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高压栅极驱动IC自举电路设计及应用指南.pdf

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简介：
《高压栅极驱动IC自举电路设计及应用指南》是一份深入探讨高压栅极驱动集成电路中自举电路的设计原理与实际应用的技术文档，旨在帮助工程师掌握高效可靠的电路设计方案。 仙童公司经典设计参考：采用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法适用于高频、大功率及高效率的开关应用场合。

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  • 高压栅极驱动IC自举电路设计及应用指南.pdf
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    《高压栅极驱动IC自举电路设计及应用指南》是一份深入探讨高压栅极驱动集成电路中自举电路的设计原理与实际应用的技术文档，旨在帮助工程师掌握高效可靠的电路设计方案。 仙童公司经典设计参考：采用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的方法适用于高频、大功率及高效率的开关应用场合。
     
  • 高压栅极驱动IC自举电路设计及应用指南（含驱动损坏分析）
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    本书详细介绍了高压栅极驱动IC自举电路的设计原理与实际应用，并深入剖析了驱动损坏的原因及其解决方案。 高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南（包括驱动损坏分析）。
     
  • 改进的高压栅极驱动器自举电路设计
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    本研究提出了一种改进的高压栅极驱动器自举电路设计方案，旨在提升开关速度与效率，增强系统稳定性及可靠性。 本段落介绍了设计高性能自举式栅极驱动电路的方法，并将其应用于功率型MOSFET和IGBT的设计中。
     
  • 高速MOSFET栅极驱动电路设计与应用指南（含图示完整版）
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    本书为工程师和研究人员提供全面指导，详解高速MOSFET栅极驱动电路的设计原则、实现方法及优化技巧，并辅以详尽图解。 MOSFET驱动电路设计指导非常详尽且实用。
     
  • MOSFET栅极驱动电路PDF
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    本PDF文档深入探讨了MOSFET栅极驱动电路的设计与应用，涵盖原理分析、优化策略及实际案例，适用于电子工程专业人员和技术爱好者。 本段落档介绍了TOSHIBA功率MOSFET的栅极驱动电路。文档创建日期为2017年8月21日。
     
  • 自举电路的设计指南
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    《自举电路的设计指南》是一本专注于讲解如何设计和应用自举电路的实用手册，适合电子工程师和技术爱好者阅读。书中详细介绍了自举电路的工作原理、常见类型以及在各种电子产品中的实际应用案例，帮助读者掌握自举技术的关键知识与技巧。 对于三相逆变电路的驱动通常需要四路相互隔离的控制电源（其中三路用于P侧驱动，一路用于N侧驱动）。通过自举电路可以将所需的隔离数量从四路减少到一。 自举电容由一个二极管和限流电阻组成。在输出端UVW电位被拉低至GND附近时，N侧15V的控制电源会通过限流电阻对自举电容充电。然而由于开关序列的影响以及限流电阻的存在，可能导致自举电容不能完全充到所需电压。 如果自举电容欠压，则模块将进入欠压保护状态，并且P侧器件因驱动电压降低而增加功率损耗直至停止工作以避免进一步损害。 因此，在设计自举电路时必须充分考虑和评估这些因素。
     
  • NMOS高端驱动自举电路
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    NMOS高端驱动自举电路是一种用于提高电力电子设备中MOSFET等开关器件性能的关键技术。该电路通过自举电容实现高压侧栅极驱动信号的有效传输，从而提升系统效率和可靠性，在电源管理、电机控制等领域有广泛应用。 一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2以及电阻R1到地，因此加载在电容C2两端的电压约为14伏特。 当V1输入高电平时，Q1和Q4导通。此时B通道输出高电平，而Q2截止使得C通道也输出高电平。同时，由于Q3导通导致了D通道输出接近48伏特的电压。考虑到之前提到的C2两端约有14V左右的电压，当Q3开始工作时会将该电压提升至高于电源电压VDD的程度，即大约62V（假设VDD为50V）。这个由电容抬升产生的高电压通过三极管Q4和二极管D1传递到Q3栅级处，从而维持了整个电路的持续导通状态。这里C2的作用是自举提升电压。 当输入信号变为低电平时，则会使得Q1和Q4截止。此时B通道输出低电平而同时开启的是Q2，它为三极管Q3提供了一条栅级放电路径（通过电阻R1）。这会导致在C2负极端的电压被拉向接近0伏特的状态，并最终使D通道也跟着切换至低电平。 二、MOSFET驱动电路 当V1和V2均为5伏时，Q1与Q4导通同时Q2截止。此时电源通过路径D2-Q4-D1-R4为三极管Q3的栅级供电使其开启；与此同时，另外一组开关（即由电阻R6、R7组成的网络）中的两个晶体管（假设是MOSFET Q6和Q7）关闭而第三个开关元件（可能是另一个MOSFET或BJT如图中所示为三极管Q8）则会打开并提供给第五个器件栅级的放电路径，从而使得该节点电压下降导致其关断。 当V1与V2均处于0伏特时的具体工作状态未在上述描述内明确提及。
     
  • 隔离式栅极驱动电路的变压器设计与仿真.pdf
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    本文档探讨了隔离式栅极驱动电路中变压器的设计方法，并通过仿真软件验证设计方案的有效性，为电力电子设备提供可靠的电气隔离和信号传输。 脉冲变压器常被用来隔离并传递功率的栅极驱动信号，其外围电路存在多种形式。本段落提出了一种新型可负压关断的拓扑电路，并进行了参数设计和仿真验证。该拓扑利用脉冲变压器来传输驱动信号和驱动功率，使用蓄能电容产生二次侧电源，并用负压电容生成关断所需的负电压，在不依赖外部辅助电源的情况下实现功率MOSFET的快速导通与负压关断功能。仿真的结果显示，相较于现有的驱动电路，该方法具有抗干扰能力强、开关速率快、开关损耗小和可靠性高等优点。
     
  • MOSFET栅极驱动电路的应用说明
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    本篇文章详细介绍了MOSFET栅极驱动电路的工作原理及其在电力电子设备中的应用，旨在帮助工程师们优化设计并解决实际问题。 MOSFET栅极驱动电路应用说明涵盖了关于如何设计和使用MOSFET栅极驱动电路的详细指南和技术细节。这份文档旨在帮助工程师更好地理解和优化MOSFET的工作性能，确保在各种电气系统中实现高效、可靠的开关操作。
     
  • MOSFET栅极驱动电路详解.pdf
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    本PDF深入解析了MOSFET栅极驱动电路的设计原理与应用技巧，涵盖工作模式、参数选择及优化方法等内容。 MOSFET栅极驱动电路这篇文档详细介绍了如何设计和实现高效的栅极驱动电路，以确保功率MOSFET在各种应用中的最佳性能。文中涵盖了关键参数的选择、工作原理以及实际案例分析等内容。读者可以从中获得关于栅极驱动技术的深入理解，并应用于具体的设计项目中。