Advertisement

普冉P25Q80H规格书（中英文版）.pdf

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
本资料为普冉P25Q80H规格书的中英文双语版本，详尽介绍了该型号闪存芯片的各项技术参数与使用指南。 普冉P25Q80H存储IC中文规格书提供了详细的参数和技术指标。该文档包括了芯片的电气特性、引脚定义以及编程指南等内容，旨在帮助用户更好地理解和使用这款产品。此外，还介绍了相关的软件工具和支持资源，以确保客户能够顺利地将P25Q80H集成到他们的项目中。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • 普冉P25Q80H规格书（中英文版）.pdf
    优质
    本资料为普冉P25Q80H规格书的中英文双语版本，详尽介绍了该型号闪存芯片的各项技术参数与使用指南。 普冉P25Q80H存储IC中文规格书提供了详细的参数和技术指标。该文档包括了芯片的电气特性、引脚定义以及编程指南等内容，旨在帮助用户更好地理解和使用这款产品。此外，还介绍了相关的软件工具和支持资源，以确保客户能够顺利地将P25Q80H集成到他们的项目中。
     
  • AG7110规格书（中文版）.pdf
    优质
    本手册为AG7110设备的专业技术文档，提供全面的技术参数、功能说明及使用方法，适用于工程师和技术人员参考。 AG7110 特性如下： - 单电源供电范围：3.15V 至 5.5V。 - 支持交流耦合与直流耦合输入。 - 兼容 HDMI、DVI 和 DisplayPort 输入标准。 - 符合 HDMI 1.4b 规范和 DisplayPort 双模 1.1 标准版本。 - 每个通道的最大 TMDS 吞吐量可达 3.4Gbps（总计为 10.2 Gbps）。 - 最大像素时钟频率高达 340MHz，支持 4K2K@30Hz 分辨率显示。 - 内置 RC 可排除外部晶体干扰，并集成有从 5V 到 3.3V/1.2V 的调节器。 - 在每个高信号输入点集成了 50 欧姆的终端电阻，支持三个 GPO 端口以启用 LED 指示灯功能。 - 支持 GPI 并可在自动或 MCU 模式之间进行选择。 - 具备自动 HDMI 插件检测功能，在没有外部 MCU 的源设备上内置端口激活电路用于支持远程控制器的外部 MCU 接口应用。 - 实施了挂起模式以节省电力。
     
  • 英飞凌BSS138W芯片中文规格书.pdf
    优质
    本资料为《英飞凌BSS138W芯片中文规格书》，详尽介绍了该功率MOSFET器件的技术参数、电气特性及应用指南，适用于工程师和技术人员参考。 **英飞凌BSS138W芯片概述** BSS138W是英飞凌公司生产的一款N沟道增强型小信号晶体管，属于SIPMOS系列。该器件适用于逻辑电平操作，并具备优良的dvdt耐受能力，同时符合RoHS标准，不含铅。 **主要特性** - **N沟道**: 表示在栅极和源极之间施加正电压时导通，在零或负电压下截止。 - **增强模式**: 晶体管仅在栅极电压高于源极电压的情况下导通，并且不导通状态下漏电流非常低。 - **逻辑电平兼容性**：适合与标准逻辑电路配合使用，具有适中的栅极阈值电压，允许普通逻辑信号驱动晶体管。 - **dvdt耐受能力**: 能够承受高速开关操作中快速的电压变化，并对高didt脉冲提供良好的保护。 - **无卤素**: 符合IEC61249-2-21标准，不含卤化物成分，具有环保性质且降低了潜在腐蚀风险。 **最大额定值** - **连续漏极电流**(I_DT): 在环境温度为25°C时为0.28A，在70°C时降至0.22A。 - **脉冲漏极电流**(I_D,pulse): 于室温下可达到1.12A，但不应超过器件的最大功率耗散限制。 - **反向二极管dvdt**: 在特定条件下能够承受6kVµs的电压变化率。 - **栅源电压**（V_GS）: 最大值为±20V。 - **总电源耗散**(P_tot): 环境温度在25°C时不超过0.5W。 - **工作和存储温度范围**: -55°C至150°C，符合IEC气候类别要求。 **封装与标识** BSS138W采用PG-SOT-323封装形式，每卷提供3000或10,000个器件，并配有相应的包装标记H6327和H6433。 **热特性** - **结温到环境温度的最小热阻**(R_thJA): 为250KW，表示从芯片内部至外部空气的热量传递效率。 **电气特性** 1. **漏源击穿电压**: 在V_GS=0V和I_D=250µA条件下，最低值达到60V。 2. **栅极阈值电压**(V_GS(th)): 当V_GS等于V_DS且电流为26µA时，其范围在0.6至1.4伏特之间。 3. **漏源截止电流**: 在施加了60V的漏-源压降和零栅-源偏置电压下，最大值分别为0.1微安（环境温度25°C）与5微安（最高工作温度150°C）。 4. **栅极泄漏电流**(I_GSS): 当电压为20伏特且V_DS=0时，其峰值不超过110纳安。 **动态特性** - **输入电容(C_iss)**: 在零至源漏压降范围内变化，范围是324pF到343pF。 - **输出电容**(C_oss): 范围在7.2pF和10pF之间。 - **反向转移电容**(Crss): 介于2.8至4.2皮法拉（PF）之间。 - **开通延迟时间**（t_d(on)）: 变化范围为2.2ns到3.3ns。 - **上升时间(t_r)**: 范围是3ns到4.5ns。 BSS138W是一款专为低功耗、高速开关应用设计的高性能晶体管，具有出色的热管理和高切换速度，并且能够适应严苛的工作环境。它广泛应用于逻辑门驱动器、电源管理电路以及信号切换等领域。
     
  • APDS-9960 规格书（中文版）.pdf
    优质
    本资料为APDS-9960传感器规格书中文版本，详细介绍了该传感器的技术参数、功能特性及应用指南等内容。 APDS-9960中文规格书详细介绍了这款器件的功能特性：高级手势检测、接近感应、数字环境光传感（ALS）以及色彩识别（RGBC）。该模块化封装尺寸为长3.94毫米，宽2.36毫米，高1.35毫米，并配备红外LED和出厂校准的LED驱动器，确保与现有封装兼容。 手势检测功能通过四个定向光电二极管来实现。这些光电二极管可以捕捉反射的红外能量（由集成的红外LED提供），并将物理运动的信息转化为数字信号。具体而言，它们能够识别速度、方向以及距离等信息。 该器件的手势引擎架构具备自动激活机制（基于接近感应的结果）、环境光减法处理、串扰消除功能，并且配备了两个8位的数据转换器。此外，它还具有节能的转换间延迟设置、32个数据集容量的FIFO缓冲区和中断驱动式的I²C总线通信模式。 这一手势引擎能够满足各种移动设备对手势识别的需求：可以精确地检测到简单的上下左右等基本手势或更为复杂的手势动作。同时，可调红外LED定时功能有助于最大限度降低功耗并减少噪声干扰。
     
  • ICE2QR2280G-1 英飞凌芯片 INFINEON 规格书手册（中文版）.pdf
    优质
    这份文档是英飞凌公司针对型号为ICE2QR2280G-1的芯片提供的规格说明书，内容详尽介绍了该芯片的各项参数和技术指标，适用于需要深入了解此款产品特性的技术人员或工程师。文档以简体中文编写，方便国内用户查阅和使用。 《ICE2QR2280G-1英飞凌芯片INFINEON中文版规格书手册》 该手册详细介绍了英飞凌公司生产的ICE2QR2280G-1芯片，这是一款专为电源管理设计的准谐振控制器和CoolMOS™集成电源集成电路。这款芯片适用于高达800V的高电压环境，并符合RoHS标准，采用无铅电镀封装且不含卤素。 产品亮点包括： 1. **主动爆发模式**：在低负载状态下实现低于100mW的待机功率要求，极大降低功耗。 2. **准谐振操作**：通过这种工作方式可以减少电磁干扰（EMI），提高效率，并减轻对次级二极管的压力。 3. **动态频率调整功能**：随着负载减小自动调节开关频率以减少切换损耗，从而提升整体系统效率。 4. **内置启动单元的800V雪崩耐受CoolMOS™**：提供更高的稳定性和耐用性。 5. **数字软启动功能**：确保电源在启动时平稳过渡。 6. **折返点校正、逐周期峰值电流限制及最大导通时间限制**：增强保护机制，防止过载和过温情况发生。 7. **自动重启动模式**：具备VCC电压过高或不足、负载过大以及温度过高的保护功能。 8. **锁定关闭模式**：提供可调输出过压保护和变压器短路防护。 特性包括： 1. **内置启动单元的800V雪崩耐受CoolMOS™**，确保在高电压环境下稳定运行。 2. **准谐振操作直至极低负载状态**，优化效率尤其是在轻载或无负载情况下。 3. **主动爆发模式工作方式**：实现超低待机输入功率（低于1W）。 4. **动态频率调整功能**：随着负载减少而降低开关损耗。 5. **内置数字软启动机制**：确保电源在启动过程中的平稳过渡。 6. **多种保护措施**，包括峰值电流限制和最大导通时间限制以及折返点校正等。 应用领域涵盖： 1. 适配器充电器（如蓝光DVD播放机、机顶盒）； 2. 数字相框及服务器、PC、打印机、电视、家庭影院音频系统中的辅助电源供应。 3. 白色家电，例如家用电器等设备的供电需求。 ICE2QR2280G-1芯片采用BiCMOS技术，在高达25V的宽泛IC电源操作范围内具有低功耗的特点。其独特设计使得在极轻负载下仍能保持准谐振工作状态，从而提高电源转换效率。此外，该款芯片还提供多种保护机制以确保系统在各种异常情况下的安全性和稳定性，是一款高性能的解决方案应用于电源管理领域中。
     
  • MP9486A稳压IC规格书中文版.pdf
    优质
    本手册为MP9486A稳压集成电路提供详尽的技术参数和使用指南，包括其功能特性、电气规格及应用电路设计等信息。适用于工程师和技术人员参考。 MP9486A中文规格书提供方便阅读的翻译版本。该器件支持5-90V输入电压范围，并可实现最大3A输出电流。
     
  • 规格说明书 MTP10-B7F55（中文版）.pdf
    优质
    本文件为MTP10-B7F55设备的规格说明书，详细列出产品技术参数、性能特点及使用维护指南，适用于操作人员和维修技术人员。 MTP10B7F55 热电堆传感器规格书 规格： - MEMS热电堆芯片 - TO-46封装 - 高灵敏度 - 5.5 μm长波通滤光片 - 高精度NTC温度感应 应用领域包括但不限于： - 非接触式体温测量（如耳温计和额温计） - 生产制造过程中的连续温度监控 - 消费电子产品集成 - 家用电器的温度检测
     
  • ICE2QR2280Z 英飞凌芯片 INFINEON 规格书中文手册.pdf
    优质
    本资料提供英飞凌ICE2QR2280Z芯片的详细规格书和使用指南，包含电气特性、功能描述及应用示例等内容，并附有完整参数表与性能指标说明。文档采用简体中文编写，便于国内工程师理解和查阅。 《ICE2QR2280Z英飞凌芯片INFINEON中文版规格书手册》是英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）发布的一份技术文档，详细介绍了ICE2QR2280Z芯片的技术参数、功能特性和应用指南。这份资料于2011年8月30日发布的第二版中提供了关于该芯片的最新信息。 ICE2QR2280Z是一款高性能的功率开关器件，属于Infineon的CoolMOS系列，专为电源管理设计。CoolMOS品牌代表了英飞凌在功率 MOSFET 领域的技术先进性，旨在提供高效、低损耗的解决方案。而CoolSET则是集成了MOSFET和控制器的功率模块，并且Q1表示它是第一代产品。 规格书中包含以下关键信息： - **电气特性**：包括额定电压、电流、开关速度、栅极电荷及阈值电压等，这些都是评估功率开关性能的重要参数。 - **封装信息**：ICE2QR2280Z可能采用的封装类型和引脚配置，这对于电路布局与散热设计非常重要。 - **热特性**：芯片的热阻以及最大工作温度等数据决定了其在特定功率下的散热需求及可靠性。 - **安全操作区(SOA)**：指定了器件在不同条件下的安全工作范围，以避免因过压或过流而导致损坏的风险。 - **应用示例**：提供了典型的应用电路图，帮助工程师理解和使用该芯片的方式。 此外，规格书中还提到了警告与注意事项部分，提醒用户注意组件可能含有的危险物质，并强调生命支持设备中的特殊限制条件。在这些特定情况下必须获得英飞凌的书面批准才能进行使用。 总的来说，《ICE2QR2280Z 英飞凌芯片INFINEON中文版规格书手册》是工程师设计、选型和正确安全使用该芯片时的重要参考资料，它涵盖了所有必要的技术细节。
     
  • INFINEON IRF640NS 英飞凌芯片中文规格书手册.pdf
    优质
    本手册提供了英飞凌IRF640NS型MOSFET的详细技术参数和应用指南，包括电气特性、封装信息及使用建议等内容。适用于电子工程师和技术人员参考。 IRF640NS是由英飞凌（INFINEON）公司生产的HEXFET功率MOSFET芯片，在高效性和可靠性方面表现出色，并适用于多种应用领域。HEXFET功率MOSFET代表高性能场效应晶体管，是电力电子技术中的关键组件，常见于电源管理、电机驱动和开关电源等高功率应用场景。 该款芯片的关键参数包括： 1. **连续漏极电流 (ID)**：在25°C时为最大值18A，在100°C时则降低到13A。这意味着芯片能在这些温度范围内持续承载的最大电流。 2. **脉冲漏极电流 (IDMP)**：IRF640NS能够承受的峰值脉冲电流高达72A，显示出其处理瞬态大电流的能力。 3. **功率损耗 (PD)**：在环境温度为25°C时，最大功率损耗可达150W。随着温度上升，每增加1℃，功耗也会相应地线性增长1.0W。 4. **栅源电压 (VGS)**：IRF640NS允许的最大栅源电压±20V, 这是控制MOSFET导通和关断的关键参数。 5. **单脉冲雪崩能量 (EASS) 和重复雪崩能量 (EAR)**：这两个指标显示了芯片在遭遇雪崩击穿时的耐受能力，IRF640NS的最大值分别为247mJ（单次）及15mJ（连续），表明其具备良好的抗雪崩特性。 6. **峰值二极管恢复dv/dt**：该参数反映了内置二级管在开关过程中的电压变化率，对于IRF640NS来说为8.1V/ns。快速的dv/dt有助于减少能量损耗。 7. **工作和存储温度范围**：芯片的工作结温范围是-55到+175°C，而存储温度同样宽泛，确保了在各种环境条件下的稳定性能。 8. **封装类型**：IRF640NS提供了多种封装选项，如D2Pak、TO-220AB、TO-262、TO-220和TO-263。其中，D2Pak适合表面贴装，并提供最低的通态电阻；而TO-220AB则适用于50W左右的应用。 9. **特点**：IRF640NS采用先进的制造工艺，在有限的硅面积上实现了极低的导通电阻，结合快速开关速度和增强型设计，使得这款MOSFET在效率与可靠性方面表现出色。此外，它易于并联使用，并且驱动要求简单。 10. **热性能**：TO-220及D2Pak封装具有较低的热阻特性，能有效散热，在高功率应用中保持芯片稳定运行。 总的来说，IRF640NS是一款高效、耐用的MOSFET器件，适用于需要高效的开关功能和低损耗电力转换系统。凭借其卓越的电气特性和广泛的封装选择，该产品成为从工业到商业电源设计的理想之选。