该设计方案实现了数兆赫兹功率级别的电路方案

简介：
本设计提出了一种高性能电路方案，能够有效处理数兆赫兹级别的大功率需求，适用于高频高能场景。 此参考设计采用 LMG1210 半桥 GaN 驱动器及 GaN 功率高电子迁移率晶体管 (HEMT) 构建了一个数兆赫兹级别的功率级方案，具备高效的开关性能与灵活的死区时间调节功能。这不仅显著提高了功率密度，还保证了良好的效率和宽广的控制带宽。该设计适用于需要快速响应且空间受限的各种应用场合，例如 5G 电信电源、服务器及工业电源等。 其特点包括基于 GaN 的紧凑型功率级方案，支持高达 50MHz 的开关频率；高侧与低侧独立或单一 PWM 输入的可调节死区时间设置；最小脉冲宽度为3ns；具备300V/ns高压摆率抗扰性的驱动器以及欠压锁定 (UVLO) 和过热保护功能。