Advertisement

LPDDR4与LPDDR4X的上电时序和初始化详解（中文版）.pdf

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
本PDF详细解析了LPDDR4及LP DDR4X内存模块的上电顺序与时序控制，包括初始化流程和关键参数设置方法。适合工程师参考学习。 LPDDR4 和 LPDDR4X 的设计详解第一部分将重点介绍上电时序及初始化过程。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • LPDDR4与LPDDR4X的上电时序和初始化详解（中文版）.pdf
    优质
    本PDF详细解析了LPDDR4及LP DDR4X内存模块的上电顺序与时序控制，包括初始化流程和关键参数设置方法。适合工程师参考学习。 LPDDR4 和 LPDDR4X 的设计详解第一部分将重点介绍上电时序及初始化过程。
     
  • Micro Automotive LPDDR4 和 LPDDR4X SDRAM
    优质
    本产品介绍围绕Micro Automotive LPDDR4和LPDDR4X SDRAM内存芯片展开，深入解析其技术特性、性能参数及其在汽车电子中的应用优势。 【Micro Automotive LPDDR4LPDDR4X SDRAM】是一种专为汽车应用设计的低功耗内存解决方案，它集成了LPDDR4和LPDDR4X两种标准，具有高效率和低电压的特点，以满足现代车载电子系统对高性能、低能耗的需求。 在这款内存中，LPDDR4X 0.6V VDDQ操作是其特色之一。这意味着该技术能够在保持性能的同时降低IO电源电压，从而减少功耗。当作为LPDDR4设备使用时，用户应参考数据手册中关于LPDDR4 1.10V VDDQ的设置部分。 内存的关键特性包括： 1. **超低电压核心和IO电源**：VDD1的工作范围在1.70V到1.95V之间，标称值为1.80V；VDD2在1.06V到1.17V之间，标称值为1.10V；而VDDQ有两种模式，标准模式的电压范围是1.06V至1.17V（标称值为1.10V），低电压模式则是在0.57V和0.65V之间（标称为0.60V）。 2. **频率范围**：支持从2,133MHz到10MHz的频段，数据速率在4,266Mbs至20Mbs每引脚范围内变化。 3. **16n预取存取架构**：提高了数据传输速度，并增强了系统性能。 4. **8个内部银行**：每个通道有八个独立的内存区域（即八组内部存储单元），支持并行操作，从而提高处理能力。 5. **单数据速率CMDADR入口**：简化了命令和地址的输入过程。 6. **双向差分数据strobes**：每一字节lane都有独立的数据strobe信号，提高了传输准确性。 7. **可编程读写延迟（RLWL）**：允许根据具体系统需求调整延迟值以优化性能。 8. **突发长度可编程和动态调节（BL = 16, 32）**：提供灵活的访问模式选择。 9. **定向按银行刷新机制**：便于并发操作多个内存区域，并调度命令执行顺序，提升效率。 10. **高带宽能力**：单芯片可达8.5GBs的数据传输速率。 11. **片上温度传感器**：用于根据环境温度调整自刷新频率，确保稳定运行。 12. **部分阵列自刷新（PASR）功能**：仅对活动内存区域进行刷新以节省能源消耗。 13. **输出驱动强度可选调节（DS）**：优化信号质量表现。 14. **停钟机制**：在不使用时降低功耗，延长电池寿命。 15. **符合RoHS标准的环保封装材料和工艺**：减少对环境的影响。 16. **编程式VSS（ODT）终端设置**：改善了信号完整性问题解决能力。 17. **单端CK与DQS支持功能增强兼容性**：简化系统集成过程中的互连设计挑战。 18. **改进的tRFCabtRFCpb参数**：减少了刷新周期时间，提高了效率（从280ns减少至140ns）。 产品选项包括不同的配置如内存容量、通道数、封装类型等。例如，MT53E1G16D1代表的是一个单通道、十六个IO接口和一GB的存储单元组合；而MT53E2G32D4则是双通道设计，同样有十六个IO接口但提供两倍于前者的内存容量（即二GB）。封装类型多样，包括但不限于200球VFBGA或TFBGA等选项以满足不同的应用场景需求。此外还有针对汽车级应用的特殊选项如AEC-Q100认证确保在恶劣环境下的可靠性。 Micro Automotive LPDDR4LPDDR4X SDRAM是专为汽车电子设计的高性能、低功耗内存解决方案，通过精细电压管理机制、高效的数据传输技术和各种可编程设置满足了汽车系统对速度、能效和可靠性的严格要求。
     
  • GM8125初始化程序详解
    优质
    本简介深入解析GM8125芯片的初始化流程与配置参数，旨在帮助工程师快速掌握其应用技巧和开发要点。 由于新产品的需求增加，原先的mega64l芯片上的两个串口已不足以满足使用要求，因此决定在产品中加入一个扩展串口芯片GM8125（由成都的一家公司生产）。最初与该公司的合作过程中遇到了一些沟通障碍，但现在已经逐渐熟悉了对方的工作流程。在此分享我为GM8125编写的初始化程序代码，希望能对大家有所帮助，并欢迎指出其中的不足之处。 以下是用PB端口控制GM8125各个引脚的相关定义： - CHOOSE_MODE：用于选择通道模式 - STADD0, STADD1, STADD2：用于设置从站地址 - SRADD0, SRADD1, SRADD2：用于设置主站地址 同时，提供了以下函数以将指定的引脚置为高电平： ```c void setb_port(uint8_t i0,uint8_t i1); ``` 希望以上信息对大家有所帮助。
     
  • 关于Java中静态成员变量与静态初始化块初始化顺序的详解
    优质
    本文详细解析了在Java编程语言中，静态成员变量和静态初始化块的初始化过程及先后顺序，帮助开发者理解这一核心概念。 本段落详细介绍了Java中的静态成员变量、静态数据块以及非静态成员变量的初始化顺序。在类加载阶段，首先会执行静态数据块（static block）内的代码，并且只会被执行一次；紧接着是初始化所有的静态成员变量。对于实例化对象而言，在创建一个新对象时，先运行构造方法来完成对非静态成员变量的初始化工作。整个过程遵循特定的规则以确保各个部分能够正确地进行初始化和执行。
     
  • JESD209-4_3 LPDDR4和LPDDR3详解.pdf
    优质
    本PDF文档深入解析了JESD209-4标准下的LPDDR4与LPDDR3内存技术规范，详述两者特性、性能差异及应用场景。适合内存开发人员和技术爱好者阅读参考。 此文档深入解析了JESD标准下的LPDDR4技术，并帮助读者轻松理解该内存标准。以下是一些常见问题的解答： - **LP4 vs LP4X**：区别在于电压，LPDDR4X使用更低的工作电压（0.6V对比1.1V），从而实现更高的能效。 - **Macbook Pro为何仅采用LP3而非LP4？**：这是由于设计决策和成本考虑导致的。苹果公司可能认为在2018年时，较低功耗的需求并不足以支持更昂贵、技术更新的内存标准。 - **Apple M1如何实现高性能？**：通过统一内存架构（UMA）、先进的5纳米工艺以及将CPU与GPU集成在同一芯片上，M1能够直接访问共享内存资源，这提升了整体系统性能。 - **LPDDR4有ECC吗?**：虽然LPDDR4标准本身不强制要求内置错误校验功能(ECC)，但某些颗粒可能具备该特性。不过，在大多数情况下，ECC是在DIMM级别上实现的，并非在DRAM芯片层面。 - **LVSTL模型的意义？**：它是低电压摆动终止逻辑（Low Voltage Swing Terminated Logic）输入输出模型的一部分，采用0V到0.4V之间的电压范围来减少功耗并优化信号完整性。 - **为何LPDDR4偏好16位通道?**：相较于32位宽的x32模式，使用两个独立但更短距离的数据路径（每个为x16）可以改善性能和效率。 - **Pad Order是什么？**：它是指封装设计中特定引脚排列的重要性，用于优化信号完整性和封装效率。 - **为何有eMCP这种封装形式?**：该技术在智能手机内存应用广泛，因为它集成了eMMC与LPDDR4/3，并且可以减少主控芯片的负担同时管理更大容量的NAND闪存。 - **ZQ引脚的作用？**：用于信号校准和检测，确保数据传输的一致性和准确性。 文档深入解析了JESD209-4_3标准下的LPDDR4与LPDDR3内存技术，并提供了关于这两种低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DRAM）的详尽知识。通过数年的spec经验，作者熟悉JEDEC标准建立的过程并能专业解读各种dram问题。 此外，在文档中还详细讨论了LVSTL模型、ECC功能以及LPDDR4与DDR4之间的预取机制差异等技术细节，并承诺为读者提供高质量的学习体验和答疑服务。
     
  • SD卡初始化流程图（详解版）
    优质
    本资料详尽解析了SD卡初始化过程，通过流程图形式清晰呈现每一步骤，适用于开发者和技术爱好者深入理解SD卡工作原理。 宝图一张，不过话说回来，如果现在买HC高速卡以外的低速卡还真买不到了。主要是MMC卡的扇区不是512字节，本来左移9位就能解决的问题却不确定了。这个图挺好的。对了，那些低端存储卡都小于2G容量，而大于2G的大都是高速卡了。我正在调试，在京东买的最便宜的一张8GB金士顿SD卡花了20元，并且已经通过SPI接口并挂载上了FATFS 0.99版本的文件系统。
     
  • FPGA上电时IO的初始状态
    优质
    本文探讨了FPGA在上电启动过程中I/O端口的初始状态及其配置方法，分析影响因素并提供解决方案。 在进行FPGA硬件设计时，引脚分配是一个关键环节，特别是在需要与其他芯片通信的情况下。Xilinx FPGA从上电到正常工作的过程中各个阶段的引脚状态对硬件设计及引脚分配有重要影响。本段落将分析FPGA从上电开始直至配置完成以及之后进入正常工作模式期间所有IO的状态变化。 根据时间划分，可以分为两个阶段：第一阶段是从FPGA上电至配置完成之前；第二阶段是配置完成后，直到FPGA开始正常运行为止。按照引脚类型分类，则可归纳为三大类：普通IO（其中包括在程序设计中实际使用到的和未使用的IO，在ucf或XDC文件中进行约束与否）。
     
  • 单片机定时器初始化方法详解
    优质
    本文章深入解析了单片机定时器初始化的方法和步骤，帮助读者理解如何正确配置单片机中的定时器功能以满足不同的应用需求。 在学习单片机的过程中，我们发现很多功能都是通过中断来实现的。之前也举过烧水的例子来阐述中断的概念，今天就讲解一下定时器赋初值的方法。 8位的定时器最大可计数256（即2^8），16位的定时器最大可计数65536（即2^16）。由于单片机的定时器是递增式的，因此从最大值减去所需的计数值就是初值。例如：如果最大值为100而我们只需要计到38，则应在第62个循环时开始计算，因为此时递增至下一个周期就达到了所需的时间。 以Proteus仿真为例，讲解单片机定时器赋初值的方法。电路图如下所示，晶振频率设定为12MHz，P2.0引脚每10ms翻转一次（即输出信号的频率为100Hz）。这里使用了16位的定时器，因此单片机定时器0的最大计数就是65536。由于晶振是12MHz，单片机的一个机器周期则是1us，在定时器 0工作于方式1时可以实现最大65.536ms的延时。 根据公式：T = （65536-X），其中T代表时间（单位为微秒）；X表示需要设置的初值。若设定的时间是10ms即10000us，那么定时器的初始计数值 X 就等于 65536-10000=55536。这样从 55536 开始递增至满量程（65536）所需时间正好是10ms。
     
  • ILI9488 初始化代码详解
    优质
    本文详细解析ILI9488显示驱动芯片的初始化过程及代码实现，帮助读者掌握其操作方法和参数设置技巧。 ILI9488 初始化代码用于液晶屏的初始化工作，如有需要可以进行测试。
     
  • DRAM技术详解（中文版）DDR3-DDR4-DDR5-LPDDR3-LPDDR4-LPDDR5.pdf
    优质
    本书详细介绍了DRAM技术的发展历程与工作原理，涵盖从DDR3到DDR5及LPDDR系列的技术变迁和特性分析。适合内存设计工程师和技术爱好者参考学习。 本段落档为《DRAM Technology DDR3_DDR4_DDR5_LPDDR3_LPDDR4_LPDDR5技术精解 中文版》。文档详细介绍了DRAM历史发展中出现的不同技术及其对应的解决方案，涵盖了从基本DDR到DDR5，以及LPDDR到LPDDR5的所有关键技术。该文档的编写历时约一年，记录了DDR系列和LPDDR系列重要技术的来源及内部原理，对于理解DRAM技术具有非常大的帮助。 例如： 1. prefetch与burst length的关系 2. ODT（On-Die Termination）技术中的阻抗匹配内幕是什么？ 3. LPDDR4 LVSTL IO模型的优点等 作者拥有数年的spec经验，并熟悉JEDEC标准的建立过程。在专业领域内，作者有多年的DRAM问题调试和规范解读的专业能力。 此外，文档还提供咨询保障：如果读者对文档内容有任何疑问，可以每天免费提出三个问题进行解答。对于不满意文档解释的情况，也可以通过线下联系作者申请退款，体现了作者对自己的作品充满信心的承诺。