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基于Simulink的忆阻器建模(2014年)

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简介:
本研究于2014年开展,采用Simulink工具对忆阻器进行建模和仿真分析,旨在深入探索其电气特性和应用潜力。 为了使忆阻器能够与其他器件相结合,本段落在惠普实验室提出的忆阻器物理模型电路关系的基础上,在Simulink中采用两种方法对忆阻器进行了双端口建模,从而方便且准确地实现了对于忆阻器的仿真。相较于编写M文件、构建图形用户界面和搭建输入输出模型的传统方法,基于Simulink的双端口模型不仅能够直观展示忆阻器的输入输出特性,还具有更广泛的应用前景,对忆阻器的研究提供了重要的指导作用。

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客服
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  • Simulink2014
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    本研究于2014年开展,采用Simulink工具对忆阻器进行建模和仿真分析,旨在深入探索其电气特性和应用潜力。 为了使忆阻器能够与其他器件相结合,本段落在惠普实验室提出的忆阻器物理模型电路关系的基础上,在Simulink中采用两种方法对忆阻器进行了双端口建模,从而方便且准确地实现了对于忆阻器的仿真。相较于编写M文件、构建图形用户界面和搭建输入输出模型的传统方法,基于Simulink的双端口模型不仅能够直观展示忆阻器的输入输出特性,还具有更广泛的应用前景,对忆阻器的研究提供了重要的指导作用。
  • 与高精度值读写电路设计研究(2014
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    本研究聚焦于忆阻器模型建立及其高精度读写电路的设计,深入探讨了忆阻器在存储和计算中的应用潜力,力求提高忆阻器系统的性能和可靠性。 我们设计了一种荷控忆阻器的理论模型,并使用现有的电路元件进行构建。由于将忆阻器应用于存储器、神经网络及信号处理等领域需要其具备读取与写入功能,而当前多数忆阻器仅能执行数字量(0和1)的操作,缺乏模拟量操作的能力。因此,我们利用荷控忆阻器的电荷特性提出了一种方法来读取其模拟值,并且根据该器件的频率特性设计了一个反馈式电路用于写入任意范围内的模拟数据。仿真结果证实了所提方案的有效性。
  • Simulink与GUI设计
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    本文介绍了忆阻器在Simulink环境下的建模方法及其图形用户界面的设计过程,旨在为忆阻器的研究者提供实用工具。 本段落研究了惠普忆阻器的电荷控制与磁通量控制模型,并构建了一个Simulink仿真模型以展示其特性,同时提供了相应的仿真结果。此外,设计了一种基于MATLAB的图形用户界面,能够直观地展现忆阻器的特点。通过该界面,使用者可以选择或设定输入电压类型及参数、以及忆阻器模型的相关参数,从而便捷地观察输出结果。这种方法为人们更直观地学习和研究忆阻器提供了一个有效途径。
  • memristive_MNNs_code.zip__matlab_型_神经网络同步性实现
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    本资源包包含用于研究和仿真基于忆阻器的神经网络(MNN)的相关MATLAB代码,重点在于实现忆阻器模型及其在神经网络同步性中的应用。 构建了一个简单的忆阻神经网络的MATLAB模型,并设计了自适应控制器以实现驱动-响应同步。
  • Matlab与分析:求解方程并生成Matlab代码-_matlab项目
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    本项目利用MATLAB进行忆阻器建模与分析,包括求解忆阻器方程和编写相关代码。旨在深入研究忆阻器特性及其应用潜力。 忆阻器有多种型号,在给定的文件中提供了具有Joglekar窗和Prodromakis窗的忆阻器的Matlab非线性边界漂移模型。通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程,可以选择上述模型之一。
  • 型:用MATLAB进行
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    本简介探讨了利用MATLAB软件工具对记忆电阻器(忆阻器)建模与仿真研究,旨在深入理解其工作原理和特性。 记忆电阻器(忆阻器)是继传统元件R、L 和 C之后的第四种基本无源非线性元件。忆阻器的概念由LO Chua在1971年提出,但直到最近才被HP实验室的研究人员重新发现并引起关注。预计其将在理论研究和纳米电子行业中产生重大影响。本段落是在Simulink/Matlab环境中对忆阻器进行模拟,并采用了Dmitri B. Strukov等人及自然杂志与Yogesh N. Joglekar等人的研究成果中的参数值构建模型。
  • Simulink3D型仿真(SolidWorks 2014)
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    本项目采用SolidWorks 2014软件创建复杂三维机械结构,并运用MATLAB Simulink进行动力学仿真分析,实现高效的设计验证与优化。 使用SolidWorks 2014绘制3D模型后,可以导出为.xml文件。然后在MATLAB 2016中运行指令smimport(xx.xml)来导入该文件。接着点击Simulation下的Update Diagram即可查看到3D模型。
  • MULTISIMN型拟仿真
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    本研究利用MULTISIM软件平台,对N型忆阻器进行建模与仿真分析,探讨其电导状态变化特性及潜在应用价值。 基于MULTISIM的N型忆阻器仿真显示了良好的结果。