MOS管反峰及RCD吸收回路解析

简介：
本文详细解析了MOS管在电路中遇到反向峰值电压时的工作原理，并深入探讨了如何利用RCD（电阻-电容-二极管）吸收回路来保护MOS管免受损害。 对于一位开关电源工程师来说，在面对一对或多对相互对立的条件时做出选择是常有的事。今天我们讨论的话题就是如何在限制主MOS管反峰与降低RCD吸收回路功耗之间找到平衡。 MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，也称为金属-绝缘体-半导体器件。其source和drain端可以互换使用，在大多数情况下不会影响性能，因此这种结构被认为是可对称的。 需要指出的是，“RCD”在这里指的是用于吸收回路中的能量、保护主MOS管免受电压尖峰损害的一种电路设计，并非特指石油钻井行业的设备。