**:该型号具有BANK0和BANK1两个闪存区,其中BANK1的操作一切正常,但BANK0在初次执行erase操作时出现问题。 - **测试1224**:这款型号仅包含BANK0,在进行BANK0的第一次erase操作时出现同样的错误。 - **原因**:根据TI提供的文档(SPNU501.pdf)第2.3.4节所述,使用F021 Flash API无法直接操作自身所在的位置,即BANK0。 #### 解决方案详解 为了解决上述问题,需要对编译链接器脚本进行调整,以便将Flash API相关的代码移动到RAM中执行。具体的解决方案分为以下几个步骤: 1. **增加FLASH API内容空间分配**:在编译链接器脚本(cmd文件)中添加了新的段`FLASH_API`,用于存储Flash API相关的代码。此段定义如下: ```plaintext MEMORY { VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH_API(RX): origin=0x00000020 length= 6KB FLASH1(RX): origin=... // 具体大小根据微控制器型号而定 SRAM(RW): origin=... STACK(RW): origin=... } SECTIONS { .intvecs:{} >VECTORS flashAPI: { ..DebugupdatesrcFapi_UserDefinedFunctions.obj(.text) ..Debugupdatesrcbl_flash.obj(.text) --library=..updatelibF021_API_CortexR4_BE.lib< FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj FlashStateMachine.SetActiveBank.obj FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj FlashStateMachine.EnableMainSectors.obj Init.obj Utilities.CalculateEcc.obj Utilities.WaitDelay.obj Utilities.CalculateFletcher.obj Read.MarginByByte.obj Read.Common.obj Read.FlushPipeline.obj Async.WithAddress.obj Program(obj>(.text) } load=FLASH_API, run=SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size) .text>FLASH1 .const>FLASH1 .cinit>FLASH1 .pinit>FLASH1 .data>SARM .bss>SARM } ``` 这里定义了`FLASH_API`段的起始地址为0x00000020,长度不超过6KB,并将所有Flash API相关的对象文件和库文件链接到这个段。 2. **实现从FLASH复制API到RAM的汇编函数**:为了确保Flash API能够顺利执行,在`sys_core.asm`文件中添加一个用于将Flash API从闪存复制到RAM中的汇编函数`_copyAPI2RAM_`。具体实现如下: ```assembly ;------------------------------------------------------------------------------- ; Copy the Flash API from flash to SRAM. ; .def _copyAPI2RAM_ .asmfunc _copyAPI2RAM_ .ref api_load flash_load.word api_load .ref api_run flash_run.word api_run .ref api_size flash_size.word api_size ldr r0, =flash_load ldr r1, =flash_run ldr r2, =flash_size add r2, r1, r2 copy_loop1: ldr r3, [r0], #4 str r3, [r1], #4 cmp r1, r2 blt copy_loop1 bx lr .endasmfunc ;------------------------------------------------------------------------------- ``` 此函数通过循环从闪存中的`api_load`地址复制数据到RAM中的`api_run`地址,直到复制完`api_size`指定的大小为止。 3. **在启动代码中调用复制函数**:最后一步是在系统启动代码(`sys_startup.c`)中调用上述定义的`_copyAPI

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  • TMS570LSFlash
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    简介:TMS570LS系列提供高效可靠的闪存存储解决方案,涵盖多种Flash读写操作功能。此系列微控制器支持灵活的数据处理与安全特性,适用于汽车电子和其他嵌入式系统。 ### TMS570LS系列FLASH读写操作 #### 知识点概述 本段落档针对在调试TMS570LS系列微控制器读写片内FLASH BANK0时遇到的问题进行了详细的分析与解决。TMS570LS是德州仪器(TI)推出的一款高性能安全微控制器,广泛应用于汽车电子、工业自动化等领域。该系列微控制器集成了多种安全特性,并提供了丰富的外设资源,包括片上闪存。在进行固件开发的过程中,正确地管理和操作片内闪存对于确保系统的稳定性和安全性至关重要。 #### 问题现象及原因分析 在对TMS570LS系列中的不同型号进行测试时,发现了一个共同的问题:当尝试读写BANK0时,首次执行erase操作就会触发“undefEntry”异常,导致程序异常终止。进一步分析后确定了以下几点: - **测试3137**:该型号具有BANK0和BANK1两个闪存区,其中BANK1的操作一切正常,但BANK0在初次执行erase操作时出现问题。 - **测试1224**:这款型号仅包含BANK0,在进行BANK0的第一次erase操作时出现同样的错误。 - **原因**:根据TI提供的文档(SPNU501.pdf)第2.3.4节所述,使用F021 Flash API无法直接操作自身所在的位置,即BANK0。 #### 解决方案详解 为了解决上述问题,需要对编译链接器脚本进行调整,以便将Flash API相关的代码移动到RAM中执行。具体的解决方案分为以下几个步骤: 1. **增加FLASH API内容空间分配**:在编译链接器脚本(cmd文件)中添加了新的段`FLASH_API`,用于存储Flash API相关的代码。此段定义如下: ```plaintext MEMORY { VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH_API(RX): origin=0x00000020 length= 6KB FLASH1(RX): origin=... // 具体大小根据微控制器型号而定 SRAM(RW): origin=... STACK(RW): origin=... } SECTIONS { .intvecs:{} >VECTORS flashAPI: { ..DebugupdatesrcFapi_UserDefinedFunctions.obj(.text) ..Debugupdatesrcbl_flash.obj(.text) --library=..updatelibF021_API_CortexR4_BE.lib< FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj FlashStateMachine.SetActiveBank.obj FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj FlashStateMachine.EnableMainSectors.obj Init.obj Utilities.CalculateEcc.obj Utilities.WaitDelay.obj Utilities.CalculateFletcher.obj Read.MarginByByte.obj Read.Common.obj Read.FlushPipeline.obj Async.WithAddress.obj Program(obj>(.text) } load=FLASH_API, run=SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size) .text>FLASH1 .const>FLASH1 .cinit>FLASH1 .pinit>FLASH1 .data>SARM .bss>SARM } ``` 这里定义了`FLASH_API`段的起始地址为0x00000020,长度不超过6KB,并将所有Flash API相关的对象文件和库文件链接到这个段。 2. **实现从FLASH复制API到RAM的汇编函数**:为了确保Flash API能够顺利执行,在`sys_core.asm`文件中添加一个用于将Flash API从闪存复制到RAM中的汇编函数`_copyAPI2RAM_`。具体实现如下: ```assembly ;------------------------------------------------------------------------------- ; Copy the Flash API from flash to SRAM. ; .def _copyAPI2RAM_ .asmfunc _copyAPI2RAM_ .ref api_load flash_load.word api_load .ref api_run flash_run.word api_run .ref api_size flash_size.word api_size ldr r0, =flash_load ldr r1, =flash_run ldr r2, =flash_size add r2, r1, r2 copy_loop1: ldr r3, [r0], #4 str r3, [r1], #4 cmp r1, r2 blt copy_loop1 bx lr .endasmfunc ;------------------------------------------------------------------------------- ``` 此函数通过循环从闪存中的`api_load`地址复制数据到RAM中的`api_run`地址,直到复制完`api_size`指定的大小为止。 3. **在启动代码中调用复制函数**:最后一步是在系统启动代码(`sys_startup.c`)中调用上述定义的`_copyAPI
  • STM32F1内部FLASH
    优质
    本文介绍了如何在STM32F1系列微控制器上进行内部Flash存储器的读取和写入操作,包括编程接口、注意事项及示例代码。 STM32F1系列是意法半导体(STMicroelectronics)推出的基于ARM Cortex-M3内核的微控制器,在嵌入式系统设计领域广泛应用。该系列芯片内部配备非易失性存储器——FLASH,用于存放程序代码、配置数据和用户信息等。因此,掌握如何在STM32F1上对内部FLASH进行读写操作是开发过程中的重要技能之一。 一、STM32F1系列内部FLASH结构 通常情况下,STM32F1系列的内部FLASH被划分为多个扇区,每个扇区大小不一(如:16KB、32KB和64KB)。这些扇区间相互独立,支持单独擦除与写入操作。值得注意的是,在执行读写之前必须确保目标扇区已经正确地完成擦除步骤。 二、读取内部FLASH 从指定地址直接读取存储在STM32F1系列芯片内部FLASH中的字节是实现数据读取的基本方式。具体操作包括: 1. 配置Flash寄存器:通过设置控制寄存器(如:FLASH_ACR),可以优化读速度,例如启用预取缓冲和等待状态。 2. 指定地址范围:确定要访问的数据所在的具体内存位置,并确保该地址位于有效的内部FLASH区域内。 3. 读取数据内容:利用内存映射机制从指定的存储单元中直接获取信息。 三、写入内部FLASH 向STM32F1系列芯片内部FLASH写入数据涉及到擦除和编程两个步骤。由于其采用EPROM技术,仅支持将“1”变为“0”的操作模式,因此在进行任何写入前必须先执行扇区的完全擦除: 1. 执行擦除:通过设置Flash控制寄存器(如:FLASH_CR)中的相关标志位来启动整个扇区的清除过程。此步骤完成后需要等待一段时间。 2. 实施编程:完成上述操作后,可以开始将预先准备好的数据写入内存缓冲区域,并使用相应的编程指令进行存储更新。同样地,在这个阶段也需要监控状态寄存器以确认所有任务已经成功执行完毕。 3. 锁定与保护:为了防止意外修改或误操作导致的数据丢失问题发生,可以通过设置Flash控制寄存器中的锁定标志来限制特定区域内或者整个FLASH的访问权限。 四、示例代码 通常情况下,在开发资料中会提供一些用于演示如何实现上述功能的样例程序。这些程序包括初始化函数、擦除函数、写入函数和读取函数等,开发者可以根据自身需求对其进行调整以适应不同的应用场景。 五、重要提示 1. 在执行任何写操作之前,请务必确认目标扇区已经被正确地清除。 2. 当进行编程或擦除时应尽量避免中断发生,确保整个过程的完整性和可靠性。 3. 由于内部FLASH具有一定的使用寿命限制,在实际应用中应当合理规划数据存储策略以减少不必要的擦写次数。 4. 在操作过程中要保证稳定的电源供应条件,以免因电压不稳而导致程序失败或丢失重要信息。 综上所述,熟悉并掌握STM32F1系列芯片的内部FLASH读写机制对于开发者来说至关重要。通过学习和实践提供的示例代码可以帮助更好地理解和应用这些知识来解决实际问题。
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    本文介绍了如何在STM32F103微控制器上执行内部Flash存储器的读取和写入操作,包括编程接口及注意事项。 STM32F103系列微控制器基于ARM Cortex-M3内核,由意法半导体(STMicroelectronics)生产,适用于各种嵌入式系统设计。其内部包含可编程的Flash存储器用于存放程序代码、配置数据以及非易失性数据。 **一、Flash概述** STM32F103的内置Flash主要用于保存应用程序和一些重要设置信息,在执行时自动读取指令并运行,具有较快访问速度但不及RAM快。该内存划分为不同扇区以支持特定擦除与写入操作需求。 **二、读取方法** 从Flash中读取数据只需配置好地址及控制寄存器,并通过APB2总线上的接口即可完成。程序执行过程中,CPU会自动加载并运行存储于其中的指令。 **三、写入流程** 向STM32F103的内部Flash写入新内容前需先进行擦除操作。该微控制器支持整扇区和页两种方式来清除指定区域的数据;前者适用于删除整个应用,后者适合程序执行期间更新少量代码片段。每次写入必须以字节或半字形式对齐,并且只能在完成擦除之后才能成功实施。 **四、EEPROM仿真** 由于Flash的读写次数有限制,不宜频繁进行此类操作来模拟EEPROM功能。可以通过软件手段使用一部分专用区域作为临时存储空间,实现类似于非易失性内存的数据管理机制,在不影响程序运行的情况下达到类似效果。 **五、串口指令封装** 通过串行通信接口发送特定命令可以远程控制STM32F103的Flash操作,方便了调试和验证过程。这些命令通常包括地址设定、数据传输以及执行具体任务等步骤。 **六、安全保护措施** 为了确保内部存储器的安全性,该微控制器提供了多种防护机制:例如利用选项字节设置密码避免未经授权访问,并通过Boot锁位防止非法程序干扰启动顺序。 **七、开发工具支持** 在使用Keil MDK或STM32CubeIDE等集成环境时,可以方便地调用Flash编程API简化相关代码编写工作。这些平台还提供调试功能帮助检查和验证实际操作情况。 **八、性能优化策略** 对于需要频繁写入Flash的应用场景而言,采取适当的缓存策略以减少真实写入次数有助于延长其使用寿命;同时理解擦除与编程时间对提高整体程序效率也非常重要。 熟悉如何正确读取及修改STM32F103的内部Flash是嵌入式开发中的基础技能。利用串口指令封装可以实现远程控制和验证,从而提升工作效率并确保系统稳定可靠运行。
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    本教程详细介绍了在51单片机上如何进行Flash存储器的读取和写入操作,包括相关的编程技巧与注意事项。适合嵌入式系统开发人员学习参考。 单片机采用的是Microchip公司的八位单片机flash K9F1208U0M。