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MIL-HDBK-2165A是美军的测试性标准。

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简介：
这些是为测试目的而制定的国际标准，以及美国军方所采用的标准；同时，它们也充当了测试性设计方案的指导性文件。

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  • 美军MIL-HDBK-2165A测试性标准
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    《美军MIL-HDBK-2165A测试性标准》为美国国防部制定的技术文档，详述了装备测试性的设计、评估与改进方法，旨在提升军事系统的可靠性和效能。 国际标准中的测试性规定以及美国军方的标准对于指导测试性设计具有重要作用。
     
  • 美军标准MIL-STD-188-110C
    优质
    美军标准MIL-STD-1188-110C是美国国防部制定的一份通信互操作性和兼容性的技术规范，用于确保军队内部及与盟军的通信设备能够有效协同作业。 美军标MIL-STD-188-110C技术手册涵盖了编码、调制、成型滤波等多种技术方案。
     
  • 美国军方标准MIL-STD-883D.pdf
    优质
    《美国军方标准MIL-STD-883D》是一份详细的指导文件，涵盖了微电路测试方法和工业要求，确保军事设备中的电子元件可靠性和耐用性。 MIL-STD-883D是美国军方的标准之一。
     
  • MIL-HDBK-217F中的MTBF计算标准
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    MIL-HDBK-217F是一部美国国防部可靠性设计指南，用于电子元件的可靠性和可维护性分析。其MTBF（平均故障间隔时间）计算标准提供了详尽的方法来评估产品的长期性能和稳定性。 MTBF的计算标准采用的是MIL-HDBK-217F美军标。
     
  • 美军标MIL-STD系列43项标准合集.rar
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    本资源包含美军标MIL-STD系列共计43项标准，涵盖了从系统工程到电子设备的各项规范要求，适用于国防工业及相关领域的技术研究与应用。 美国军用标准合集包括MIL-STD-461D、MIL-STD-690D 和 MIL-STD-19等标准。
     
  • 美国电子产品可靠性预测手册（Mil-Hdbk-217F）
    优质
    《美国电子产品可靠性预测手册(Mil-Hdbk-217F)》是一份由美国国防部发布的文件，用于评估和预测电子元器件及系统的可靠性。该手册为设计、制造和维护阶段提供了重要的指导原则和技术参数，被广泛应用于军工与民用领域。 美国电子产品可靠性预计手册指出，在产品研发过程中，产品可靠性的预测与分析是一项至关重要的任务。这项工作对于评估设计的可行性、选择合适的部件及其应用方式、制定产品的维修策略以及确定整体综合后勤保障需求等方面都具有重要意义。
     
  • MIL-HDBK-217F
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    MIL-HDBK-217F是美国国防部发布的可靠性预测手册，用于指导电子元器件及系统的可靠性评估与设计优化。 美标Mil-Hdbk-217F电气类故障率计算方法。
     
  • H/G MIL-STD-202测试标准
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    H/G MIL-STD-202是美国军方制定的一系列电子及电气元件环境与应力测试的标准方法，确保产品在严苛条件下的可靠性和耐久性。 DEPARTMENT OF DEFENSE TEST METHOD STANDARD ELECTRONIC AND ELECTRICAL COMPONENT PARTS 1. SCOPE 1.1 Purpose. This standard establishes uniform methods for testing electronic and electrical component parts, including basic environmental tests to determine resistance to the deleterious effects of natural elements and conditions surrounding military operations, as well as physical and electrical tests. For the purpose of this standard, the term component parts includes items such as capacitors, resistors, and other similar components.
     
  • MIL-HDBK-217F-Notice-2.pdf
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    《MIL-HDBK-217F-Notice-2》是一份美国国防部维护手册，提供电子元器件可靠性的预测数据和模型，用于设计评估及质量控制。 MIL-HDBK-217F-Notice 1 是关于电子设备可靠性预测的军事手册的一个修订版，主要关注微电路的故障率预测模型。这个版本修正了基本 F 版本中的少量印刷错误，并基于最近完成的研究提供了新的预测模型。 1. 新增故障率预测模型： - 手册引入九类微电路的新模型：单片双极型数字和线性门逻辑阵列设备、单片MOS数字和线性门逻辑阵列设备、单片双极型和 MOS 数字微处理器（包括控制器）、单片双极型和 MOS 存储器设备，GaAs 单芯片数字器件，GaAs 微波集成电路 (MMIC) 设备，混合微电路、磁泡存储器及表面声波装置。 - 这些模型适用于门数高达 60,000 的双极性和MOS微电路；3,000 晶体管的线性微电路；支持最多 1 百万位容量的内存设备；GaAs MMICs 中多达 1,000 的有源元件和 GaAS 数字 IC，晶体管数量可达 10,000。 2. 技术改进： - C 因子进行了大量修订以反映新技术设备的可靠性提升。MOS 设备及存储器激活能量（IT）代表温度敏感性的变化。 - Ca因子保持不变但包括引脚网格阵列和表面贴装封装，采用与密封、焊封双列直插式封装相同的模型。 - 新增质量因子(o)、学习因子(i)以及环境因素(aE)的数值。 - 混合微电路模型简化，并删除了温度依赖性密封及互连故障率贡献部分。提供了计算芯片结温的方法。 3. 手册格式改进： - 整个手册重新排版，方便用户使用和阅读。 4. 环境因素减少： - 环境因素(F)的数量从27个减至14个，简化了分析过程。 5. 其他修订内容包括：网络电阻器的新故障率模型；基于电子工业协会微波管部门提供的数据对TWTs（磁控管）和Klystrons的模型进行了更新。 此版替代MIL-HDBK-217E, Notice 1，为设计者及制造商提供电子设备在不同环境条件下的可靠性评估指导。
     
  • Mil-Hdbk-338B故障模式分析
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    《Mil-Hdbk-338B故障模式分析》是一份详尽指导手册，专注于通过系统性方法进行故障模式、影响和关键性分析（FMECA），以提升产品可靠性与安全性。 Mil-Hdbk-338B故障模式是指在军事系统设计过程中用于识别、分析及预防潜在故障的一种标准方法。该手册提供了详细的指导，帮助工程师预测并处理可能影响设备可靠性和安全性的各种问题。通过遵循这些指南，可以提高系统的整体性能和耐用性。