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IEC 60749-44-2016 第 44 部分:半导体器件中子辐照单粒子效应(SEE)测试.rar

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简介:
本资源为国际电工委员会标准文件,提供半导体器件中子辐照引起的单粒子效应(SEE)的测试方法和评估准则,适用于科研与工程领域。 半导体器件机械及气候试验方法(英文) ———第 1 部分:总则; ———第 2 部分:低气压; ———第 3 部分:外部目检; ———第 4 部分:强加速稳态湿热测试 (HAST); ———第 5 部分:稳态温湿度偏置寿命试验; ———第 6 部分:高温储存; ———第 7 部分:内部水汽含量检测及其他残留气体分析; ———第 8 部分:密封性能测试; ———第 9 部分:标志面耐久性测试; ———第 10 部分:机械冲击试验; ———第 11 部分:快速温度变化(双液槽法); ———第 12 部分:扫频振动测试; ———第 13 部分:盐雾腐蚀测试; ———第 14 部分:引出端强度(引线牢固性)试验; ———第 15 部分:通孔安装器件耐焊接热性能测试; ———第 16 部分:粒子碰撞噪声检测 (PINT); ———第 17 部分:中子辐照测试; ———第 18 部分:电离辐射(总剂量)试验; ———第 19 部分:芯片剪切强度评估; ———第 20 部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响性能检测; ———第 20-1 部分:对潮湿及焊接热敏感的表面安装器件的操作、包装、标志与运输指导; ———第 21 部分:可焊性测试; ———第 22 部分:键合强度评估; ———第 23 部分:高温工作寿命试验; ———第 24 部分:加速耐湿无偏置强加应力试验(HSAT); ———第 25 部分:温度循环测试; ———第 26 部分:静电放电(ESD)敏感度测试 - 人体模型(HBM); ———第 27 部分:静电放电(ESD)敏感度测试 - 机器模型(MM); ———第 28 部分:静电放电(ESD)敏感度试验-带电器件模型(CDM)-器件级 ———第 29 部分:闩锁效应检测; ———第 30 部分:非密封表面安装器件可靠性测试前预处理方法; ———第 31 部分:塑封器件的易燃性(内部引起)评估; ———第 32 部分:塑封器件的易燃性(外部引起)评估; ———第 33 部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮测试; ———第 34 部分:功率循环试验; ———第 35 部分:塑封电子元器件声学扫描显微镜检查; ———第 36 部分:恒定加速度测试; ———第 37 部分:基于加速度计的板面液滴测试方法; ———第 38 部分:带存储器半导体器件软误差测试方法; ———第 39 部分:测量有机材料中水分扩散率和水溶性(适用于半导体元件); ———第 40 部分:基于应变仪的板面液滴试验方法; ———第 41 部分:非易失性存储器标准可靠性测试方法; ———第 42 部分:温湿度储存条件下的性能评估; ———第 43 部分:集成电路可靠性认证计划指南; ———第 44 部分:半导体器件中子辐照单粒子效应(SEE)试验。

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  • IEC 60749-44-2016 44 SEE.rar
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    本资源为国际电工委员会标准文件,提供半导体器件中子辐照引起的单粒子效应(SEE)的测试方法和评估准则,适用于科研与工程领域。 半导体器件机械及气候试验方法(英文) ———第 1 部分:总则; ———第 2 部分:低气压; ———第 3 部分:外部目检; ———第 4 部分:强加速稳态湿热测试 (HAST); ———第 5 部分:稳态温湿度偏置寿命试验; ———第 6 部分:高温储存; ———第 7 部分:内部水汽含量检测及其他残留气体分析; ———第 8 部分:密封性能测试; ———第 9 部分:标志面耐久性测试; ———第 10 部分:机械冲击试验; ———第 11 部分:快速温度变化(双液槽法); ———第 12 部分:扫频振动测试; ———第 13 部分:盐雾腐蚀测试; ———第 14 部分:引出端强度(引线牢固性)试验; ———第 15 部分:通孔安装器件耐焊接热性能测试; ———第 16 部分:粒子碰撞噪声检测 (PINT); ———第 17 部分:中子辐照测试; ———第 18 部分:电离辐射(总剂量)试验; ———第 19 部分:芯片剪切强度评估; ———第 20 部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响性能检测; ———第 20-1 部分:对潮湿及焊接热敏感的表面安装器件的操作、包装、标志与运输指导; ———第 21 部分:可焊性测试; ———第 22 部分:键合强度评估; ———第 23 部分:高温工作寿命试验; ———第 24 部分:加速耐湿无偏置强加应力试验(HSAT); ———第 25 部分:温度循环测试; ———第 26 部分:静电放电(ESD)敏感度测试 - 人体模型(HBM); ———第 27 部分:静电放电(ESD)敏感度测试 - 机器模型(MM); ———第 28 部分:静电放电(ESD)敏感度试验-带电器件模型(CDM)-器件级 ———第 29 部分:闩锁效应检测; ———第 30 部分:非密封表面安装器件可靠性测试前预处理方法; ———第 31 部分:塑封器件的易燃性(内部引起)评估; ———第 32 部分:塑封器件的易燃性(外部引起)评估; ———第 33 部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮测试; ———第 34 部分:功率循环试验; ———第 35 部分:塑封电子元器件声学扫描显微镜检查; ———第 36 部分:恒定加速度测试; ———第 37 部分:基于加速度计的板面液滴测试方法; ———第 38 部分:带存储器半导体器件软误差测试方法; ———第 39 部分:测量有机材料中水分扩散率和水溶性(适用于半导体元件); ———第 40 部分:基于应变仪的板面液滴试验方法; ———第 41 部分:非易失性存储器标准可靠性测试方法; ———第 42 部分:温湿度储存条件下的性能评估; ———第 43 部分:集成电路可靠性认证计划指南; ———第 44 部分:半导体器件中子辐照单粒子效应(SEE)试验。
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