深亚微米工艺EEPROM单元的强化设计及其在辐照环境下的性能。

简介：
当普通EEPROM存储单元在太空中运行时，会受到辐射效应的显著影响，进而导致其可靠性降低并缩短使用寿命。为了解决这一问题，针对0.18μm工艺制程，设计了一种新型的抗辐射EEPROM存储单元。该新单元采用了环形栅和场区隔离管加固结构，从而有效提升了其性能。经过加固后，单元的面积缩小至9.56μm2，并且其抗总剂量效应的能力超过1500 Gy，在抗辐射能力方面明显优于传统结构的设计。为了深入理解失效的具体机制，基于该新单元结构在辐照条件下获得的阈值退化曲线进行分析，并对辐照效应如何影响存储单元进行了研究，同时将其与普通单元的辐照效应进行了对比。实验结果表明：总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电以及在场氧环境下发生的漏电现象是深亚微米工艺EEPROM失效的主要原因。