
基于失调校准的CMOS 1Gsps 5位Flash ADC设计与实现
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简介:
本文提出了一种采用失调校准技术的高性能CMOS Flash ADC设计方案,实现了在1Gsps采样率下的5位精度转换。
一个1Gsps的5位Flash ADC设计用于失调校准,并采用TSMC 0.18μm CMOS工艺制造。该设计包括基本的Flash ADC电路以及失调校准功能。为了实现高速采样率,采用了带锁存器的前置放大器。为减少由不匹配引起的偏移误差,电流微调进行校准被分析并实现了应用。芯片测试结果表明,在输入频率39MHz和采样率为1GHz的情况下,SNDR达到了29.6dB,SFDR达到45.6dB。
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