
关于薄膜残余应力的有限元分析研究
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简介:
本研究探讨了采用有限元方法对薄膜材料中的残余应力进行精确建模与分析的技术,旨在深入理解其形成机理及影响。
### 薄膜残余应力有限元分析研究
#### 一、引言
残余应力是一种内部产生的力,对材料性能有显著影响。当薄膜沉积在不同材质的基片上时,几乎所有的薄膜都会产生较大的内应力。这种内应力的存在对于微电子电路、薄膜电子器件以及光学元件的成品率、稳定性和可靠性至关重要。例如,过大的张应力可能导致薄膜和基片发生翘曲;相反,过大的压应力可能引起薄膜起皱或脱落甚至导致基片开裂,从而损害其物理性质并使元器件失效。
尽管关于残余应力的研究已经很多,但对其起源仍有许多未解之谜。例如,在金属膜张应力的来源方面尚未形成共识,并且没有确凿证据表明非金属膜压应力是由薄膜氧化引起的。此外,在测试方法上也缺乏精确性和可靠性。因此,对薄膜内残留应力进行系统深入研究非常必要。计算机模拟是一种有效的方法,有助于更好地理解残余应力产生的物理机制。
#### 二、薄膜中残余应力的分类与起源
根据不同的标准,可以将薄膜中的残余应力分为以下几类:
1. **按来源**:
- **外加力引起的内应力**:由外部力量或在沉积过程中由于晶体生长和体积变化引起。
- **内部产生的内应力**:在制造过程自身产生于膜内的应力。
- **热失配应力(温度匹配)**:因薄膜与基片的热膨胀系数不同而形成的可逆性应力。
- **本征应力**:由材料结构特性和缺陷导致,这种不可逆性的部分受沉积参数如基底温度、生长速率和真空度的影响。
2. **按性质分类**:
- 张力(拉伸力)与压力(压缩力)
实验观察显示直接从基片上剥离的薄膜大多呈现卷曲状态,表明残余应力分布不均匀。因此,可以将薄膜中的内应力定义为平均应力和微分应力两种形式。
#### 三、薄膜残余应力计算方法
文中提到一种基于传统梁弯曲理论来计算热失配引起的残余张力模型:
\[ \sigma_{th} = E_f\frac{(1-\nu_f)}{T_2-T_1}(α_s-α_f)dT \]
其中,\(E_f\) 和 \(ν_f\) 分别代表薄膜的杨氏模量和泊松比;\(α_s\) 和 \(α_f\) 是基底与膜材各自的热膨胀系数;而 \(T_1\) 为环境温度,\(T_2\) 则是沉积时所用的温度。
#### 四、有限元分析方法
为了更精确地评估薄膜残余应力,文中使用了有限元软件进行模拟计算。这种方法能够预测不同条件下膜内应变分布,并帮助研究人员优化制备工艺以减少不良影响。通过对比模型结果与理论值可验证模型合理性,从而为提高器件质量提供技术支持。
#### 五、结论
通过对薄膜中的残余应力进行有限元分析研究,不仅可以加深对产生机制的理解,还可以在实际应用中提升元件性能和可靠性。未来的研究方向可以集中在开发更精确的测试方法及改进制备工艺上,以进一步降低内残留应变的影响。
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