SD规范 第一部分 物理层规格版本3.0...

简介：
本资料详细介绍了SD规范物理层规格第3.0版，涵盖电气特性、机械结构及接口时序等方面的标准要求。 ### SD物理层规范3.0版关键知识点解析 #### 一、概述 SD（Secure Digital）卡作为一种便携式存储设备，在消费电子领域扮演着重要角色。随着技术的发展，为了满足日益增长的数据存储需求，SD卡标准也在不断演进。本篇文章将重点介绍《SD Specifications Part1 Physical Layer Specification Version 3.00》中的关键技术点，该版本在原有的基础上增加了许多新的特性，如DDR模式、电压转换功能以及高速调优等。 #### 二、物理层规范3.0版的主要更新 ##### 1. 新增特性概览 - **支持更高容量**：新增了对Extended Capacity (SDXC)的支持，即扩展容量，允许SD卡的最大存储容量进一步提升。 - **支持更高速度**：引入了Ultra High Speed I (UHS-I)接口标准，显著提高了数据传输速率。 - **新增DDR模式**：通过双倍数据速率（DDR）技术实现数据传输速度的大幅提升。 - **电压转换功能**：为了适应不同的工作环境，加入了电压转换机制，使得SD卡能够在不同的电压下正常工作。 - **调优功能**：通过对读写性能的优化，提升了整体的用户体验。 ##### 2. 修订历史与主要变化 - **版本1.0至1.01**：从最初的草案版本发展到初始发布版本，期间对文档进行了多处补充和完善。 - **版本1.10**：增加了High-Speed模式的支持，使得读写速率能够达到25MBs，并定义了一些新的命令系统。 - **版本2.00**：增加了对High Capacity SD Memory Card的支持，即高容量SD记忆卡，其最大容量可达到32GB。 - **版本3.00**： - 应用了物理层2.00补充笔记版本1.00的内容。 - 引入了扩展容量（SDXC）的支持。 - 支持Ultra High Speed I (UHS-I)，进一步提升了传输速度。 - 更新了速度等级规范。 - 增加了Set Block Count Command (CMD23)。 #### 三、技术细节 ##### 1. DDR模式 - **定义**：DDR模式是一种通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据的技术，从而实现数据传输速度的翻倍。 - **应用场景**：适用于需要大量数据快速交换的应用场景，如高清视频录制或高速连拍等。 ##### 2. 电压转换 - **背景**：不同设备可能采用不同的工作电压，因此SD卡需要具备灵活的电压适应能力。 - **技术实现**：SD卡内部集成了电压转换电路，能够在不同的电源电压下正常工作，通常包括1.8V和3.3V两种电压模式。 - **优点**：增强了兼容性，使得SD卡能够在更多的设备中使用。 ##### 3. 调优功能 - **目标**：通过软件和硬件层面的优化，提高SD卡的读写性能。 - **具体措施**：包括但不限于优化控制器算法、改进内存管理策略等。 #### 四、合规性和许可 - **知识产权政策**：任何采用此规范的成员都需要获得适当的许可证，特别是当涉及到之前版本的部分内容时。 - **示例**：例如，在主机设备中实施SD规范1.0或1.01版本以及本规范的要求是执行SD Host Ancillary License Agreement协议。 #### 五、结论 物理层规范3.0版通过增加多项新技术，极大地提升了SD卡的性能表现。无论是从容量还是速度方面，都为用户带来了更好的使用体验。未来，随着技术的不断发展，SD卡标准还将继续演进，为消费者提供更多样化的选择。