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隔离式栅极驱动电路的变压器设计与仿真.pdf

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简介:
本文档探讨了隔离式栅极驱动电路中变压器的设计方法,并通过仿真软件验证设计方案的有效性,为电力电子设备提供可靠的电气隔离和信号传输。 脉冲变压器常被用来隔离并传递功率的栅极驱动信号,其外围电路存在多种形式。本段落提出了一种新型可负压关断的拓扑电路,并进行了参数设计和仿真验证。该拓扑利用脉冲变压器来传输驱动信号和驱动功率,使用蓄能电容产生二次侧电源,并用负压电容生成关断所需的负电压,在不依赖外部辅助电源的情况下实现功率MOSFET的快速导通与负压关断功能。仿真的结果显示,相较于现有的驱动电路,该方法具有抗干扰能力强、开关速率快、开关损耗小和可靠性高等优点。

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  • 仿.pdf
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    本文档探讨了隔离式栅极驱动电路中变压器的设计方法,并通过仿真软件验证设计方案的有效性,为电力电子设备提供可靠的电气隔离和信号传输。 脉冲变压器常被用来隔离并传递功率的栅极驱动信号,其外围电路存在多种形式。本段落提出了一种新型可负压关断的拓扑电路,并进行了参数设计和仿真验证。该拓扑利用脉冲变压器来传输驱动信号和驱动功率,使用蓄能电容产生二次侧电源,并用负压电容生成关断所需的负电压,在不依赖外部辅助电源的情况下实现功率MOSFET的快速导通与负压关断功能。仿真的结果显示,相较于现有的驱动电路,该方法具有抗干扰能力强、开关速率快、开关损耗小和可靠性高等优点。
  • 脉冲及MOSFET分析仿.pdf
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    本文档深入探讨了脉冲变压器的工作原理及其在MOSFET栅极驱动电路中的应用,并通过详细的仿真分析验证其性能。适合从事电力电子研究的专业人士阅读。 为了使BUCK变换器中的MOSFET能够浮地工作,采用脉冲变压器构成其栅极驱动电路。分析了驱动电路的结构和工作原理,并对脉冲变压器进行了设计,提出了增大磁化电感和减小漏感的方法,从而有效传输驱动波形,有利于降低MOSFET损耗并提高BUCK变换器效率。通过软件仿真和实验验证了脉冲变压器驱动电路的效果。
  • 基于脉冲MOSFET
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    本研究提出了一种采用脉冲变压器进行电气隔离的MOSFET驱动电路设计方案,旨在提升高压环境下的信号传输效率与安全性。该方案通过优化磁芯材料和绕组布局,实现了良好的电气绝缘及高速开关特性,适用于电力电子设备中的高频、高压应用场景。 由于MOSFET具有控制简单、输入阻抗高、噪声低以及热稳定性好和寿命长等诸多优点,在中小功率及高频开关电路领域得到了广泛应用。本段落主要研究了其驱动电路,并在了解基本需求的基础上设计了一种采用脉冲变压器隔离的新型MOSFET驱动电路,详细介绍了具体参数的设计过程。通过构建实际模型并进行实验验证后发现,该驱动电路能够满足预期性能指标:具有广泛的占空比调节范围、响应速度可达到100kHz,并且具备隔离保护功能,在工业生产中展现出一定的实用价值。
  • 基于PSpice仿推挽开关.pdf
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    本文通过Pspice仿真软件,详细探讨了变压器隔离推挽式开关电源的设计方法与优化策略,为电力电子领域的研究提供了有价值的参考。 变压器隔离推挽式开关电源PSpice仿真设计PDF文档提供了一种详细的方法来模拟这种类型的电源电路。该文档适合那些希望深入理解并优化这类电源性能的电子工程师和技术人员使用。
  • 改进自举
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    本研究提出了一种改进的高压栅极驱动器自举电路设计方案,旨在提升开关速度与效率,增强系统稳定性及可靠性。 本段落介绍了设计高性能自举式栅极驱动电路的方法,并将其应用于功率型MOSFET和IGBT的设计中。
  • MOSFETPDF
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    本PDF文档深入探讨了MOSFET栅极驱动电路的设计与应用,涵盖原理分析、优化策略及实际案例,适用于电子工程专业人员和技术爱好者。 本段落档介绍了TOSHIBA功率MOSFET的栅极驱动电路。文档创建日期为2017年8月21日。
  • 此参考包括六个增强型IGBT方案
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    本参考设计涵盖了六种基于增强型隔离技术的IGBT栅极驱动器电路方案,旨在提升电力电子设备中的开关性能与可靠性。 TIDA-00446 参考设计包含了六个增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器以及专用的栅极驱动电源。此紧凑的设计用于控制如交流变频器、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等三相逆变器中的IGBT。该设计采用具备DESAT功能及内置米勒钳位保护的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器,并支持使用单极电源电压为栅极驱动供电。 每个栅极驱动器利用基于开环推挽式的电源拓扑,使PCB布线更加灵活。在TIDA-00446中使用的推挽变压器以420 kHz的频率运行,有助于减小隔离变压器尺寸,从而实现更紧凑的解决方案。此外,栅极驱动器电源可以被禁用,支持安全扭矩断开(STO)功能。 该设计具有以下特性: 1. 适用于低电压驱动器(如400Vac和690Vac); 2. 集成有高达5A灌电流及2.5A拉电流的栅极驱动能力,适合以最高达50A的电流来驱动IGBT模块; 3. 内置米勒钳位功能支持使用单极电源电压(+17V)为IGBT供电; 4. 集成保护特性包括通过DESAT检测实现短路防护及欠压断电保护,同时提供独立调节Rg(ON)和Rg(OFF)的能力; 5. 提供8000 Vpk的增强型隔离以及极高的CMTI(共模瞬态抗扰度)> 100 kV/μs。 6. 变压器驱动器采用扩频工作模式,有助于减少电磁干扰(EMI)。 最后,栅极驱动信号和故障信号可以直接连接至控制器,并且可以支持3.3V操作。
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    本文章深入探讨了MOS管在驱动变压器隔离电路中的工作原理、优势及实际应用案例,为电子工程领域的专业人士提供了详实的技术指导和参考。 本段落介绍了基于MOS管驱动变压器隔离电路的分析与应用。