MOS管与IGBT管的区别在哪里呢？

简介：
本文探讨了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）之间的区别，包括工作原理、性能特点及应用场景。 在电子电路设计中，MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是常见的开关元件选择。尽管它们在外形及特性参数上有相似之处，但在实际应用中的使用场景却有所不同。 什么是MOSFET？场效应管主要分为两种类型：结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)，后者又被称为金属-氧化物半导体晶体管。由于这种类型的晶体管的控制电极（即栅极）被一层绝缘材料隔离，因此得名。 MOSFET可以进一步细分为N沟道耗尽型、增强型；P沟道耗尽型和增强型四大类。在一些特定型号的MOSFET中，内部还集成有一个二极管，称为体二极管或寄生二极管，在电路设计中有其独特的作用。 关于寄生二极管的功能存在两种解释： 1. 在电源电压（VDD）过高的情况下保护MOSFET免受损坏。当出现过高电压时，该内置的反向偏置二级会首先发生击穿并导通，将电流直接引到地端，从而防止了对MOSFET本身的损害。 2. 防止源极和漏极之间误接导致器件烧毁，并且在电路中产生逆变电压时提供放电路径以避免反向。