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STM32G4系列芯片的FLASH读写函数

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本文档介绍了针对STM32G4系列微控制器的Flash存储器进行读取和写入操作的函数实现方法及注意事项。 STM32G4系列片上FLASH读写函数已经封装好。可以对任意连续地址进行读写操作，并支持跨页读写功能。在数据写入过程中，会自动判断待写的区域是否为空，对于非空的区域将自行擦除该页的内容，而其他未被修改的数据则会被保留下来。由于G4系列每次写入都是以8字节为单位进行的，因此其读取函数也遵循同样的原则：所有读写操作地址必须是8的倍数。因为涉及较多判断逻辑，可能存在疏漏之处，请在发现问题时及时反馈以便后续修正和更新。

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  • STM32G4系列芯片的FLASH读写函数
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    本文档介绍了针对STM32G4系列微控制器的Flash存储器进行读取和写入操作的函数实现方法及注意事项。 STM32G4系列片上FLASH读写函数已经封装好。可以对任意连续地址进行读写操作，并支持跨页读写功能。在数据写入过程中，会自动判断待写的区域是否为空，对于非空的区域将自行擦除该页的内容，而其他未被修改的数据则会被保留下来。由于G4系列每次写入都是以8字节为单位进行的，因此其读取函数也遵循同样的原则：所有读写操作地址必须是8的倍数。因为涉及较多判断逻辑，可能存在疏漏之处，请在发现问题时及时反馈以便后续修正和更新。
     
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    简介：TMS570LS系列提供高效可靠的闪存存储解决方案，涵盖多种Flash读写操作功能。此系列微控制器支持灵活的数据处理与安全特性，适用于汽车电子和其他嵌入式系统。 ### TMS570LS系列FLASH读写操作 #### 知识点概述 本段落档针对在调试TMS570LS系列微控制器读写片内FLASH BANK0时遇到的问题进行了详细的分析与解决。TMS570LS是德州仪器(TI)推出的一款高性能安全微控制器，广泛应用于汽车电子、工业自动化等领域。该系列微控制器集成了多种安全特性，并提供了丰富的外设资源，包括片上闪存。在进行固件开发的过程中，正确地管理和操作片内闪存对于确保系统的稳定性和安全性至关重要。 #### 问题现象及原因分析 在对TMS570LS系列中的不同型号进行测试时，发现了一个共同的问题：当尝试读写BANK0时，首次执行erase操作就会触发“undefEntry”异常，导致程序异常终止。进一步分析后确定了以下几点： - **测试3137**：该型号具有BANK0和BANK1两个闪存区，其中BANK1的操作一切正常，但BANK0在初次执行erase操作时出现问题。 - **测试1224**：这款型号仅包含BANK0，在进行BANK0的第一次erase操作时出现同样的错误。 - **原因**：根据TI提供的文档（SPNU501.pdf）第2.3.4节所述，使用F021 Flash API无法直接操作自身所在的位置，即BANK0。 #### 解决方案详解 为了解决上述问题，需要对编译链接器脚本进行调整，以便将Flash API相关的代码移动到RAM中执行。具体的解决方案分为以下几个步骤： 1. **增加FLASH API内容空间分配**：在编译链接器脚本(cmd文件)中添加了新的段`FLASH_API`，用于存储Flash API相关的代码。此段定义如下： ```plaintext MEMORY { VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH_API(RX): origin=0x00000020 length= 6KB FLASH1(RX): origin=... // 具体大小根据微控制器型号而定 SRAM(RW): origin=... STACK(RW): origin=... } SECTIONS { .intvecs:{} >VECTORS flashAPI: { ..DebugupdatesrcFapi_UserDefinedFunctions.obj(.text) ..Debugupdatesrcbl_flash.obj(.text) --library=..updatelibF021_API_CortexR4_BE.lib< FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj FlashStateMachine.SetActiveBank.obj FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj FlashStateMachine.EnableMainSectors.obj Init.obj Utilities.CalculateEcc.obj Utilities.WaitDelay.obj Utilities.CalculateFletcher.obj Read.MarginByByte.obj Read.Common.obj Read.FlushPipeline.obj Async.WithAddress.obj Program(obj>(.text) } load=FLASH_API, run=SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size) .text>FLASH1 .const>FLASH1 .cinit>FLASH1 .pinit>FLASH1 .data>SARM .bss>SARM } ``` 这里定义了`FLASH_API`段的起始地址为0x00000020，长度不超过6KB，并将所有Flash API相关的对象文件和库文件链接到这个段。 2. **实现从FLASH复制API到RAM的汇编函数**：为了确保Flash API能够顺利执行，在`sys_core.asm`文件中添加一个用于将Flash API从闪存复制到RAM中的汇编函数`_copyAPI2RAM_`。具体实现如下： ```assembly ;------------------------------------------------------------------------------- ; Copy the Flash API from flash to SRAM. ; .def _copyAPI2RAM_ .asmfunc _copyAPI2RAM_ .ref api_load flash_load.word api_load .ref api_run flash_run.word api_run .ref api_size flash_size.word api_size ldr r0, =flash_load ldr r1, =flash_run ldr r2, =flash_size add r2, r1, r2 copy_loop1: ldr r3, [r0], #4 str r3, [r1], #4 cmp r1, r2 blt copy_loop1 bx lr .endasmfunc ;------------------------------------------------------------------------------- ``` 此函数通过循环从闪存中的`api_load`地址复制数据到RAM中的`api_run`地址，直到复制完`api_size`指定的大小为止。 3. **在启动代码中调用复制函数**：最后一步是在系统启动代码(`sys_startup.c`)中调用上述定义的`_copyAPI
     
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  • GD32F407单片机Flash读写
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    本项目专注于基于GD32F407单片机的内部Flash存储器进行高效、安全的数据读取与编写操作。通过优化算法提升性能，确保数据完整性和可靠性。 GD32F407是一款基于ARM Cortex-M4内核的高性能单片机，适用于多种嵌入式应用。它具有丰富的外设集，包括高速闪存（Flash）存储器，用于程序代码及配置数据的持久化存储。 ### Flash 存储器概述 在GD32F407中，Flash主要用于存放固件和配置信息，并具备非易失性特点。其擦除与编程操作需要遵循特定的时间序列和电压条件，不同于普通的RAM。 ### Flash读取 - **32位读取**：支持一次性读取四个字节的数据，适用于处理大块数据或执行指令。 - **16位读取**：可以半字（即两个连续的8位）为单位进行数据访问。 - **8位读取**：最基础的形式，适合少量信息或特定内存位置的存取。 ### Flash编程与擦除 - **编程操作**允许以单个字节或整个单词的方式向Flash写入新数据。 - **擦除功能**包括页级和块级两种模式。前者用于删除单一页面的内容，后者则影响更大的存储区域。 ### 操作步骤 进行Flash读写之前需要执行以下步骤： 1. 确保没有启用保护机制； 2. 定位具体的地址位置； 3. 发送编程或擦除命令至单片机的接口； 4. 在操作完成前等待一段时间，确保所有数据已正确处理； 5. 最后检查所写入的数据是否准确无误。 ### 安全与寿命 - 闪存有一定的擦写次数限制（通常为10万到1百万次），超出此范围可能影响存储的可靠性。 - 使用CRC校验等机制可以确保数据完整性，防止潜在错误的发生。 ### 开发工具支持 开发过程中推荐使用官方提供的GD32CubeIDE集成环境和固件库来简化Flash操作。这些资源提供了易于使用的API函数以实现高效的代码编写与调试过程。 总结而言，掌握GD32F407单片机的Flash读写技术对于创建高效且稳定的嵌入式应用至关重要。开发者应充分利用官方提供的工具和支持文档，确保程序的安全性和性能表现。