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50纳米工艺CMOS Bsim4模型

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简介：
50纳米工艺CMOS Bsim4模型是针对50nm CMOS技术开发的一种高级电路模拟模型。该模型详细描述了晶体管在微细化工艺下的电气特性，为集成电路设计提供精确的仿真支持。 BSIM4 在 HSPICE 中对应 level=54，在 PSPICE 中对应 level=8。

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  • 50纳米工艺CMOS Bsim4模型
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    50纳米工艺CMOS Bsim4模型是针对50nm CMOS技术开发的一种高级电路模拟模型。该模型详细描述了晶体管在微细化工艺下的电气特性，为集成电路设计提供精确的仿真支持。 BSIM4 在 HSPICE 中对应 level=54，在 PSPICE 中对应 level=8。
     
  • 035纳米CMOS工艺库
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    035纳米CMOS工艺库是一款先进的半导体制造技术资源包，专为设计高效能低功耗集成电路而设，支持大规模集成与高性能计算需求。 Hspice CMOS 35的仿真工艺库。
     
  • 45纳米工艺库
    优质
    45纳米工艺库是指用于制造集成电路芯片的半导体工艺技术集合，采用此技术可大幅减小芯片尺寸并提高性能。 CMOS 45nm工艺库用于Hspice设计参考。
     
  • DC的SMIC 180纳米工艺库
    优质
    本资源包包含DC工具针对SMIC 180纳米工艺技术的标准单元库，适用于芯片设计与验证阶段，助力实现高效能低功耗集成电路开发。 使用Design Compiler进行逻辑综合时采用的是smic180nm工艺库，其中包括db和idb文件。
     
  • 田纳西伊斯曼工艺仿真模型（TE工艺）
    优质
    田纳西伊斯曼工艺仿真模型（TE工艺）是化工过程控制教育中的经典案例，广泛应用于教学与研究中，用于模拟和优化工业生产流程。 TE过程的仿真模型包括21种故障类型。该过程是由田纳西-伊斯曼化学品公司基于一个真实化工过程创建的仿真系统，旨在为评估过程控制和监控方法提供现实工业环境。TE过程是一个复杂的非线性系统，涉及大量变量。
     
  • 中芯国际180纳米工艺库
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    中芯国际180纳米工艺库是专为该制程设计的一系列标准单元库，涵盖多种逻辑和模拟电路模块，旨在满足高效能低功耗集成电路的设计需求。 SMIC 180 DC 综合工艺库包含70多MByte的数据，内容相对全面，适合学习使用。
     
  • 台积电018纳米工艺库tsmc018r.lib
    优质
    tmsc018r.lib是台积电（TSMC）提供的用于其180纳米制造工艺的标准单元逻辑库，为集成电路设计提供基础组件及参数。 台积电的工艺库可供需要的同学自行下载。它包含了12个NMOS和PMOS模型。
     
  • 中芯国际18纳米工艺库
    优质
    中芯国际18纳米工艺库是针对先进半导体芯片制造推出的高精度技术资源，适用于高性能计算、移动通讯等多个领域。 SMIC0.18是用于模拟集成电路设计的库，安装后即可使用，能够帮助用户进行集成电路的设计仿真工作。
     
  • 0.35微米工艺CMOS一位全加器LEdit版图
    优质
    本项目采用0.35微米CMOS工艺设计了一位全加器（LEdit版图），优化了电路布局以提高性能和减少功耗，适用于高性能计算芯片。 一位全加器版图设计采用0.35微米工艺CMOS集成电路课程设计。
     
  • 24纳米CMOS振荡器的设计（Ring Oscillator）
    优质
    本研究探讨了采用24纳米CMOS工艺设计环形振荡器的技术细节与优化策略，旨在提升其性能和能效。 Cadence设计用于环振荡器的开发。