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基于TCAD软件的LDMOS击穿电压参数优化研究.pdf

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简介:
本文利用TCAD仿真技术对LDMOS器件进行建模与分析,重点探讨了影响其击穿电压的关键参数,并提出了一套有效的参数优化方案。 利用TCAD软件优化影响LDMOS击穿电压的参数。通过对决定一个参考LDMOS(横向双重扩散金属氧化物半导体)器件源漏击穿电压的相关结构及其尺寸、位置等参数进行分析,可以使用TCAD工具来进行优化设计。

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    本文利用TCAD仿真技术对LDMOS器件进行建模与分析,重点探讨了影响其击穿电压的关键参数,并提出了一套有效的参数优化方案。 利用TCAD软件优化影响LDMOS击穿电压的参数。通过对决定一个参考LDMOS(横向双重扩散金属氧化物半导体)器件源漏击穿电压的相关结构及其尺寸、位置等参数进行分析,可以使用TCAD工具来进行优化设计。
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