Advertisement

STM32和STM32F103C8T6芯片的片内FLASH读写示例。

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
通过使用 STM32F103C8T6 微控制器，您可以创建一个片内 FLASH 读写程序。该程序的设计环境为 MDK4，并且允许您通过串口接口进行对 FLASH 存储器的读写操作，从而实现灵活的数据访问和控制。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • STM32F103C8T6 内置 FLASH 读写示例程序
    优质
    本项目提供STM32F103C8T6微控制器内置FLASH读写操作示例代码，适用于需要对芯片内部存储器进行数据管理和维护的应用场景。 STM32F103C8T6 片内FLASH读写例程可以在编程环境MDK4下实现，并可以通过串口进行操作以读取或写入Flash。
     
  • STM32 内部 FLASH 读写示例
    优质
    本示例展示如何在STM32微控制器上操作内部FLASH存储器，包括读取和写入数据的基本方法及注意事项。适合初学者入门参考。 在使用STM32时，可以利用其内部Flash来降低硬件成本。由于不同型号的芯片使用的Flash地址有所不同，请查阅相关手册。这里提供了一种通用方法，通过调整Flash地址即可移植到不同的STM32 IC上。该示例已经验证有效，在程序中所用IC为STM32F101RBT6，开发平台是Keil uVision4。
     
  • STM32F103C8T6 内部FLASH读写.zip
    优质
    本资源包含STM32F103C8T6微控制器内部Flash读写操作详细说明及示例代码，适用于需要对该芯片进行程序存储和数据管理的开发者。 STM32F103C8T6 读写内部FLASH.zip 这个文件包含了关于如何使用STM32F103C8T6微控制器进行内部Flash存储器的读取和写入操作的相关资料。
     
  • STM32F103ZET6单片机内部Flash读写示例代码.zip
    优质
    本资源提供了一个关于如何在STM32F103ZET6单片机上进行内部Flash存储器读写的实例代码，适合初学者学习和参考。 STM32F103ZET6单片机内部Flash读写实验例程源码如下： ```c int main() { u8 i = 0; u8 key; u8 read_buf[TEXTLEN]; SysTick_Init(72); NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); // 中断优先级分组 分2组 LED_Init(); USART1_Init(9600); TFTLCD_Init(); // LCD初始化 KEY_Init(); while (1) { key = KEY_Scan(0); if(key == KEY_UP) { STM32_FLASH_Write(STM32_FLASH_SAVE_ADDR, (u16*)text_buf, TEXTLEN); printf(写入数据为：%s\r\n, text_buf); LCD_ShowString(10+6*8, 130, tftlcd_data.width, tftlcd_data.height, 16, (u8 *)text_buf); } } } ```
     
  • 华大IS8U192A_FLASH芯片内部Flash基本擦除、读取和写入操作示例代码
    优质
    本文档提供了华大半导体IS8U192A Flash芯片的基本操作示例代码，包括内部Flash的擦除、读取与写入功能，适用于开发者进行快速应用开发。 华大 IS8U192A_FLASH 芯片内部 Flash 基本擦除、读取和写入操作的例程。
     
  • 【STM32】标准库：内部Flash的读写及芯片访问级别的配置
    优质
    本教程详细介绍了如何使用STM32标准库进行内部Flash的操作，包括读取和写入数据的方法，以及调整芯片访问权限级别的步骤。 使用STM32F429IGT6单片机及Keil MDK 5.32版本进行开发，通过SysTick系统滴答定时器实现延时功能。LED_R、LED_G、LED_B分别连接到PH10、PH11和PH12引脚；Key1与PA0相连，Key2则接在PC13上。程序中启用Flash双块存储模式，并对第13个扇区的4个字节进行读写操作。
     
  • STM32F103C8T6 内部Flash的读写操作
    优质
    本文章介绍了如何在STM32F103C8T6微控制器上进行内部Flash存储器的读取和写入操作，包括编程方法与注意事项。 STM32F103C8T6 内部Flash读写涉及对微控制器内部存储器的操作。通过编程可以实现数据的存取功能，这对于需要长期保存配置信息或者程序代码的应用非常重要。在进行Flash操作时，需要注意遵循特定的数据手册规范以确保不会损坏存储介质，并且要注意处理可能发生的错误情况，如写入保护或硬件故障等异常状态。
     
  • STM32 内部 FLASH 读写
    优质
    本教程详解如何在STM32微控制器上进行内部FLASH存储器的读取与写入操作，涵盖配置步骤及代码示例。适合嵌入式开发人员参考学习。 ### STM32内部FLASH详解 #### 一、概述 STM32是一款广泛应用的微控制器，以其高性能、低功耗及丰富的外围设备而受到青睐。在众多STM32系列中，STM32F103（俗称“蓝胖”）更是因其良好的性价比而成为开发者的首选。其中，内部FLASH作为STM32的重要组成部分之一，对于存储代码和数据至关重要。 #### 二、内部FLASH的作用 内部FLASH主要负责存储用户编写的程序代码，并通过下载器将编译后的代码烧录到内部FLASH中。当STM32上电或复位时，可以从内部FLASH加载并执行代码。此外，内部FLASH还支持运行时的读写操作，可用于存储掉电后需要保留的关键数据。 #### 三、内部FLASH的结构 STM32的内部FLASH由以下三个部分组成： 1. **主存储器**：这是最主要的存储区域，用于存放用户程序代码。根据不同的STM32型号，主存储器的容量也会有所不同。例如，STM32F103ZET6（大容量hd版本）拥有512KB的FLASH，分为256个页，每个页大小为2KB。在写入数据之前，需要先进行擦除操作，这一特性与常见的外部SPI-FLASH类似。 2. **系统存储区**：这部分位于地址范围0x1FFFF000至0x1FFFF7FF之间，共2KB，主要用于存储固化的启动代码，负责实现诸如串口、USB以及CAN等ISP（In-System Programming）烧录功能。这部分内容用户通常无法访问和修改。 3. **选项字节区域**：这部分位于地址范围0x1FFFF800至0x1FFFF80F之间，共有16字节。主要用于配置FLASH的读写保护、待机停机复位、软件硬件看门狗等相关设置。 #### 四、内部FLASH的管理 内部FLASH的管理涉及以下几个方面： - **页擦除**：在向内部FLASH写入新数据之前，必须先执行擦除操作。擦除操作是以页为单位进行的，这意味着如果需要修改某个位置的数据，则必须擦除整个页，并重新写入数据。 - **数据写入**：数据写入也需按照页进行。需要注意的是，一旦数据写入，除非执行擦除操作，否则无法修改该页中的数据。 - **数据读取**：读取操作则不受上述限制，可以直接访问任意地址的数据。 #### 五、读写内部FLASH的应用场景 1. **存储关键数据**：由于内部FLASH的访问速度远高于外部SPI-FLASH，在紧急状态下存储关键记录是非常实用的选择。 2. **加密与安全**：为了保护应用程序不被盗版或破解，可以在第一次运行时计算加密信息并记录到内部FLASH的特定区域，之后删除部分加密代码，以此来增强程序的安全性。 3. **配置存储**：可以将一些经常需要读取但很少更改的配置信息存储在内部FLASH中，以减少对外部存储器的依赖，并提高系统响应速度。 #### 六、注意事项 - 在进行内部FLASH操作时，务必确保遵循正确的操作流程，避免误操作导致的数据丢失。 - 对于不同型号的STM32，其内部FLASH的具体配置（如页大小、总容量等）可能有所差异，在具体操作前应仔细查阅相应的规格书或参考手册。 STM32内部FLASH不仅承担着存储程序代码的任务，还能在运行时提供灵活的数据存储解决方案，是STM32强大功能不可或缺的一部分。
     
  • C8051F350芯片的Flash程序读写方法
    优质
    本文介绍了针对C8051F350芯片的Flash存储器进行程序读取与编写的具体方法和注意事项，为开发人员提供实用指南。 c8051F350单片机通过应用程序可以读写FLASH的代码。
     
  • STM32G4系列芯片的FLASH读写函数
    优质
    本文档介绍了针对STM32G4系列微控制器的Flash存储器进行读取和写入操作的函数实现方法及注意事项。 STM32G4系列片上FLASH读写函数已经封装好。可以对任意连续地址进行读写操作，并支持跨页读写功能。在数据写入过程中，会自动判断待写的区域是否为空，对于非空的区域将自行擦除该页的内容，而其他未被修改的数据则会被保留下来。由于G4系列每次写入都是以8字节为单位进行的，因此其读取函数也遵循同样的原则：所有读写操作地址必须是8的倍数。因为涉及较多判断逻辑，可能存在疏漏之处，请在发现问题时及时反馈以便后续修正和更新。