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NAND Flash读写操作 收藏版

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简介：
《NAND Flash读写操作收藏版》全面介绍了NAND Flash存储器的工作原理及其实用技术，详细讲解了其读、写和擦除等核心操作流程。适合电子工程师和技术爱好者深入学习。 掌握Nand Flash的驱动是嵌入式开发人员的一项重要基本技能。然而，对于初次接触Nand Flash开发的新手来说，其数据手册往往难以理解，并且大多数嵌入式书籍通常忽略了对Nand Flash工作原理及读写操作的详细介绍。这份资料将为从事Nand Flash开发的人士提供很大的帮助。

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  • NAND Flash读写操作 收藏版
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    《NAND Flash读写操作收藏版》全面介绍了NAND Flash存储器的工作原理及其实用技术，详细讲解了其读、写和擦除等核心操作流程。适合电子工程师和技术爱好者深入学习。 掌握Nand Flash的驱动是嵌入式开发人员的一项重要基本技能。然而，对于初次接触Nand Flash开发的新手来说，其数据手册往往难以理解，并且大多数嵌入式书籍通常忽略了对Nand Flash工作原理及读写操作的详细介绍。这份资料将为从事Nand Flash开发的人士提供很大的帮助。
     
  • STM32F013的Flash读写操作
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    本简介详细介绍了如何在STM32F013微控制器上执行Flash存储器的读取和写入操作，包括必要的编程步骤和技术细节。 STM32F103读写内部Flash的软件经过测试，每页读写最大为1024半字或512字，均无问题。
     
  • TMS570LS系列Flash读写操作
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    简介：TMS570LS系列提供高效可靠的闪存存储解决方案，涵盖多种Flash读写操作功能。此系列微控制器支持灵活的数据处理与安全特性，适用于汽车电子和其他嵌入式系统。 ### TMS570LS系列FLASH读写操作 #### 知识点概述 本段落档针对在调试TMS570LS系列微控制器读写片内FLASH BANK0时遇到的问题进行了详细的分析与解决。TMS570LS是德州仪器(TI)推出的一款高性能安全微控制器，广泛应用于汽车电子、工业自动化等领域。该系列微控制器集成了多种安全特性，并提供了丰富的外设资源，包括片上闪存。在进行固件开发的过程中，正确地管理和操作片内闪存对于确保系统的稳定性和安全性至关重要。 #### 问题现象及原因分析 在对TMS570LS系列中的不同型号进行测试时，发现了一个共同的问题：当尝试读写BANK0时，首次执行erase操作就会触发“undefEntry”异常，导致程序异常终止。进一步分析后确定了以下几点： - **测试3137**：该型号具有BANK0和BANK1两个闪存区，其中BANK1的操作一切正常，但BANK0在初次执行erase操作时出现问题。 - **测试1224**：这款型号仅包含BANK0，在进行BANK0的第一次erase操作时出现同样的错误。 - **原因**：根据TI提供的文档（SPNU501.pdf）第2.3.4节所述，使用F021 Flash API无法直接操作自身所在的位置，即BANK0。 #### 解决方案详解 为了解决上述问题，需要对编译链接器脚本进行调整，以便将Flash API相关的代码移动到RAM中执行。具体的解决方案分为以下几个步骤： 1. **增加FLASH API内容空间分配**：在编译链接器脚本(cmd文件)中添加了新的段`FLASH_API`，用于存储Flash API相关的代码。此段定义如下： ```plaintext MEMORY { VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH_API(RX): origin=0x00000020 length= 6KB FLASH1(RX): origin=... // 具体大小根据微控制器型号而定 SRAM(RW): origin=... STACK(RW): origin=... } SECTIONS { .intvecs:{} >VECTORS flashAPI: { ..DebugupdatesrcFapi_UserDefinedFunctions.obj(.text) ..Debugupdatesrcbl_flash.obj(.text) --library=..updatelibF021_API_CortexR4_BE.lib< FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj FlashStateMachine.SetActiveBank.obj FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj FlashStateMachine.EnableMainSectors.obj Init.obj Utilities.CalculateEcc.obj Utilities.WaitDelay.obj Utilities.CalculateFletcher.obj Read.MarginByByte.obj Read.Common.obj Read.FlushPipeline.obj Async.WithAddress.obj Program(obj>(.text) } load=FLASH_API, run=SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size) .text>FLASH1 .const>FLASH1 .cinit>FLASH1 .pinit>FLASH1 .data>SARM .bss>SARM } ``` 这里定义了`FLASH_API`段的起始地址为0x00000020，长度不超过6KB，并将所有Flash API相关的对象文件和库文件链接到这个段。 2. **实现从FLASH复制API到RAM的汇编函数**：为了确保Flash API能够顺利执行，在`sys_core.asm`文件中添加一个用于将Flash API从闪存复制到RAM中的汇编函数`_copyAPI2RAM_`。具体实现如下： ```assembly ;------------------------------------------------------------------------------- ; Copy the Flash API from flash to SRAM. ; .def _copyAPI2RAM_ .asmfunc _copyAPI2RAM_ .ref api_load flash_load.word api_load .ref api_run flash_run.word api_run .ref api_size flash_size.word api_size ldr r0, =flash_load ldr r1, =flash_run ldr r2, =flash_size add r2, r1, r2 copy_loop1: ldr r3, [r0], #4 str r3, [r1], #4 cmp r1, r2 blt copy_loop1 bx lr .endasmfunc ;------------------------------------------------------------------------------- ``` 此函数通过循环从闪存中的`api_load`地址复制数据到RAM中的`api_run`地址，直到复制完`api_size`指定的大小为止。 3. **在启动代码中调用复制函数**：最后一步是在系统启动代码(`sys_startup.c`)中调用上述定义的`_copyAPI
     
  • mini2440 NAND Flash 读写源码及手册
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    本资源包含针对mini2440开发板的NAND Flash读写操作的完整源代码和详细使用手册，帮助开发者掌握其驱动程序的编写与调试技巧。 在嵌入式系统开发领域，Mini2440是一款基于S3C2440处理器的开发板，广泛应用于教学与原型设计之中。这款ARM920T核心处理器内置了NAND Flash控制器，便于开发者直接进行硬件上的读写操作。作为一种非易失性存储器，NAND Flash由于其大容量、低功耗及低成本的特点，在各种嵌入式设备中得到广泛应用，例如手机、数字相机和SSD固态硬盘。 “mini2440的nandflash读写源码”指的是专为Mini2440开发板设计的NAND Flash驱动程序代码。这些C语言编写的代码涵盖了初始化过程、地址映射功能、ECC校验机制以及坏块管理策略，同时提供了页面级别的读取和写入操作方法。通过研究此类源代码，开发者能够深入了解NAND Flash底层的操作原理，并掌握与硬件接口的交互技巧。 关于nandflash手册，则可能是指S3C2440处理器相关的官方文档或第三方指南，详细说明了如何在Mini2440上使用NAND Flash控制器进行操作。这些资料通常包括电气特性、命令规范以及错误处理策略等信息，并指导开发者正确配置和利用该芯片的NAND功能模块。 压缩文件列表中的“说明.pdf”可能包含详细的步骤指引或示例代码解析，帮助用户更好地理解如何在Mini2440上实现对NAND Flash的操作。而“K9F2G08X0C_0.1.pdf”则是针对三星生产的特定型号的NAND Flash芯片（如容量为128MB的K9F2G08）的数据手册，详细列出了该设备的技术参数、操作模式及电气特性等信息。这些文档对于驱动程序开发至关重要。 “nandflash.zip”可能包含一个完整的NAND Flash驱动程序包，除了源代码外还包含了Makefile文件和配置工具等辅助资源，便于开发者进行编译与测试工作。通过研究该压缩包的内容，可以快速实现Mini2440上对NAND Flash的读写功能。 以上提供的资料为学习及开发Mini2440上的NAND Flash驱动程序提供了全面的支持体系，从硬件接口、代码编写到具体的操作指南和实例都有涵盖。深入理解这些内容有助于开发者掌握NAND Flash的工作原理，并在嵌入式系统中实现高效可靠的存储解决方案。
     
  • STM32F2XX内部Flash的读写操作
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    本文档介绍了如何在STM32F2XX系列微控制器上进行内部Flash存储器的数据读取和写入操作，包括相关库函数的使用方法及注意事项。 stm32f2xx内部flash读写的测试已经通过并可用。
     
  • MPC5744P内建Flash的读写操作
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    本文探讨了针对MPC5744P芯片内部集成的Flash存储器进行高效读写操作的方法和技术，旨在帮助开发者充分利用其内存资源。 MPC5744P内部Flash读写示例的具体说明可以参考相关文章。该文章详细介绍了如何操作MPC5744P芯片的内部闪存进行读写，提供了实用的技术指导和代码示例。
     
  • STM32F103C8T6 内部Flash的读写操作
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    本文章介绍了如何在STM32F103C8T6微控制器上进行内部Flash存储器的读取和写入操作，包括编程方法与注意事项。 STM32F103C8T6 内部Flash读写涉及对微控制器内部存储器的操作。通过编程可以实现数据的存取功能，这对于需要长期保存配置信息或者程序代码的应用非常重要。在进行Flash操作时，需要注意遵循特定的数据手册规范以确保不会损坏存储介质，并且要注意处理可能发生的错误情况，如写入保护或硬件故障等异常状态。
     
  • STM32F103内部Flash的读写操作
    优质
    本文介绍了如何在STM32F103微控制器上执行内部Flash存储器的读取和写入操作，包括编程接口及注意事项。 STM32F103系列微控制器基于ARM Cortex-M3内核，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，适用于各种嵌入式系统设计。其内部包含可编程的Flash存储器用于存放程序代码、配置数据以及非易失性数据。 **一、Flash概述** STM32F103的内置Flash主要用于保存应用程序和一些重要设置信息，在执行时自动读取指令并运行，具有较快访问速度但不及RAM快。该内存划分为不同扇区以支持特定擦除与写入操作需求。 **二、读取方法** 从Flash中读取数据只需配置好地址及控制寄存器，并通过APB2总线上的接口即可完成。程序执行过程中，CPU会自动加载并运行存储于其中的指令。 **三、写入流程** 向STM32F103的内部Flash写入新内容前需先进行擦除操作。该微控制器支持整扇区和页两种方式来清除指定区域的数据；前者适用于删除整个应用，后者适合程序执行期间更新少量代码片段。每次写入必须以字节或半字形式对齐，并且只能在完成擦除之后才能成功实施。 **四、EEPROM仿真** 由于Flash的读写次数有限制，不宜频繁进行此类操作来模拟EEPROM功能。可以通过软件手段使用一部分专用区域作为临时存储空间，实现类似于非易失性内存的数据管理机制，在不影响程序运行的情况下达到类似效果。 **五、串口指令封装** 通过串行通信接口发送特定命令可以远程控制STM32F103的Flash操作，方便了调试和验证过程。这些命令通常包括地址设定、数据传输以及执行具体任务等步骤。 **六、安全保护措施** 为了确保内部存储器的安全性，该微控制器提供了多种防护机制：例如利用选项字节设置密码避免未经授权访问，并通过Boot锁位防止非法程序干扰启动顺序。 **七、开发工具支持** 在使用Keil MDK或STM32CubeIDE等集成环境时，可以方便地调用Flash编程API简化相关代码编写工作。这些平台还提供调试功能帮助检查和验证实际操作情况。 **八、性能优化策略** 对于需要频繁写入Flash的应用场景而言，采取适当的缓存策略以减少真实写入次数有助于延长其使用寿命；同时理解擦除与编程时间对提高整体程序效率也非常重要。 熟悉如何正确读取及修改STM32F103的内部Flash是嵌入式开发中的基础技能。利用串口指令封装可以实现远程控制和验证，从而提升工作效率并确保系统稳定可靠运行。
     
  • NAND FLASH擦除与读写测试程序
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    本程序针对NAND FLASH存储器设计，提供高效的擦除、读取及写入功能测试，确保数据存取的可靠性和稳定性。 NAND FLASH的擦除、读写测试程序主要用于验证NAND FLASH存储设备的功能是否正常，包括对芯片进行初始化设置、执行擦除操作以及读写数据的操作，并通过这些步骤来检查其性能和稳定性。这类程序对于确保电子产品的可靠性和延长使用寿命具有重要作用。
     
  • 51单片机的Flash读写操作
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    本教程详细介绍了在51单片机上如何进行Flash存储器的读取和写入操作，包括相关的编程技巧与注意事项。适合嵌入式系统开发人员学习参考。 单片机采用的是Microchip公司的八位单片机flash K9F1208U0M。