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homework_6_hspice_tsmc_

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简介：
该作业内容涉及使用HSPICE软件进行TSMC工艺下的电路仿真与设计分析，涵盖参数设置、模型建立及性能评估等环节。 使用HSPICE软件及TSMC 0.18μm CMOS工艺模型，在1.8V电源条件下绘制了NMOS器件的亚阈值电流IDSUB与背栅电压VBS以及饱和电流IDSAT与VBS的关系图。其中，NMOS器件尺寸为W=400nm和L=200nm，VBS范围设定在从0到-2.0 V之间。

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    该作业内容涉及使用HSPICE软件进行TSMC工艺下的电路仿真与设计分析，涵盖参数设置、模型建立及性能评估等环节。 使用HSPICE软件及TSMC 0.18μm CMOS工艺模型，在1.8V电源条件下绘制了NMOS器件的亚阈值电流IDSUB与背栅电压VBS以及饱和电流IDSAT与VBS的关系图。其中，NMOS器件尺寸为W=400nm和L=200nm，VBS范围设定在从0到-2.0 V之间。