小尺寸MOS模型在VLSI模拟中的理论与实践

简介：
本研究探讨了小尺寸MOS器件特性及其建模方法，并分析其在超大规模集成电路（VLSI）设计仿真中的应用及挑战。 《用于VLSI模拟的小尺寸MOS模型：理论与实践》由艾罗拉著、张兴等人译于1999年出版，科学出版社发行。本书详细介绍了超大规模集成电路（VLSI）模拟中所需的小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件模型及其参数提取方法。内容涵盖从基础的半导体物理和pn结理论开始，逐步深入到MOS电容理论、各种不同类型的MOSFET模型（包括直流模型、动态模型及热载流子影响下的模型），以及在工业界广泛使用的电路仿真软件伯克利SPICE中应用的标准二极管与MOSFET模型。书中还涉及了实验数据采集方法、如何提取模型参数，以及由于制造工艺导致的参数统计变化等实际问题。 本书适合于从事MOSFET器件建模研究、模拟设计及集成电路自动设计（ICCAD）领域的科研人员参考使用；同时也适用于微电子专业教师和高年级学生的教学与学习。