
低功耗CMOS集成温度传感器的设计*(2011年)
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简介:
本文介绍了一种应用于CMOS工艺的低功耗集成温度传感器设计,详细探讨了其工作原理及优化方案。该研究发表于2011年。
为了精确测量超大规模集成电路芯片表面的温度,并监控电路工作状态及进行过热保护,采用了一种新型CMOS片上温度传感器结构。该设计首先利用两个衬底PNP管基射电压差△VBE的PTAT特性来感测温度变化,随后通过偏置电路镜像过来的PTAT电流控制一个三阶环型振荡器,产生频率与温度成正比的信号,并进一步转化为8位数字输出。该传感器采用0.13μm CMOS工艺设计,版图面积仅为0.02mm²,功耗为0.3μW(采样速率为100 sample/S)。后版图仿真结果显示,在-60℃到160℃的温度范围内测量精度达到±3.5℃。
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