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现代半导体器件物理学复习资料

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简介：
《现代半导体器件物理学复习资料》是一份全面总结和解析半导体物理及器件原理的学习指南，旨在帮助学生深入理解并掌握相关理论知识与应用技巧。 现代半导体器件物理复习资料 微电子专业资料2描述双极性晶体管的基本工作情况：1、电荷存贮效应。

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  • 现代半导体器件物理学复习资料
    优质
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  • 半导体器件物理学学习资料
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    本资料深入浅出地讲解了半导体器件物理学的基础理论与应用知识，涵盖PN结、双极型晶体管、场效应晶体管等核心内容，适合初学者及进阶读者参考。 半导体器件物理学习资料包含了该领域的基础知识和进阶内容，适合不同层次的学习者使用。这些资料旨在帮助学生深入理解半导体材料的特性和应用，以及各种半导体器件的工作原理和技术细节。通过系统地学习这些资料，读者可以掌握从理论到实践的知识体系，并为进一步研究或从事相关行业打下坚实的基础。
     
  • 半导体器件物理学复习（施敏）.pdf
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    《半导体器件物理学复习（施敏）》是一本基于施敏教授著作的复习资料，内容涵盖PN结、MOS结构等核心理论，并深入探讨了现代半导体器件的工作原理。适合学生和研究人员参考学习。 半导体器件物理总复习涵盖了该课程的主要内容和重点概念。本次复习旨在帮助学生巩固理论知识，并理解各种半导体器件的工作原理及其应用。通过回顾基本的半导体物理学以及PN结、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（MOSFET）等核心器件，学生们可以更好地掌握相关技术和未来研究的基础。此外，还会讨论一些先进的半导体技术及发展趋势。 本次复习课将全面梳理课程内容，并提供练习题以帮助学生加深理解与记忆。通过这次总结和回顾，希望能使大家对所学知识有一个系统的把握，并为后续深入学习打下坚实基础。
     
  • 半导体器件物理学复习指南.pdf
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    《半导体器件物理学复习指南》是一本全面总结和解析半导体器件物理知识的学习资料，涵盖PN结、MOSFET等核心概念，旨在帮助读者深入理解并掌握相关理论与应用。 《半导体器件物理复习指导纲要》是一份帮助学生理解和掌握半导体器件物理学原理的资料。它涵盖了该领域的关键概念、公式以及重要的理论知识，并提供了一些习题来加深理解。这份文档旨在为学习者在课程复习或考试准备过程中提供支持和指导，是相关专业学生的宝贵资源。
     
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    《半导体器件物理复习题》是一本精选了大量关于半导体器件物理核心概念和原理的习题集，旨在帮助学生深入理解和掌握该领域的知识。本书内容丰富、难度适中，非常适合用于课程学习及考试前的准备。通过解答这些题目，读者可以有效检验自己的理论水平，并为进一步研究打下坚实的基础。 半导体器件物理复习题——西南交大微电子专业附史敏答案.pdf
     
  • 半导体器件物理学的学习指南
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    《半导体器件物理学的学习指南》是一本全面解析半导体物理与器件设计原理的教程，旨在帮助学生和工程师深入理解半导体材料特性及应用技术。 本学习指导是微电子专业的理论基础课程，内容涵盖了半导体物理基础、PN结、双极半导体器件以及光电子器件等方面的知识。
     
  • 半导体器件物理学.zip
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    《半导体器件物理学》是一本全面介绍半导体材料及器件物理原理的专业书籍，涵盖PN结、MOSFET等关键内容，适用于科研与教学。 考研学习半导体器件物理的资料包括PPT等内容，希望对大家有所帮助。这些材料包含了从基础概述到第1至24个PPT在内的完整内容。
     
  • 半导体物理复习要点.ppt
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    本PPT涵盖了半导体物理学的关键概念和复习重点，包括能带理论、载流子统计与输运、PN结特性及各类半导体器件的工作原理等。适合于课程学习与考试准备使用。 我整理了一些半导体物理的资料，包括上课课件、笔记等，适合初学者以及准备期末考试的同学使用。此外，还有很多其他关于半导体物理的学习资源可供需要的人索取。如果有需求，请通过私信联系我。
     
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    《半导体器件物理学》由著名华裔科学家施敏撰写，该书详细阐述了半导体材料及其器件的基本原理和应用技术，是相关领域内的经典著作。 微电子经典之作！译者序前言导言第1部分半导体物理 第1章 半导体物理学和半导体性质概要 1.1 引言 1.2 晶体结构 1.3 能带和能隙 1.4 热平衡时的载流子浓度 1.5 载流子输运现象 1.6 声子、光学和热特性 1.7 异质结和纳米结构 1.8 基本方程和实例 第2部分 器件的基本构件 第2章 p-n结二极管 2.1 引言 2.2 耗尽区 2.3 电流-电压特性 2.4 结击穿 2.5 瞬变特性和噪声 2.6 功能端口 2.7 异质结 第3章 金属-半导体接触 3.1 引言 3.2 势垒的形成 3.3 电流输运过程 3.4 势垒高度测量 3.5 器件结构 3.6 欧姆接触 第4章 金属-绝缘体-半导体电容 4.1 引言 4.2 理想MIS电容 4.3 硅MOS电容 第3部分 晶体管 第5章 双极晶体管 5.1 引言 5.2 静态特性 5.3 微波特性 5.4 相关器件结构 5.5 异质结双极晶体管 第6章 MOS场效应晶体管 6.1 引言 6.2 器件基本特性 6.3 非均匀掺杂和埋沟器件 6.4 器件按比例缩小和短沟道效应 6.5 MOSFET结构 6.6 电路应用 6.7 非挥发存储器 6.8 单电子晶体管 第7章 JFET，MESFET 和 MODFET器件 7.1 引言 7.2 JFET和MODFET 7.3 MODFET 第4部分 负阻器件和功率器件 第8章 隧穿器件 8.1 引言 8.2 隧穿二极管 8.3 相关隧穿器件 8.4 共振隧穿二极管 第9章 碰撞电离雪崩渡越时间二极管 第10章 转移电子器件和实空间转移器件 第11章 晶闸管和功率器件 第5部分 光学器件和传感器 第12章 发光二极管和半导体激光器 第13章 光电探测器和太阳电池 第14章 传感器