本数据手册详述了GD25Q16系列闪存芯片的技术规格、功能特性及应用指南，适用于存储和数据处理领域。
Flash_GD25Q16数据手册
本段落档总结了关于Flash_GD25Q16的数据手册中的知识点。GD25Q16是一种3.3V的Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash，支持Dual和Quad两种接口方式。
特点：
- 采用3.3V Uniform Sector
- 支持Dual和Quad串行通信接口
- 最高读取速度可达104MHz，确保快速数据传输
- 数据保存期长达十年以上，可靠性强
- 功耗低，典型值为18mA
概述：
GD25Q16是一款高性能的Serial Flash存储器。它支持Dual和Quad两种接口方式，并具备最高达104MHz的速度以满足高速读取的需求。此外，该器件具有卓越的数据保存能力，数据可长期保持十年以上。
内存结构：
GD25Q16采用Uniform Sector架构，总容量为16MB。整个存储器被划分为若干个扇区（Sector），每个扇区的大小是64KB；并且每个扇区内进一步细分为多个页面(Page)，每页的尺寸为256字节。
设备操作：
GD25Q16的操作包括但不限于读取、写入和擦除等。执行任何数据写入前，必须先使用Write Enable（WREN）命令激活该功能；通过Read Status Register (RDSR) 命令可以检查存储器的状态信息。
保护措施：
为了确保数据的安全性，GD25Q16配备了多种安全机制如写保护、块锁定和芯片封锁等。其中，写入屏蔽防止未经授权的数据修改；区块锁定阻止特定区域内的读/改操作；而整个设备的锁闭则禁止任何位置上的更改或清除。
状态寄存器：
存储器的状态通过一个专用的状态寄存器来记录，其中包括了启用写入、禁用写入等信息。使用RDSR命令可以查看该寄存器当前的内容。
指令集描述：
GD25Q16支持一系列指令如Write Enable (WREN)、Write Disable (WRDI)和Read Status Register (RDSR)，用于控制器件的操作模式及获取状态更新信息。
5星
