极紫外投影光刻镜头设计

简介：
《极紫外投影光刻镜头设计》一文聚焦于探讨先进的极紫外(EUV)技术在微电子制造中的应用，详细介绍了EUV投影光刻镜头的设计原理、技术挑战及解决方案。 极紫外投影光刻技术利用14纳米波长的电磁辐射，在实现高分辨率的同时保持较大的焦深范围，有望成为制造超大规模集成电路下一代的关键光刻技术。该技术采用步进扫描方式，并使用全反射、无遮挡且缩小的环形视场投影系统。设计此类系统的初始结构具有挑战性但至关重要。 文中介绍了一种近轴搜索方法来确定这种无遮挡投影系统的初始参数，包括像方远心、物方准远心、固定放大率以及Petzval条件和物像共轭关系等约束条件下，通过计算得出第一面反射镜、最后一面反射镜及光阑所在反射镜的曲率，并且明确了物距与像距。利用这种方法编写了搜索程序以获取初始结构。 基于此方法设计出了两种不同配置的光学系统： - 第一种由四个反射镜组成，数值孔径为0.1，像方视场尺寸为26毫米×1毫米，畸变控制在10纳米以内，并且分辨率能达到优于每毫米6000个周期。 - 另一套则包含六个反射镜，在相同的视野条件下，提高了数值孔径至0.25，同时将畸变降低到3纳米以下，使得其分辨能力达到每毫米超过18,000个周期。