SiC模块淘汰IGBT模块——基本半导体34mm SiC MOSFET模块产品介绍-20241120-Rev.1.0

简介：
本资料介绍了基本半导体最新发布的34mm SiC MOSFET模块，强调其在性能上超越传统IGBT模块，适用于高效率、高温环境的应用需求。 SiC（碳化硅）模块技术的发展正逐渐颠覆传统IGBT（绝缘栅双极晶体管）的应用领域。基本半导体公司推出的34mm SiC MOSFET模块产品——型号BMF80R120RA3，是这一趋势中的一个代表作。该模块凭借其独特的设计和制造经验，在低导通损耗、高温工作能力、低开关损耗、高开关频率以及高功率密度方面表现出色，成为高端工业应用的理想选择。 BMF80R120RA3采用第三代芯片技术，其在环境温度为25℃时的导通电阻仅为15毫欧姆。即使是在高达结温Tvj=175℃的工作条件下，该模块仍能保持80A的工作电流。通过使用高导热性的DCB（直接铜键合）和高温焊料技术，大大增强了产品的可靠性，并且整合了NTC温度传感器以方便进行热管理。 从电气特性来看，SiC MOSFET模块具备卓越的开关性能，包括低导通电阻、低开关损耗以及支持更高的工作频率和更大的电流。这些特点有助于减少设备体积并提高功率密度。动态测试数据（高压双脉冲测试）表明，在高电压大电流条件下，该模块能够实现更快的开关速度且能效更高，非常适合高频使用。 在应用领域方面，BMF80R120RA3特别适用于高端工业电焊机、感应加热和工业变频器等对性能要求极高的场合。基本半导体公司提供的驱动IC和驱动板产品服务与SiC MOSFET模块配合良好，进一步提升了整体系统的性能。 在机械特性方面，BMF80R120RA3的热阻非常低（每MOSFET为0.63kW），并且支持Press-Fit压接和Soldering焊接两种装配工艺。用户可以根据具体应用场景灵活选择最适合的方式进行安装。模块还采用了高性能陶瓷材料及高温焊料，进一步确保了产品的可靠性。 综上所述，基本半导体的34mm SiC MOSFET模块在性能与设计方面均展现了革新性的优势，并对传统IGBT模块构成了强有力的挑战。随着SiC技术的进步和成本下降，预计在未来几年内将广泛应用于更多工业领域中，推动电力电子技术的发展。