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Matlab忆阻器源代码及用户手册.zip

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简介：
本资源包包含用于模拟忆阻器行为的MATLAB源代码和详尽的操作指南。适用于科研人员与学生进行电路仿真、神经网络建模等相关研究工作。 这段文字介绍了最新的一个国外文章里的memristor模型的实现，并编写了用户接口和GUI，非常实用且是很好的学习资料。

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  • Matlab忆阻器源代码及用户手册.zip
    优质
    本资源包包含用于模拟忆阻器行为的MATLAB源代码和详尽的操作指南。适用于科研人员与学生进行电路仿真、神经网络建模等相关研究工作。 这段文字介绍了最新的一个国外文章里的memristor模型的实现，并编写了用户接口和GUI，非常实用且是很好的学习资料。
     
  • Matlab忆阻器源代码及用户手册
    优质
    本资源提供详细的Matlab忆阻器仿真源代码与全面的操作指南，帮助研究人员和学生深入理解并模拟忆阻器特性。 这段文字介绍了最新的一个国外文章中的memristor模型，并且编写了用户接口和GUI，非常实用，是很好的学习资料。
     
  • Matlab忆阻器GUI_memristor.m
    优质
    本GUI程序Matlab忆阻器_memristor.m用于模拟和可视化忆阻器特性，支持用户自定义参数，便于研究非线性系统与神经网络应用。 作为Matlab初学者，我有许多东西需要学习。当前的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能，但是不够灵活，参数如ratio、v0、ω0必须手动调整。我希望将这些参数设置为可调节范围，并且不知道如何操作。如果直接在方程中使用变量替换参数的话，能否成功求解呢？若能够求解，在得到结果s后，又该如何将参数替换成具体的数值？似乎subs函数只能用于替换t。我希望能够扩展这个程序的功能，并参考网上的Mathematica实现的例子来改进我的代码。下一步是创建GUI并加入动画效果，希望可以做得更好一些。
     
  • 忆阻器器件及工艺.zip
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    本资料包探讨忆阻器这一前沿电子元件及其制造工艺，深入分析其工作原理、应用前景以及在神经形态计算等领域的潜在价值。适合研究人员和技术爱好者深入了解。 该论文涵盖了多篇关于忆阻器工艺的文献，主要内容包括各种忆阻器模型及其工艺要求等相关议题。此外，还总结了仿真过程中遇到的窗函数问题及电路模型等内容。
     
  • 忆阻器模型：用MATLAB进行的记忆电阻器模拟
    优质
    本简介探讨了利用MATLAB软件工具对记忆电阻器（忆阻器）建模与仿真研究，旨在深入理解其工作原理和特性。 记忆电阻器（忆阻器）是继传统元件R、L 和 C之后的第四种基本无源非线性元件。忆阻器的概念由LO Chua在1971年提出，但直到最近才被HP实验室的研究人员重新发现并引起关注。预计其将在理论研究和纳米电子行业中产生重大影响。本段落是在Simulink/Matlab环境中对忆阻器进行模拟，并采用了Dmitri B. Strukov等人及自然杂志与Yogesh N. Joglekar等人的研究成果中的参数值构建模型。
     
  • 忆阻器仿真的Mfile-Matlab: 忆阻器仿真开发(matlab)
    优质
    本资源提供了一套用于Matlab环境下的忆阻器仿真代码（M-file），旨在帮助科研人员和学生快速搭建并研究忆阻器电路模型及其特性。 使用 MATLAB 对纳米级 ReRAM 单元进行操作分析。
     
  • 忆阻器及其工作原理（MATLAB）
    优质
    本文介绍了忆阻器的基本概念和工作原理，并通过MATLAB进行了模拟分析，帮助读者理解其在电路设计中的应用。 忆阻器（Memory Resistor）是一种具备非易失性存储功能的电子元件，其特性是电阻值可以依据之前流过的电流历史进行改变并保持不变。这种能力使得忆阻器在数据存储、神经网络模拟及高速计算等领域展现出巨大的潜力。 该概念最初由IBM科学家于20世纪70年代提出，但直到近年来随着微纳米技术的进步，忆阻器才开始进入实际应用的研究阶段。其工作原理基于内部的物理机制：通常使用电导突变材料（如氧化物）作为核心组件，在施加电压时这些材料的电导状态会发生变化。这种变化可以是可逆或不可逆的，“记忆”住过去的状态。 在MATLAB环境下，可以通过电路仿真工具Simulink或SPICE模型来模拟忆阻器的V-I特性曲线。通过调整参数生成不同的V-I曲线，并分析其工作模式如线性区和非线性区等。首先需要建立数学模型描述电导与电压的关系式（例如霍尔效应忆阻器方程I = G(V) * (V - Vt)，其中G是电导，V为电压，Vt为阈值电压），然后在MATLAB中设置参数运行仿真，并绘制出结果的V-I图。 忆阻器的应用前景广阔。它可以用于制造下一代非易失性存储器如ReRAM（忆阻式随机访问存储器），具有高速、低功耗和高密度的特点；同时，由于其非线性和动态行为特性，在神经网络模拟中表现出色，有助于实现高效的机器学习与人工智能算法。此外，它还能构建新型计算架构解决传统冯·诺依曼架构中的瓶颈问题。 总而言之，忆阻器是一种创新的电子元件，为信息处理和存储提供了新的可能性。通过MATLAB等工具进行仿真研究可以加深对其工作原理的理解，并探索更多潜在应用领域。
     
  • TRDP源码和用户手册.zip
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    TRDP源码和用户手册.zip包含TRDP协议的完整源代码及详尽操作指南，适用于开发者进行车载网络通信应用开发与调试。 TRDP（Train Real-time Data Protocol）协议用于轨道交通实时以太网络，在铁路用以太网的应用中，提高实时性和确保可靠性至关重要。研究表明，为了满足铁路控制系统的需求，延迟时间应控制在50毫秒左右，而使用TRDP协议可以达到这一标准。该标准将通过行业团体“TCNOpen”以开源形式公开发布，旨在促进相关产品的开发和铁路用以太网的普及，并降低铁路运营商及车辆企业的采购成本。
     
  • Matlab忆阻器(Memristor)-Matlab_memristor2.pdf
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    本PDF文档深入探讨了在MATLAB环境下模拟和分析忆阻器（Memristor）的方法和技术，提供了详细的编程实例与理论讲解。 作为Matlab初学者，我有很多东西需要学习。现有的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能，但不够灵活，必须手动调整参数。我希望将其中的参数ratio、v0、ω0变成可调节范围内的，并且不知道如何操作。如果直接将这些参数放入方程中求解的话，是否可行？若能成功求解，在得到结果s后，又该如何把参数替换成具体的数值呢？我听说subs函数只能替换t变量，但似乎不适用于这种情况。 此外，我在网上找到了一个Mathematica实现忆阻器I-V特性的例子。接下来的计划是创建GUI界面，并尝试加入动画效果。希望有人能帮助扩展这个程序，以便能够更好地完成我的目标。