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RU30L30M-VB P沟道 DFN8 (3x3) 封装 MOS管

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简介：
RU30L30M-VB是一款P沟道DFN8 (3x3)封装的MOS管，适用于各种低压应用环境。它具备低导通电阻和高开关频率的特点，确保了高效可靠的电路控制性能。 RU30L30M-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用DFN8（3x3）封装，适用于电源管理、负载开关及适配器开关等应用领域。该款产品具备以下特性： 1. **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤化要求，在生产过程中避免使用某些有害物质，有助于环境保护和设备长期稳定运行。 2. **TrenchFET技术**：采用先进的制造工艺——在硅片上蚀刻深沟槽来提升MOSFET性能，降低导通电阻，并提高效率、减少发热现象。 3. **低热阻PowerPAK封装**：此小型化设计具有1.07毫米轮廓和低热阻特性，有助于快速散热，在高温工作环境下保持稳定运行。 4. **严格测试标准**：产品经过了包括栅极电荷（Rg）及雪崩耐受电流（UIS）在内的全面测试，确保其可靠性和耐用性，并符合RoHS指令2002/95/EC的规定。 5. **电气参数** - 额定漏源电压VDS：最大值为30V。 - 额定栅源电压VGS：±20V。 - 连续漏极电流ID：在不同温度下，如25°C时为-45A，70°C时为-11.5A。 - 脉冲漏极电流IDM：最大脉冲值可达60A，确保其具备处理短时间大电流的能力。 - 连续源漏二极管电流IS：在25°C条件下为-3.2A，提供整流功能支持。 - 雪崩电流IAS：特定条件下安全雪崩电流为-25A，允许器件在这种模式下工作而不受损。 - 单脉冲雪崩能量EAS：最大值为31.25mJ，表示其能承受的单个雪崩能量上限。 - 最大功率耗散PD：在不同温度下的最大功耗限制，例如25°C时为52W，70°C时为2.4W。 6. **热性能**：提供了各种条件下的典型和最大值热阻数据以及结温（TJ）及存储温度（Tstg），确保器件能在多种工作环境中保持良好的散热效果与稳定性。 7. **安装焊接建议**：对于无引脚元件，手动烙铁焊接不被推荐使用，应遵循规定的峰值温度焊接条件以获得最佳性能和寿命。

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  • RU30L30M-VB P沟道 DFN8 (3x3) 封装 MOS管
    优质
    RU30L30M-VB是一款P沟道DFN8 (3x3)封装的MOS管，适用于各种低压应用环境。它具备低导通电阻和高开关频率的特点，确保了高效可靠的电路控制性能。 RU30L30M-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用DFN8（3x3）封装，适用于电源管理、负载开关及适配器开关等应用领域。该款产品具备以下特性： 1. **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤化要求，在生产过程中避免使用某些有害物质，有助于环境保护和设备长期稳定运行。 2. **TrenchFET技术**：采用先进的制造工艺——在硅片上蚀刻深沟槽来提升MOSFET性能，降低导通电阻，并提高效率、减少发热现象。 3. **低热阻PowerPAK封装**：此小型化设计具有1.07毫米轮廓和低热阻特性，有助于快速散热，在高温工作环境下保持稳定运行。 4. **严格测试标准**：产品经过了包括栅极电荷（Rg）及雪崩耐受电流（UIS）在内的全面测试，确保其可靠性和耐用性，并符合RoHS指令2002/95/EC的规定。 5. **电气参数** - 额定漏源电压VDS：最大值为30V。 - 额定栅源电压VGS：±20V。 - 连续漏极电流ID：在不同温度下，如25°C时为-45A，70°C时为-11.5A。 - 脉冲漏极电流IDM：最大脉冲值可达60A，确保其具备处理短时间大电流的能力。 - 连续源漏二极管电流IS：在25°C条件下为-3.2A，提供整流功能支持。 - 雪崩电流IAS：特定条件下安全雪崩电流为-25A，允许器件在这种模式下工作而不受损。 - 单脉冲雪崩能量EAS：最大值为31.25mJ，表示其能承受的单个雪崩能量上限。 - 最大功率耗散PD：在不同温度下的最大功耗限制，例如25°C时为52W，70°C时为2.4W。 6. **热性能**：提供了各种条件下的典型和最大值热阻数据以及结温（TJ）及存储温度（Tstg），确保器件能在多种工作环境中保持良好的散热效果与稳定性。 7. **安装焊接建议**：对于无引脚元件，手动烙铁焊接不被推荐使用，应遵循规定的峰值温度焊接条件以获得最佳性能和寿命。
     
  • 2SK1847-VB SOT23封装N沟道场效应MOS管
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    这款2SK1847-VB MOSFET采用SOT23封装，为N沟道型设计，适用于多种电子设备中的开关和放大功能，具有低导通电阻的特点。 ### 产品概述 2SK1847-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件的最大特点在于其低导通电阻（RDS(ON)）和高工作电压，适用于多种电源管理应用。 ### 特性与优势 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义，适用于对环保有较高要求的应用场景。 2. **TrenchFET®功率MOSFET**：通过先进的制造工艺提高性能，降低功耗。 3. **全Rg测试**：确保每个产品的栅极电阻均经过严格的测试，提高了产品的可靠性和一致性。 4. **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，不含有有害物质。 ### 应用领域 - **DCDC转换器**：由于2SK1847-VB具有低导通电阻和高耐压特性，非常适合用于直流到直流转换器中，能够有效提高效率并减少热量产生。 - **电源管理系统**：在电池充电、电源调节等电源管理系统中发挥重要作用。 - **电机控制**：适用于小型电机的驱动和控制，如风扇、泵等。 - **负载开关**：作为高效负载开关应用于各种电子产品中。 ### 技术规格 #### 静态参数 - **最大排水源电压(VDS)**：30V，在栅源电压VGS为0V时，漏电流ID不超过250μA条件下测量得到。 - **导通电阻(RDS(ON))**：在VGS=10V时最小值为0.030Ω；当VGS=4.5V时最小值为0.033Ω。 - **最大连续排水电流(ID)**：环境温度TA=25°C下，最大连续排水电流可达6.5A；在TA=70°C条件下，该数值降至5.0A。 - **栅电荷(Qg)**：典型值4.5nC。 #### 动态参数 - **栅源阈值电压(VGS(th))**：介于1.2V到2.2V之间，开启MOSFET所需的最小栅源电压范围在此区间内确定。 #### 绝对最大额定值 - **排水源电压(VDS)**：30V。 - **栅源电压(VGS)**：±20V。 - **最大连续排水电流(ID)**：TA=25°C时为6.5A；TA=70°C时为5.0A。 - **最大功率损耗(PD)**：在TA=25°C条件下，1.7W是其极限值；而在TA=70°C下，则降至0.7W。 - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：从-55到150℃。 #### 热阻参数 - **结至环境热阻(RthJA)**：典型值为60°C/W，最大值则不超过75°C/W。 - **结至脚热阻(RthJF)**：典型值90°C/W；其极限值设定在115°C/W。 ### 总结 2SK1847-VB是一款高性能的N-Channel场效应MOS管，采用了SOT23封装。它具备低导通电阻、高耐压等显著特点，在DCDC转换器、电源管理、电机控制和负载开关等多种应用领域中发挥关键作用，并以其卓越的电气性能及可靠性赢得了市场认可。
     
  • 4578M-VB SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
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    4578M-VB是一款采用SOP8封装的N沟道与P沟道场效应MOS管组合，适用于各种电源管理和开关应用。 ### 一、产品概述 4578M-VB是由VBsemi公司制造的一种双通道（N-Channel与P-Channel）60V MOSFET。它使用了先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点，并符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求，在环保应用中表现出色。这款MOSFET主要用于CCFL逆变器等电子设备。 ### 二、技术规格 #### 静态参数 - **VDS (Drain-Source Voltage)**：N通道为60V，P通道同样为60V。 - **VGS(th) (Gate Threshold Voltage)**：在N通道中，当ID=250µA时，阈值电压范围是1.3至3伏；对于P通道，在ID=-250µA条件下，该数值变化区间为-3至-1.3伏。 - **RDS(on) (On-State Drain-Source Resistance)**： - N通道在VGS=10V时的导通电阻是28毫欧姆；而在4.5V下则升至51毫欧姆。 - P通道于VGS=-10V下的导通阻抗为51毫欧姆，当电压降至-4.5伏特时提升到60毫欧姆。 - **Qg (Total Gate Charge)**： - N通道在VGS=10V和4.5V条件下分别拥有5.36纳库仑与4.7纳库仑的总栅极电荷量； - P通道对应数值则为4.98nC（-10V）及4.5nC(-4.5V)。 #### 动态参数 - **ID (Continuous Drain Current)**：在25°C环境下，N通道的最大连续漏电流为5.3安培；P通道的对应值则是负四安培。 - **IS (Continuous Source Current)**：同样条件下，N通道最大源极电流限制于2.6A；而P通道则为负二点八安培。 - **PD (Maximum Power Dissipation)**：在环境温度为25°C时，N通道的最大耗散功率为3.1瓦特；P通道则是3.4瓦。 #### 绝对最大值 - **VDSS (Drain-Source Voltage)**：对于两个通道来说都是正负60伏。 - **VGS (Gate-Source Voltage)**：同样适用于两个方向，限制在±20V之间。 - **ID (Continuous Drain Current)** 和**IS (Continuous Source Current)** 的最大值分别如上述动态参数所示。 ### 三、应用领域 4578M-VB凭借其卓越性能和紧凑的封装形式，在多种电子产品中得到广泛应用，尤其是在CCFL逆变器方面。此外，由于该产品的低导通电阻与高效特性，它还适用于以下场景： - **电源管理**：如开关电源及电压调节模块(VRM)等。 - **电机控制**：用于驱动直流或交流电动机。 - **信号处理**：充当放大器或者切换元件。 ### 四、封装与热特性 4578M-VB采用SOP8封装，具备良好的散热性能。根据数据表提供的信息，在环境温度25°C时的工作范围为-55至150摄氏度之间。关于热阻抗，结到外壳的典型值是55℃/W，最大值62.5℃/W；而从结点到底座（漏极）的标准数值则是33℃/W，上限40℃/W。 ### 五、结论 综上所述，4578M-VB是一款性能卓越的N+P-Channel MOSFET管，在多种电子设备中表现出色。其小巧的SOP8封装和高效的散热能力使其成为许多设计的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是信号处理等领域，这款产品都能提供稳定且可靠的表现支持。
     
  • 4599W-VB SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
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    本产品为4599W-VB型SOP8封装N/P沟道场效应MOS管，适用于多种电子设备中的电源管理与信号切换。 ### 4599W-VB — SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管 #### 概述 4599W-VB是一款采用SOP8（Small Outline Package）封装的N+P-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET)，由VBsemi公司生产。该产品具备以下特点： - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准，这款MOSFET不含卤素。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**：提供高效率和低损耗性能。 - **RoHS合规性**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。 #### 主要特点 - **Rg和UIS测试**：所有产品均经过100%的栅极电阻（Rg）及未钳位电感开关（UIS）测试，确保产品质量与可靠性。 - **温度范围**：工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种环境条件。 - **热阻**：散热性能良好，结温到环境的最大热阻为32.5°C/W（典型值），结温到脚的热阻为19°C/W（典型值）。 - **电压和电流能力**： - ±40V最大漏源电压(VDS)。 - N-Channel最大连续漏极电流7.6A (TA = 25°C)，5.6A (TA = 70°C)；P-Channel为-6.8A (TA = 25°C), -5.6A (TA = 70°C)。 - 脉冲漏极电流30A（10µs脉宽）。 - **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=10V时，N-Channel为15mΩ；P-Channel为19mΩ。 在VGS=20V时分别为13.3mΩ和13mΩ。 - **阈值电压(Vth)**：N-Channel和P-Channel的阈值电压均为±1.8V。 - **单脉冲雪崩电流(IL)**：最高支持0.1mA 单脉冲雪崩电流。 - **单脉冲雪崩能量(AS)**：最高支持20mJ 单脉冲雪崩能量。 - **最大功耗(PD)**：N-Channel的最大功耗为6.1W (TA = 25°C) 和3W (TA = 70°C)，P-Channel则分别为5.2W (TA = 25°C) 和2.28W (TA = 70°C)。 #### 应用领域 4599W-VB适用于多种应用场合，包括但不限于： - **电机驱动**：由于其高电流能力和快速开关特性，适合各种类型的电机驱动应用如伺服电机、步进电机等。 - **电源转换器**：用于DC-DC和AC-DC等多种电源转换应用，可提高效率并减少损耗。 - **负载开关**：可用于控制大电流负载的通断。 - **其他电力电子设备**：例如逆变器、UPS不间断电源系统等。 #### 技术规格 以下列出了4599W-VB的部分关键技术参数： - **静态参数** - 漏源击穿电压(VDS)：在VGS=0V，ID =250µA时，N-Channel为40V；P-Channel为-40V。 - 阈值电压(VGS(th))：在VDS = VGS, ID = 250µA时，N-Channel为1.8V；P-Channel为-1.8V。 - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)T)：在VDS= VGS, ID = 250µA时，N-Channel为-4.1mV/°C；P-Channel为+5mV/°C。 - **动态参数** - 导通电阻温度系数(ΔRDS(on)T): N-Channel为0.015Ω / °C, P-channel 为0.017 Ω / °C (在 VGS=10V时) #### 封装与引脚配置 - **封装类型**：SOP8。 - **引脚配置** - S1D1: N-Channel漏极 - G1：N-Channel栅极 - S1S2：N-channel源极，P-channel漏极 - G2：P-Channel栅极 - D2：P-Channel源极 ####
     
  • 对P沟MOS晶体管的简要分析
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    本文主要针对P沟道金属氧化物半导体（PMOS）晶体管进行详细解析，探讨其结构、工作原理及特性参数。通过对比N沟道MOSFET，帮助读者更好地理解PMOS器件的独特性能与应用优势。 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS）主要分为N沟道与P沟道两大类。P沟通道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区域，分别称为源极和漏极，在没有外部电压时这两端不导通。当栅极施加足够的正电压且源极为接地状态时，栅极下的N型硅表面会形成一层P型反向层（即沟道），从而实现从源极到漏极的连接。 通过调节栅压可以改变沟道中的电子密度，进而调整其电阻值。如果在没有外部偏置的情况下衬底表面就已经存在P型反向层，则该MOS场效应晶体管被称为耗尽型；若需要施加正电压才能形成导电通道，则称为增强型。这两种类型的PMOS晶体管都具有相同的特性：空穴迁移率较低，因此，在同样的几何尺寸和工作电压条件下，其跨导值通常小于N沟道的MOS晶体管。 此外，P沟道MOS晶体管一般需要较高的阈值电压绝对值，并且要求提供较高偏置电压。由于PMOS器件的工作原理与双极型晶体管逻辑电路不兼容（特别是在电源供应方面），这限制了其应用范围。另外，相对于NMOS来说，它具有更大的信号摆幅和更长的充放电时间，加上跨导较小的特点导致工作速度较慢。 当N沟道MOS技术被引入后，在许多应用场景中PMOS逐渐被淘汰或不再使用。
     
  • WNM2027-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管
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    WNM2027-VB是一款采用SOT23封装的N沟道增强型场效应晶体管，适用于低电压应用环境，具有低导通电阻和高开关速度的特点。 ### WNM2027-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管关键技术知识点解析 #### 一、产品概述与特点 **WNM2027-VB**是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），具备以下显著特性： - **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准，使用环保材料。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**：利用先进的TrenchFET工艺降低导通电阻（RDS(on)），提高效率。 - **100% Rg测试**：所有产品均经过栅极电阻（Rg）测试，确保性能一致性。 - **RoHS合规性**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。 #### 二、电气参数详解 ##### 1. 静态参数 - **最大工作电压**（VDS）：20V，在正常操作条件下，漏源间可承受的最大电压。 - **最大栅源电压**（VGS）：±12V，表示栅极与源极之间能承受的最大小正向或反向电压。 - **连续漏极电流**（ID）： - TJ=150°C时为6A， - TA=25°C时为5.15A， - TA=70°C时为4A。 - **脉冲漏极电流**（IDM）：在短时间内允许通过的最大小脉冲电流，值为20A。 - **最大功率耗散**（PD）： - TA=70°C时为2.1W， - TA=25°C时为1.3W。 - **结温范围**（TJ, Tstg）：工作温度区间从-55°C到150°C。 - **热阻**（RthJA）：典型值80°C/W，最大值100°C/W，反映了器件的散热能力。 ##### 2. 动态参数 - **导通电阻**（RDS(on)）： - VGS=4.5V时为24mΩ， - VGS=8V时也为24mΩ。 这些参数直接影响MOSFET的工作效率和发热情况，对设计者来说非常重要。 #### 三、应用领域 - **DC/DC转换器**：适用于各种开关电源及DC/DC转换电路中的开关元件。 - **负载开关**：特别适合便携式设备的负载控制，如智能手机和平板电脑等。 #### 四、封装形式 WNM2027-VB采用SOT23封装，这是一种小型表面贴装型封装，具有体积小和散热好等特点。其具体的封装结构示意图包括： - **Top View**：展示顶部视图。 - **型号标识**：具体为“2SO3T-231”。 #### 五、注意事项 - **绝对最大额定值**：超过这些规定数值可能导致器件永久损坏。 - **脉冲测试条件**：允许的脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%，超出此范围可能影响器件可靠性。 ### 总结 WNM2027-VB作为一款高性能N-Channel沟道场效应晶体管，具备优良的电气特性和广泛的适用性。其无卤素设计、高效率及紧凑的SOT23封装使其成为电源管理应用的理想选择。在使用该MOSFET时需充分考虑静态和动态参数，并遵守绝对最大额定值的规定以确保产品的稳定性和可靠性。
     
  • N沟道MOS管光耦控制电路
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    本设计介绍了一种采用N沟道金属氧化物半导体（NMOS）管作为核心器件的光耦合器控制电路。该电路利用NMOS管高效导电特性，实现信号传输中的电气隔离与电平转换功能，确保系统稳定性和安全性。 基于光耦控制的N沟道MOS管控制电路采用低导通设计，并且是根据STM32引脚进行优化的。原理图文件详细展示了该电路的工作原理。
     
  • p型MOS管的导通条件
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    本文探讨了P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS）的基本工作原理，并详细分析其导通所需的条件和电压要求。 P沟道MOS管的导通条件是通过在栅极（G）上施加特定电压来实现的。对于N沟道MOS管来说，在栅极施加正向电压使其导通；而对于P沟道MOS管，则需要施加负向电压。 场效应晶体管的工作状态由栅源之间的电压差决定，具体到增强型器件：当对N沟道类型的MOSFET的栅源间施加正偏压时该元件将开启工作；而针对P沟道类型，在其栅源之间加上反相偏置则会激活它。通常情况下，2V至4V范围内的电压即可满足导通需求。 作为开关应用中的P沟道MOS管具有特定的阀值电压（-0.4V），意味着当栅极与源极之间的电位差达到或低于该阈值时，器件将进入开启状态。例如：若源极端子(S)为2.8V而栅端(G)是1.8V，则GS=-1V，此时MOS管导通，并且漏极端(D)的电压同样会保持在2.8V；反之如果G和S两端电位一致（如都为2.8V），则GS=0V，不足以触发器件开启，因此D端输出将接近于零伏。 当需要利用GPIO信号控制P沟道MOS管以实现对系统电源的开关操作时：假设源极(S)与一个恒定电压(例如2.8V)相连；为了确保电路能够正常工作并由外部输入指令进行状态切换，必须保证栅极端(G)所接收到的有效高电平信号不低于阀值加源端电压之和（即1.8-0.4=2.4V）。然而如果控制GPIO的输出范围仅限于1.8V，则无论其逻辑高低位如何变化都无法实现对MOS管完全关闭的功能，因为即使在低电平时GS=-2.7V仍会导致器件持续导通。