AN-6076SC-自举电路解析(中文版).pdf

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简介：
《AN-6076SC-自举电路解析(中文版)》是一份详细的PDF文档，深入讲解了自举电路的工作原理和技术细节，适合电子工程师和爱好者学习参考。本段落介绍了一种利用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法，适用于高频、大功率及高效率的开关应用场合。不同经验水平的电力电子工程师都能从该方法中受益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，在本段落阐述的大功率开关应用中，良好的开关特性至关重要。自举电源是一种广泛采用的技术，用于给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电。这种技术具有简单且成本低廉的优点，但也有一定的局限性：一是占空比受限于自举电容刷新所需的时间；二是当开关器件的源极连接到负电压时可能会出现严重问题。本段落分析了流行的自举电路解决方案，并探讨了寄生参数、自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。

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AN-6076SC-自举电路解析(中文版).pdf

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《AN-6076SC-自举电路解析(中文版)》是一份详细的PDF文档，深入讲解了自举电路的工作原理和技术细节，适合电子工程师和爱好者学习参考。本段落介绍了一种利用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法，适用于高频、大功率及高效率的开关应用场合。不同经验水平的电力电子工程师都能从该方法中受益。在大多数开关应用中，开关功耗主要取决于开关速度。因此，在本段落阐述的大功率开关应用中，良好的开关特性至关重要。自举电源是一种广泛采用的技术，用于给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的高端栅极驱动电路供电。这种技术具有简单且成本低廉的优点，但也有一定的局限性：一是占空比受限于自举电容刷新所需的时间；二是当开关器件的源极连接到负电压时可能会出现严重问题。本段落分析了流行的自举电路解决方案，并探讨了寄生参数、自举电阻和电容对浮动电源充电的影响。

史上最全面的自举电路解析.pdf

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本PDF深入浅出地剖析了自举电路的工作原理与应用，涵盖多种类型及设计实例，适合电子工程爱好者和技术人员参考学习。世上最全的自举电路详解： 1. 自举电路原理。 2. 自举电路应用领域。 3. 自举电容、自举电阻、自举二极管计算。

自举电路工作原理分析.pdf

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本文档深入探讨了自举电路的工作机制和原理，通过理论与实例结合的方式，详细解析其在电子工程中的应用及其重要性。自举电路的本质是通过电容的反馈使电路中的电位发生改变，从而减少流过电阻的电流，进而使得电阻两端的有效电压发生变化。在v=0的情况下，C3上的电压会充电到2CVIR/RC。当R足够大时，C3两端的电压将保持稳定不变。这样，在iv为负值时，T1导通，并且kv从2CCV向更正方向移动至考虑点电位的变化为止。随着K点电位升高，v也随之自动上升。因此，即使输出电压升得较高，也有足够的Bi使T1充分导通。这种工作方式称为自举，即电路的电压被提升。

AN486-自举电路的设计.pdf

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本PDF文档详细介绍了AN486自举电路的设计原理与应用，包括其工作机理、关键组件的选择及优化设计方法。适合电子工程师参考学习。 AN486-自举电路设计.pdf是一份关于如何设计自举电路的文档。该文件详细介绍了自举电路的工作原理、关键组件及其应用场合，并提供了具体的实例来帮助读者更好地理解和掌握相关知识。文中还包含了一些实用的设计技巧和注意事项，旨在为从事电子工程或相关领域的专业人士提供有价值的参考信息。

数字电子电路技术中的逻辑电路设计举重解析

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本简介深入浅出地讲解了数字电子电路中逻辑电路的设计原理与方法，通过具体实例剖析，帮助读者掌握逻辑门电路、组合逻辑和时序逻辑的设计技巧。在电子工程领域特别是在体育赛事的自动化控制方面，举重逻辑电路设计是一项关键的应用。其主要目的是确保比赛公正性和准确性，尤其是在举重比赛中准确判断试举是否成功至关重要。 1. **多路表决系统**：该电路基于多数表决原则工作，至少需要两名裁判（包括主裁判）同时确认试举动作合格后才能输出信号Z=1，这提高了决策的可靠性。 2. **同步信号处理**：当裁判按下按钮时，系统需实时、同步地处理这些信号以适应比赛快速紧张的节奏，并在短时间内做出判断。 3. **锁存器应用**：一旦产生Z=1的信号，它需要被保持直至清除按钮被按下。这涉及到了锁存器或触发器的应用，它们可以存储状态并在没有外部输入变化时保持该状态。 4. **非阻塞与阻塞触发器**：为了实现信号稳定保持可能需要用到边沿触发的D触发器以避免在信号改变时产生毛刺确保信号连续性。 5. **错误检测与冗余设计**：为增加系统鲁棒性还需考虑错误检测和纠正机制，例如通过奇偶校验或更复杂的纠错编码。此外还会有备用裁判按钮以防主裁判副裁判设备故障。 6. **接口设计**：需要精心设计裁判的按钮与逻辑电路之间的接口以确保满足实际环境需求如触发电平驱动能力和抗干扰能力等。 7. **电源管理与信号隔离**：在实际电路中需考虑电源稳定性电源噪声抑制以及不同信号间的隔离措施以防止串扰现象发生。 8. **软件配合**：虽然主要讨论硬件设计现代电子系统往往需要微控制器或嵌入式系统的支持来处理输入执行逻辑判断并控制输出。 9. **测试与调试**：在完成电路设计后需进行严格的测试和调试确保其能在各种可能的比赛场景下正确无误地工作。 10. **安全标准**：体育赛事中的电子设备必须符合相关的电气安全防爆等安全标准以保障运动员工作人员的安全。通过以上这些知识点的理解和应用可以构建一个高效可靠的举重逻辑电路实现自动化评判提高比赛的公平性和效率。

DC/DC自举电容工作原理解析

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本文详细解析了DC/DC自举电容的工作原理，探讨其在电路中的作用及其优化设计方法，旨在为电子工程师提供理论支持与实践指导。在电源完整性设计中，DC/DC自举电容的工作原理是关键部分之一。这种电容用于提升内部开关节点的电压，从而驱动功率MOSFET的栅极，确保其能够正常工作。通过这种方式，自举电容帮助实现了高效的电源转换和稳定的输出电压。

NMOS高端驱动自举电路

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NMOS高端驱动自举电路是一种用于提高电力电子设备中MOSFET等开关器件性能的关键技术。该电路通过自举电容实现高压侧栅极驱动信号的有效传输，从而提升系统效率和可靠性，在电源管理、电机控制等领域有广泛应用。一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2以及电阻R1到地，因此加载在电容C2两端的电压约为14伏特。当V1输入高电平时，Q1和Q4导通。此时B通道输出高电平，而Q2截止使得C通道也输出高电平。同时，由于Q3导通导致了D通道输出接近48伏特的电压。考虑到之前提到的C2两端约有14V左右的电压，当Q3开始工作时会将该电压提升至高于电源电压VDD的程度，即大约62V（假设VDD为50V）。这个由电容抬升产生的高电压通过三极管Q4和二极管D1传递到Q3栅级处，从而维持了整个电路的持续导通状态。这里C2的作用是自举提升电压。当输入信号变为低电平时，则会使得Q1和Q4截止。此时B通道输出低电平而同时开启的是Q2，它为三极管Q3提供了一条栅级放电路径（通过电阻R1）。这会导致在C2负极端的电压被拉向接近0伏特的状态，并最终使D通道也跟着切换至低电平。二、MOSFET驱动电路当V1和V2均为5伏时，Q1与Q4导通同时Q2截止。此时电源通过路径D2-Q4-D1-R4为三极管Q3的栅级供电使其开启；与此同时，另外一组开关（即由电阻R6、R7组成的网络）中的两个晶体管（假设是MOSFET Q6和Q7）关闭而第三个开关元件（可能是另一个MOSFET或BJT如图中所示为三极管Q8）则会打开并提供给第五个器件栅级的放电路径，从而使得该节点电压下降导致其关断。当V1与V2均处于0伏特时的具体工作状态未在上述描述内明确提及。

自举电路的设计指南

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《自举电路的设计指南》是一本专注于讲解如何设计和应用自举电路的实用手册，适合电子工程师和技术爱好者阅读。书中详细介绍了自举电路的工作原理、常见类型以及在各种电子产品中的实际应用案例，帮助读者掌握自举技术的关键知识与技巧。对于三相逆变电路的驱动通常需要四路相互隔离的控制电源（其中三路用于P侧驱动，一路用于N侧驱动）。通过自举电路可以将所需的隔离数量从四路减少到一。自举电容由一个二极管和限流电阻组成。在输出端UVW电位被拉低至GND附近时，N侧15V的控制电源会通过限流电阻对自举电容充电。然而由于开关序列的影响以及限流电阻的存在，可能导致自举电容不能完全充到所需电压。如果自举电容欠压，则模块将进入欠压保护状态，并且P侧器件因驱动电压降低而增加功率损耗直至停止工作以避免进一步损害。因此，在设计自举电路时必须充分考虑和评估这些因素。

关于自举电容的选择.pdf

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本文档探讨了在电子设备设计中如何选择合适的自举电容，包括影响因素、性能指标及实际应用案例分析。 ### 自举电容的选择在MOS驱动电路的设计过程中，自举电容的选择是一个非常重要的环节，它直接影响到电路的工作效率、稳定性和可靠性。本段落将详细介绍如何为MOS驱动电路中的自举电容进行合理选择，并结合具体实例进行分析。 #### 一、自举电容的作用自举电容主要用于提高MOSFET或IGBT等开关器件的驱动电压，确保其在高频工作时能够得到足够的驱动电流，从而减少导通损耗和开关损耗。在MOS驱动电路中，自举电容起到两个主要作用： 1. **提供驱动电压**：当上桥臂MOSFET导通时，自举电容能够提供足够的电压来驱动下桥臂MOSFET。 2. **维持驱动电压稳定性**：在开关过程中，自举电容能够帮助维持驱动电压的稳定性，避免因电源波动导致驱动电压下降而影响MOSFET的正常工作。 #### 二、自举电容的计算方法对于一个具体的MOS驱动电路，如何确定合适的自举电容值是设计的关键。下面以一个实际案例来说明自举电容的计算方法：假设选用的是AO4884双MOS芯片，其中： - 阈值电压Vth = 2.2V - 栅极电荷Qg = 27.2nC - 导通电阻Rdson = 17mΩ - 工作频率f = 30KHz - 使用的二极管为FR107，正向压降Vf = 1.3V~1.5V - 最大漏电流Iqbsmax = 0.1mA - 供电电压VCC = 15V 根据以上参数，可以采用以下步骤计算所需的自举电容值： 1. **计算最小自举电容值**： - 公式：Cmin > (Qg * f) / VCC - 将已知数值代入公式：Cmin > (27.2nC * 30KHz) / 15V ≈ 5.44nF - 因此，自举电容的最小值应大于5.44nF。 2. **考虑安全裕量**： - 实际应用中，为了保证足够的安全裕量，通常会将计算得到的最小值放大一定的倍数。例如，在本例中可以将最小值设置为10nF，这可以确保即使在极端情况下也能满足驱动需求。 #### 三、自举电容的选择注意事项 1. **容量选择**： - 容量过小会导致驱动电压不足，影响MOSFET的正常工作；容量过大虽然可以提高驱动能力，但会增加电路的成本和体积。 - 在选择容量时，还需要考虑电路的频率特性以及MOSFET的Qg值等因素。 2. **电压等级**： - 自举电容的工作电压应高于电路的最大电压，以确保电容不会被击穿。在本例中，供电电压为15V，因此应选择耐压不低于15V的自举电容。 3. **电容类型**： - 不同类型的电容具有不同的电气特性和成本。常用的自举电容包括陶瓷电容、钽电容等。 - 陶瓷电容具有低ESR（等效串联电阻）和高频率响应的优点，适用于高频应用；钽电容则更适合于需要较高容量的应用。 4. **温度特性**： - 温度变化会影响电容的实际容量和寿命。在选择自举电容时，需要考虑电路的工作温度范围，并选择合适的温度系数。通过以上的分析和计算，我们可以得出结论：为了确保MOS驱动电路的正常工作，在本例中，自举电容的容量至少应大于10nF，且应选择合适类型、电压等级和温度特性的电容。这些因素共同决定了自举电容在MOS驱动电路中的选择与应用。

STM32Fxxx内存自举模式指南（AN2606中文版）

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本指南提供详细的步骤和说明，帮助开发者利用STM32微控制器系列中的Fxxx型号在内存自举模式下进行程序加载与调试。 STM32微控制器是由ST公司生产的高性能ARM Cortex-M系列微控制器之一。其中的STM32Fxxx系列产品涵盖从入门级到高端性能的各种型号。在使用这些微控制器的过程中，启动模式的选择是一个关键步骤，因为它决定了代码执行的来源。本段落档是关于STM32Fxxx系列微控制器系统存储器自举模式的手册（AN2606中文版），主要介绍如何利用内置自举程序将应用程序加载到内部Flash中。这种特殊的启动方式称为系统存储器自举模式，在该模式下，预编程在芯片上的自举ROM中的固件可以使用串行接口（如USART、CAN或USB）接收和安装新的代码。 STM32Fxxx系列微控制器通过BOOT0和BOOT1引脚的状态组合来决定其启动方式。例如，当这两个引脚都为低电平时，设备将从主Flash存储器开始运行；若BOOT0为高且BOOT1为低，则进入自举模式以下载代码到内部闪存中。文档详细列出了支持这种自举功能的STM32微控制器型号和系列，包括主流产品（如F1）、高性能产品（如F2、F4）以及超低功耗设备（如L1）。这些不同类型的芯片在手册中有统一称呼为“STM32”。自举程序的核心职责是通过串行接口接收新代码，并将其写入内部Flash。为了使这一过程顺利进行，硬件设计需要满足特定要求，包括正确的引脚配置和充足的电源供应等。该文档还介绍了如何利用这些微控制器的内置功能来下载应用程序，涵盖了激活和退出自举模式的基本概念。针对不同的STM32系列及其型号，手册提供了详细的指导信息，如各自版本的选择、所需的硬件条件及更新流程说明。例如，在某些特定日期代码下的F105xx与F107xx设备中，可能存在不支持最新自举程序的情况；而针对L1超低功耗产品，则特别关注了双存储区自举功能和不同版本的兼容性问题。总之，《STM32Fxxx-内存引导模式手册（AN2606中文版）》为开发人员提供了详尽的信息，帮助他们正确配置启动方式并有效管理程序更新。这对于使用这些微控制器进行产品设计时尤为重要。