MOS管与IGBT管的区别你知道吗？不了解会吃亏的！

简介：
本文深入浅出地解析了MOS管和IGBT管之间的区别，并强调了解这些知识的重要性，以避免在电子工程设计中犯下代价高昂的错误。 在电子电路设计中，MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）常常被用作开关元件。尽管它们在外形及特性参数方面有一些相似之处，但为何某些电路选择使用MOS管而另一些则偏好于IGBT呢？下面我们将探讨一下这两种器件之间的区别。 什么是MOSFET？ 场效应晶体管主要分为两种类型：结型场效应管（JFET）和绝缘栅极场效应管（即我们常说的MOS管）。其中，后者被称为金属-氧化物半导体场效应晶体管或简称MOSFET。由于其栅电极被一层绝缘材料隔离，这种器件又称为绝缘栅极场效应晶体管。 根据导电沟道的不同类型和工作原理的区别，MOSFET可以进一步细分为N沟耗尽型、增强型；P沟耗尽型以及增强型这四大类。