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从LTSpice中提取MOSFET的开关特性：利用标准MOSFET模型ic(vGE, vCE)...

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简介：
本文介绍了如何在LTSpice仿真软件中运用标准MOSFET模型ic(vGE,vCE)，精确分析和提取MOSFET的开关特性，为电路设计提供有力支持。 这些文件提供了一个工作流程，用于从LTSpice标准MOSFET器件的开关行为ic(vGE, vCE)提取特征数据，并将其转换为查找表格式的数据，例如可以与Simscape Electrical中的N沟道IGBT模块一起使用。 流过开关器件的电流是栅极-发射极和集电极发射极电压（vGE, vCE）的非线性函数。Analog Devices公司的LTSpice网络模拟器包含许多标准库中的开关设备模型。该工作流程在MATLAB中运行LTSpice仿真，生成查找表数据，并将其用于Simscape Electrical N沟道IGBT模块，“查找表（二维，温度无关）”选项。 需要安装LTSpice软件。此外还使用了Paul Wagner的File Exchange Submission 23394来将从LTSpice仿真中得到的.raw格式的数据导入MATLAB。

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  • LTspice Infineon NMOS Library: 超过1900种Infineon NMOS功率MOSFET型号-适用于LTspice...
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    本资源提供超过1900种英飞凌NMOS功率MOSFET模型，专为LTspice仿真软件设计，助力电子工程师高效进行电路模拟与测试。 LTspice Infineon NMOS库更新：此库包含英飞凌功率N沟道MOSFET套件，最高电压为950V，截至2021年1月的电流数据。该库不包括功率模块和双MOSFET等特定符号。它使用Infineon公共库，并带有本机LTSpice符号以方便安装与使用。 如果可能的话，此库会优先采用其原生LTSpice模型；若不可行，则将利用PSpice模型。需要注意的是，尽管该库兼容于LTspice的PSpice模型，但缺少加密符号，不过由于仅少数英飞凌型号依赖于此特性，因此影响不大。 目前包含3849个N沟道MOSFET及其相关符号。安装步骤如下：下载并解压文件后，在苹果系统中复制LTspiceInfineonNMOSLibrary/sym/InfineonNMOS文件夹至~/Library/Application\ Support/LTspice/Symbol路径下完成安装。
     
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  • SiC MOSFET管特性和其专用驱动电源
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  • 实验一：MOSFET特性和驱动电路的研究1
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    本实验旨在研究金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作特性及其驱动电路的设计与优化，通过测试不同条件下的电气参数变化，深入理解其工作原理和应用特点。 2．掌握MOSFET缓冲电路的工作原理与参数设计要求 3．掌握MOSFET对驱动电路的要求 4．熟悉MOSFET主要参数的测量方法 5．绘出电阻负载与电阻、电感的图形表示
     
  • N沟道MOSFET的MATLAB与SIMULINK仿真模型
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    本研究构建了N沟道MOSFET的MATLAB及SIMULINK仿真模型，深入分析其电气特性，并提供了一种便捷有效的模拟设计方法。 N-MOSFET特性是指NMOS场效应晶体管的工作特性和性能参数。这些特性包括但不限于阈值电压、漏源电流与栅源电压的关系（即转移特性曲线）、输出特性以及开关速度等。理解N-MOSFET的特性对于电路设计和分析至关重要，尤其是在数字逻辑门和其他集成电路的应用中。 重写后的文本主要关注了N-MOSFET的基本特性和重要性，并未包含任何联系方式或网址信息。