本文档详细介绍计算机组成原理课程中的静态随机存储器实验内容，包括实验目的、原理、操作步骤及注意事项等。
静态随机存储器（SRAM）实验是计算机组成原理教学中的重要环节之一，其目的是让学生掌握SRAM的工作特性和数据读写的操作方法。
在该实验中使用的设备包括TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套以及若干导线。6116型半导体静态存储器被用于本实验，它由2K×8构成，并且它的地址线与地址锁存器（74LS273）连接在一起；数据线则接至数据总线上。
SRAM的控制信号包括CE、OE和WE三个引脚。当片选有效（即CE=0），并且读取操作时，需要使能OE信号（此时为0）。而写入操作则是通过将WE置为低电平来完成的，在本实验中则设定为保持OE接地，因此6116的引脚信号在WE=1时进行读取操作，在WE=0时执行写入。具体来说，当CE和WE都设置成相应的值，并且有T3脉冲到来的时候，可以对存储器进行数据存取。
实验内容主要包括以下两个方面：
- 向指定地址单元输入数据
- 从指定地址中读出数据
在实际操作过程中，需要按照一定的步骤来完成上述任务。比如向00号位置写入11的数据时，首先设置SW-B为1，并将二进制数“00”通过开关送至寄存器；然后打开输入三态门（即令SW-B变为0），接着把地址值加载到锁存器中并触发T3脉冲。接下来，同样地准备写入数据11：设置好相应的输入条件后，使CE和WE分别变成低电平，并且再次发送一个T3脉冲以将信息存储至内存单元。
通过这个实验，学生能够深入理解SRAM的工作机制及其实际应用中的操作方式。
5星
