本文档为《模拟电子技术基础》课程的知识点总结，全面覆盖了教材中的核心概念和应用实例，适合学生复习及巩固知识使用。
### 模拟电子技术基础知识点总结
#### 第一章 半导体二极管
##### 一、半导体的基础知识
1. **定义**: 半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体包括硅（Si）和锗（Ge）。
2. **特性**:
- 光敏性: 在光的作用下其电性能会发生变化。
- 热敏性: 温度的变化会影响它的电性能。
- 掺杂性: 可以通过掺入特定杂质来改变导电能力。
3. **本征半导体**: 是指纯净且具有单晶体结构的半导体材料。
4. **载流子**:
- 电子: 带负电荷。
- 空穴: 实际上是由于缺少一个电子而形成的正电荷载体。
5. **杂质半导体**: 在本征半导体中掺入微量杂质形成，主要通过掺杂特性实现。
- P型半导体: 掺入三价元素（如硼），多子为**空穴**，少子为**电子**。
- N型半导体: 掺入五价元素（如磷），多子为**电子**，少子为**空穴**。
6. **杂质半导体的特性**
- 载流子浓度：多子浓度由掺杂决定，而少子则随温度变化。
- 体电阻：指材料自身的电阻值。
- 结构转变: 改变掺杂类型可以实现从P型到N型的变化。
7. **PN结**
- 接触电位差: 硅约为0.6~0.8V，锗为0.2~0.3V。
- 单向导通性：正偏时导通，反偏时截止。
- 伏安特性
- 正向压降: 硅管约0.6-0.7V, 锗管约0.2-0.3V。
- 死区电压: 硅管约为0.5V，锗为0.1V。
8. **二极管的分析方法**
- 图解法：通过伏安特性曲线确定静态工作点。
- 微变等效电路法：适用于小信号分析, 考虑动态电阻的影响。
9. **稳压二极管及其应用**
- 特性: 稳定电压，一般用于电源中的稳定元件，在反向击穿区运作。
#### 第二章 三极管和基本放大电路
##### 一、三极管的结构与类型
1. 类型：NPN 和 PNP 型。
2. 结构特点：
- **基区**薄，掺杂浓度低；
- **发射区**高且接触面积小;
- **集电区**也较高但接触面积大。
##### 二、三极管的工作原理
1. 组态：共射（最常用）、共基和共集。
2. 内部电流分布：
- 输入特性曲线: 类似于PN结的伏安特性；
- 输出特性曲线: 描述不同发射极电流下的集电极电压与电流关系。
3. 共射电路
- 特性：输入、输出和温度影响。
##### 三、低频小信号等效模型
1. **参数**：
- 输入电阻（hie）；
- 正向传输比（hfe，β值）；
2. 简化分析方法：适用于小信号的简化电路图。
##### 四、基本放大电路组成及其原则
1. 组成元件:
- VT: 三极管。
- VCC: 工作电压；
- Rb, Rc : 偏置电阻和负载电阻;
- C1，C2：耦合电容。
2. 设计原则：
- 放大信号而不失真
- 确保信号传输到负载
3. 分析方法:
- 直流通路与静态分析: 静态工作点。
- 交流通路与动态分析：放大过程；
通过以上总结，可以了解到《模拟电子技术基础》主要涵盖了半导体基础知识、二极管特性及应用、三极管结构和运作原理以及基本放大电路的设计等方面的内容。这些知识是理解并掌握模拟电子技术的基础。
5星
