Advertisement

紫外至真空紫外光电倍增管的量子效率校准

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型:None


简介:
本文介绍了紫外至真空紫外波段光电倍增管的量子效率校准方法,通过实验探讨了不同条件下量子效率的变化规律及影响因素。 为了评估光电倍增管的性能并确保其符合空间遥感仪器在轨应用的需求,我们构建了一套基于标准真空光电管的量子效率定标系统。这套系统包括氘灯、真空紫外单色仪以及光电倍增管等设备,并依据阴极量子效率测量原理改造了光电倍增管,使其成为无电子束倍增功能的标准光电管,实现了从标准真空光电管到R2078光电管的量子效率传递。 在此基础上,在国内首次直接测定了150至300纳米紫外-真空紫外波段内R2078光电管的量子效率。测量结果显示:由于该光电管采用融石英作为窗口材料,其在155纳米处透过率最低,导致该波长下的量子效率也最小;而在230纳米波长下测得的最大值则是整个测试范围内最高的。 最后对所获得的数据进行了不确定度分析和估计,并得出总的合成不确定度为3.4%。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
  • 优质
    本文介绍了紫外至真空紫外波段光电倍增管的量子效率校准方法,通过实验探讨了不同条件下量子效率的变化规律及影响因素。 为了评估光电倍增管的性能并确保其符合空间遥感仪器在轨应用的需求,我们构建了一套基于标准真空光电管的量子效率定标系统。这套系统包括氘灯、真空紫外单色仪以及光电倍增管等设备,并依据阴极量子效率测量原理改造了光电倍增管,使其成为无电子束倍增功能的标准光电管,实现了从标准真空光电管到R2078光电管的量子效率传递。 在此基础上,在国内首次直接测定了150至300纳米紫外-真空紫外波段内R2078光电管的量子效率。测量结果显示:由于该光电管采用融石英作为窗口材料,其在155纳米处透过率最低,导致该波长下的量子效率也最小;而在230纳米波长下测得的最大值则是整个测试范围内最高的。 最后对所获得的数据进行了不确定度分析和估计,并得出总的合成不确定度为3.4%。
  • 刻物镜组合梯度膜设计
    优质
    本研究聚焦于极紫外光刻技术中物镜的设计优化,特别探讨了通过创新的组合倍率与梯度膜技术来改善光学性能的方法。 随着10纳米以下光刻技术的发展,极紫外(EUV)光刻物镜正朝着超高数值孔径(NA)和组合倍率设计的方向进化。这导致了入射角及范围的显著增加,传统的规整膜和横向梯度膜已经无法满足这类系统的反射率与成像质量需求。 为解决这一问题,我们提出了一种横纵梯度膜结合的方法:利用横向梯度膜来提升反射率,并通过纵向梯度膜优化反射均匀性同时补偿由横向梯度膜引入的像差。我们将这种方法应用于一套数值孔径(NA)为0.50的组合倍率EUV光刻物镜的设计中,结果显示,在保持系统成像性能不变的前提下,每面反射镜平均反射率超过60%,且所有镜子的最大和最小反射值差异均低于3.5%。这表明该方法满足了光刻技术的要求,并验证了横纵梯度膜结合法的有效性。
  • -可见吸收
    优质
    紫外-可见吸收光谱是一种通过测量物质在紫外和可见光区域对不同波长光的吸收程度来分析其组成成分及结构的光谱技术。 紫外可见吸收光谱是一种用于研究物质对紫外线及可见光线的吸收特性的分析技术。这种技术主要关注分子内电子从低能级向高能级跃迁的过程,属于电子光谱范畴。在有机化合物中,不同的分子结构决定了电子跃迁的可能性和所需的能量。 紫外吸收光谱中的电子跃迁主要包括σ→σ*、n→σ*、π→π*以及n→π*四种类型。其中,σ→σ*跃迁发生在远紫外线区域,通常位于150纳米附近;然而大多数的紫外可见光谱仪无法检测到这一波段。n→σ*跃迁则出现在230至150纳米之间,并常见于含-OH、-NH₂、-X及-S等基团的分子中。 π→π*和n→π*跃迁分别对应E1带与K(E2)带,以及R带。前者通常涉及芳香环或共轭多烯结构中的电子跃迁,在紫外区域的吸收峰大约在190至250纳米;后者则出现在含羰基、硫酮及硝基等官能团化合物中,波长范围为200至400纳米。 根据朗伯-比尔定律,吸光度A与溶液浓度c、摩尔吸光系数ε以及吸收池厚度l之间存在线性关系:A = lg(I₀/I) = εlc。这一原理是紫外可见吸收光谱定量分析的基础。 此外,分子内部的共轭效应、空间位阻和溶剂化作用等都可能影响到谱带的位置(蓝移或红移)、强度变化以及精细结构的变化情况。例如,在极性溶剂中进行π→π*跃迁时能量会降低,导致吸收波长向较长方向移动;相反地,n→π*跃迁的能量则会上升,使光谱峰位变短。 选择合适的溶剂非常重要:它应当避免自身在紫外区域的吸收,并且实验记录应注明所使用的具体溶剂类型以确保结果准确性和可比性。通过识别特定的吸收带和理解不同条件下的变化规律,可以推断出有机化合物的具体结构信息、官能团种类等关键细节,在化学反应机制研究、物质鉴定及药物分析等领域具有重要意义。
  • 关于深薄膜材料学常数研究
    优质
    本研究探讨了深紫外及紫外波段薄膜材料的光学性质,旨在通过精确测量与计算获得其光学常数,为高性能光电子器件的设计提供理论支持。 为了进一步明确氟化薄膜材料在深紫外至紫外波段(DUV-UV)的光学常数,本段落研究了六种常用的大带隙氟化物薄膜材料,并分别在熔石英(JGS1)基底和氟化镁单晶基底上通过热舟蒸发法镀制了三种高折射率材料薄膜:LaF3、NdF3、GdF3以及三种低折射率材料薄膜:MgF2、AlF3、Na3AlF6。使用商用Lambda900光谱仪测量了这些薄膜在190~500 nm范围内的透射率曲线;通过包络法和迭代算法结合,研究了它们的折射率与消光系数,并利用柯西色散公式及指数色散公式对得到的数据进行最小二乘拟合。最后得到了六种材料在此波段内的折射率和消光系数的色散方程及其相应的色散曲线。实验结果与已发表文献中的MgF2和LaF3的结果一致,证明了本段落研究结论的可靠性。
  • 谱分辨Offner成像谱仪设计
    优质
    本研究设计了一种基于Offner架构的高光谱分辨率紫外成像光谱仪,旨在优化光学系统以实现卓越的图像质量和高精度光谱分析能力。 紫外成像光谱仪是遥感探测仪器的重要组成部分之一,在机载和星载领域,遥感平台正逐步要求光谱仪在实现高分辨率的同时,设备趋于轻量化和小型化。针对紫外成像光谱仪的这些特点,我们研究了基于Offner结构的紫外成像光谱系统,并设计了一种工作波段为250~400 nm、狭缝长40 mm、光谱分辨率为0.3 nm的高分辨率紫外成像光谱仪。分析结果显示,在38.5 lp/mm处调制传递函数达到0.76以上,实现了接近衍射极限的优良成像质量;同时,该设计下的系统在像元尺寸10%以内控制了谱线弯曲和色畸变。 此外,我们在此基础上缩小了原Offner结构系统的体积,从而满足紫外遥感仪器小型化、轻量化的要求,并且易于加工及装调。这一设计方案符合机载和星载遥感应用的需求。
  • 线刻机使用手册
    优质
    《紫外线光刻机使用手册》是一份详尽的操作指南,旨在帮助用户掌握UV光刻技术的各项要点。从设备安装、调试到实际操作和维护保养,本书提供了全面而实用的信息,是从事微纳加工的科研人员及工程师不可或缺的手册。 感谢您选购我们的紫外光刻机设备,请在使用前仔细阅读本说明书。
  • AT32ICM42 线防护
    优质
    AT32ICM42是一款专为紫外线防护设计的产品,采用先进材料和技术,有效阻挡有害UV辐射,保护用户免受紫外线伤害。 AT32ICM42zitai这段文字看起来并不包含任何需要删除的联系信息或链接,所以无需进行改动。如果这是某个产品或者技术名称的一部分,请提供更多的上下文以便我能更好地帮助您重写相关内容。目前文本保持原样:“AT32ICM42zitai”。
  • 刻机源技术研究
    优质
    《极紫外光刻机光源技术研究》一文深入探讨了用于先进半导体制造中的极紫外(EUV)光刻技术的关键光源问题,分析当前EUV光源的技术挑战与解决方案,并展望未来的发展趋势。 极紫外光刻机光源技术是一种先进的制造工艺,用于半导体器件的生产。这种技术利用波长在13.5纳米左右的极紫外光作为曝光源,在晶圆上绘制出精细电路图案,从而实现更小、更快的芯片制造。这项技术是当前集成电路领域的一个重要突破,对于推动整个行业的进步具有重要意义。
  • 等离体极线源中主脉冲
    优质
    本研究聚焦于放电等离子体产生的极紫外线光源系统中主脉冲电源的设计与优化,探讨其工作原理及应用前景。 放电等离子体极紫外光源是一种利用放电产生的等离子体辐射出极紫外光(EUV)的光源,在微电子产业中的下一代光刻技术中扮演关键角色。本研究的重点是主脉冲电源,该组件对产生高强度脉冲放电等离子体至关重要。 设计这样的主脉冲电源对于提升整个系统的性能具有决定性影响。它需要满足高电压和大电流的要求(例如30kV的电压、40kA的电流),以及200ns宽度的短脉冲,同时还要具备在高频环境下工作的能力。实现这些要求通常涉及串联多个电容器以储存并快速释放大量能量。 电源的设计取决于其拓扑结构,文中提到了两个关键组件:C1(容量为2F)和C0(容量为120F),它们负责存储必要的电能。IGBT器件在高功率应用中被广泛使用,并且能够在高频下工作,以精确控制脉冲电流的大小。主脉冲电源通常通过串联或并联的方式连接多个IGBT来满足大电流需求,同时还需要考虑元件耐压和散热问题。 磁脉冲压缩技术可以进一步增强放电等离子体光源的能力。这项技术能够将初始低强度的电流转换为高强度、短时间宽度的脉冲形式,从而提升电源的整体性能。文中描述了使用储能电容器、初级线圈、次级线圈以及磁性开关元件来实现这一过程的具体方法。 实验结果表明,在采用合适的配置方案后,可以显著提高输出脉冲的质量和能量水平。例如,通过合理设计每级的压缩单元,最终能够得到350kA电流强度且持续时间为5ns的脉冲信号。分析不同气压条件下电容器电压波形与主脉冲电流波形之间的关系对于优化电源性能具有重要意义。 为了深入理解极紫外光源中的关键组件技术细节和最新进展,研究人员通常会参考一些重要的学术论文。这些文献不仅提供了背景信息还涵盖了最新的研究成果,为相关领域的工程师们提供宝贵的参考资料和支持。 在实际应用中需要注意的关键参数包括储能电容器的充电电压、脉冲电流强度及持续时间长度、重复频率以及输出电压稳定性等指标。所有这些都是确保放电等离子体光源稳定性和高质量所必需考量的因素。 综上所述,主脉冲电源对于极紫外光刻技术的发展至关重要,其设计和优化直接影响到整个系统的性能与可靠性。通过深入研究这些核心组件的工作原理和技术参数,可以进一步推动该领域内的技术创新和发展进程。
  • 投影刻镜头设计
    优质
    《极紫外投影光刻镜头设计》一文聚焦于探讨先进的极紫外(EUV)技术在微电子制造中的应用,详细介绍了EUV投影光刻镜头的设计原理、技术挑战及解决方案。 极紫外投影光刻技术利用14纳米波长的电磁辐射,在实现高分辨率的同时保持较大的焦深范围,有望成为制造超大规模集成电路下一代的关键光刻技术。该技术采用步进扫描方式,并使用全反射、无遮挡且缩小的环形视场投影系统。设计此类系统的初始结构具有挑战性但至关重要。 文中介绍了一种近轴搜索方法来确定这种无遮挡投影系统的初始参数,包括像方远心、物方准远心、固定放大率以及Petzval条件和物像共轭关系等约束条件下,通过计算得出第一面反射镜、最后一面反射镜及光阑所在反射镜的曲率,并且明确了物距与像距。利用这种方法编写了搜索程序以获取初始结构。 基于此方法设计出了两种不同配置的光学系统: - 第一种由四个反射镜组成,数值孔径为0.1,像方视场尺寸为26毫米×1毫米,畸变控制在10纳米以内,并且分辨率能达到优于每毫米6000个周期。 - 另一套则包含六个反射镜,在相同的视野条件下,提高了数值孔径至0.25,同时将畸变降低到3纳米以下,使得其分辨能力达到每毫米超过18,000个周期。