解决场效应管过热的方法
5星
- 浏览量: 0
- 大小:None
- 文件类型：PDF
简介：
本文探讨了如何有效应对和预防场效应管在工作过程中出现的过热问题，提供了多种实用解决方案。
场效应管发热的原因：
1. 电路设计问题：让MOS管工作在线性状态而非开关状态下会导致其发热。例如，在N-MOS作为开关使用的情况下，栅极电压需比电源高几伏才能完全导通；P-MOS则相反。如果未达到充分打开的状态，则压降过大导致功率损耗增加，进而产生更多热量。
2. 频率过高：为了追求体积小巧而提高频率会导致MOS管上的能量损失增大，并因此发热严重。
3. 散热设计不足：即使电流低于最大额定值，若散热措施不够充分也可能造成过高的温度。适当的辅助散热片是必要的。
4. MOS管选型错误：功率评估不准确或忽略了内阻因素都可能导致开关电阻增加。
解决场效应管发热的方法：
1. 增加铜箔面积并添加更多的散热孔来改善热传导效果。
2. 使用导热胶贴。常见的方法包括使用散热器和导热硅脂直接接触MOS管进行冷却，如果外壳不能接地，则可以利用绝缘垫片隔离后再用导热硅脂降温。另外也可以选择硅胶片覆盖在场效应管上以达到既散热又防静电的效果。
全部评论 (0)
还没有任何评论哟~
