
一篇文章掌握超级结MOSFET的优点
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简介:
本文全面解析了超级结MOSFET的优势,帮助读者快速了解其在高性能电力电子设备中的应用价值。
平面式高压MOSFET的结构图1展示了其基本构造。这种类型的MOSFET通常具有较高的单位芯片面积漏源导通电阻以及相对更高的漏源电阻值。通过采用高单元密度及大管芯尺寸,可以实现较低的RDS(on)值。然而,这也会导致栅极和输出电荷量增大,从而增加开关损耗并可能提高成本。此外,在达到最低总硅片电阻方面也存在一定的限制。
器件总的导通电阻(RDS(on))由通道、外延层以及衬底三部分的电阻组成:RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
图2则具体展示了在平面式MOSFET中构成这一总导通电阻的各个组成部分。对于低压应用,这三部分贡献大致相同;但随着额定电压升高,各分量间的差异会逐渐增大。
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