一种新型纳安级别的CMOS基准电流源

简介：
本发明提出了一种高性能的纳安级别CMOS基准电流源，适用于低功耗、高精度的应用场景。该设计通过优化电路结构与参数配置，在温度变化和工艺偏差下仍能保持稳定的输出特性，为集成电路中的模拟信号处理提供可靠支持。 我们设计了一种新型的nA量级CMOS基准电流源，该电路具有不随电源电压变化且温度系数很小的特点，并对其工作原理进行了分析。值得注意的是，这种基准电流源无需使用电阻元件，从而显著减少了芯片面积的需求。基于TSMC 0.18 μm CMOS厚栅工艺技术，在Spectre仿真软件上对该电路进行了详细的测试与验证。 根据仿真的结果显示：当输出的基准电流设定为46 nA时，该设计表现出24.33 ppm/℃的温度系数；同时电源电压变化导致的输出电流波动率仅为0.0289%/V。此外，在性能方面，其最高的电源抑制比（PSRR）可达-85 dB，并且整个电路的工作电流消耗量低于200 nA。