
半导体先进接触应用中的Semi ALD钨和TiN
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简介:
本研究聚焦于半导体器件制造中先进的原子层沉积(ALD)技术的应用,特别探讨了用于形成高质量金属触点的钨和氮化钛薄膜。通过优化工艺参数,提高材料性能及集成度,以适应先进集成电路的需求。
ALD Tungsten, W, and TiN for Advanced Contact Application
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简介:
本研究聚焦于半导体器件制造中先进的原子层沉积(ALD)技术的应用,特别探讨了用于形成高质量金属触点的钨和氮化钛薄膜。通过优化工艺参数,提高材料性能及集成度,以适应先进集成电路的需求。
ALD Tungsten, W, and TiN for Advanced Contact Application


