
基于TCAD软件的LDMOS击穿电压参数优化研究.pdf
5星
- 浏览量: 0
- 大小:None
- 文件类型:PDF
简介:
本文利用TCAD仿真技术对LDMOS器件进行建模与分析,重点探讨了影响其击穿电压的关键参数,并提出了一套有效的参数优化方案。
利用TCAD软件优化影响LDMOS击穿电压的参数。通过对决定一个参考LDMOS(横向双重扩散金属氧化物半导体)器件源漏击穿电压的相关结构及其尺寸、位置等参数进行分析,可以使用TCAD工具来进行优化设计。
全部评论 (0)
还没有任何评论哟~


