该低噪音放大器在1.8至2.8 GHz的频率范围内进行了仿真设计。

简介：
通过运用 pHEMT 工艺，成功构建了一个 1.8~2.8 GHz 波段的单片低噪声放大器电路。该设计巧妙地整合了具有优异低噪声性能和较高关联增益的 ATF-58143 晶体管，这些晶体管本身就基于 pHEMT 技术。电路结构采用二级级联放大方案，并利用微带电路技术实现了输入输出端口以及级联之间的精确匹配。此外，借助 ADS 软件提供的强大功能模块和优化环境，对电路的关键参数——包括增益、噪声系数、驻波比和稳定性系数——进行了详尽的分析与研究。最终，设计结果表明该电路满足了预期的性能指标，其增益可达到大于 20 dB 的水平，同时噪声系数控制在小于 1.5 dB 的范围内，并且输入输出电压的驻波比维持在小于 1.9 的标准之下，从而完全达到了设计目标。