
ADS采用台积电0.13um CMOS PDK工艺包
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简介:
本项目基于台积电0.13微米CMOS工艺设计流程(PDK),进行高性能、低功耗模拟与数字集成电路的设计,旨在优化集成芯片性能。
该工艺包包含ADS使用的PDK文件,采用的是台积电TSMC的0.13um CMOS工艺,旨在为射频集成电路设计人员提供EDA辅助设计支持。
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简介:
本项目基于台积电0.13微米CMOS工艺设计流程(PDK),进行高性能、低功耗模拟与数字集成电路的设计,旨在优化集成芯片性能。
该工艺包包含ADS使用的PDK文件,采用的是台积电TSMC的0.13um CMOS工艺,旨在为射频集成电路设计人员提供EDA辅助设计支持。


