EUV Lithography 2018

简介：
EUV Lithography 2018会议聚焦极紫外光刻技术的最新进展与挑战，涵盖材料、设备及工艺创新，推动半导体制造向7纳米及以下节点迈进。 极紫外光刻（EUVL）是继当前193纳米光学光刻技术之后的主要光刻工艺，旨在制造计算机芯片，并在多个领域取得了进展：包括光源、扫描仪、光学元件、污染控制、掩模及掩模处理和抗蚀剂。这本书涵盖了所有与EUVL相关的基础和技术最新状态的各个方面。 自2008年SPIE Press出版了第一版《极紫外光刻技术》以来，EUVL作为下一代光刻技术的选择已经取得了许多进展。在2008年时，虽然EUVL被视为有潜力取代用于高端计算机芯片制造中的193纳米光学光刻工艺的候选方案之一，并非所有人都对此表示认同。从193纳米转向13.5纳米波长是一个比以往尝试过的更大跨度的技术飞跃，带来了许多在光源、扫描仪、掩模处理及管理、光学元件、光学计量学、抗蚀剂材料和污染控制等领域的挑战。 这些难题已被有效解决，并且几家领先的芯片制造商已经宣布自2018年起将EUVL技术引入大规模生产。本书汇集了世界顶级的极紫外光刻研究者，为从业者以及希望对这一领域有所了解的人士提供了关键信息。 人们对EUVL技术的兴趣持续增长，这本书为理解并应用这项令人兴奋的技术奠定了基础。无论是从事该领域的某一方面工作还是学生阅读都会发现此书极具价值。