Advertisement

第三代半导体氮化镓行业报告。

  •  5星
  •     浏览量: 0
  •     大小:None
  •      文件类型：None

简介：
HVPE（氢化一氧化二氮）是制备高品质GaN的常用工艺。该方法中，首先在高温条件下，高纯度GaN与HCl反应生成GaCl蒸气，随后该蒸气在衬底外延面上与NH3反应，从而沉积出结晶性的GaN薄膜。这种工艺能够实现大面积的生长，并且生长速率极高（可达100µm/h），能够在外延衬底上生长数百微米厚的层。尽管如此，它仍然有效地减少了衬底与外延膜之间的热失配和晶格失配对外延材料性能的影响。生长完成后，通过研磨和腐蚀法去除衬底，即可获得高质量的单晶片。采用此工艺获得的晶体尺寸较大，并且位错密度得到了较为精细的控制。

全部评论 (0)

还没有任何评论哟~
客服
客服
客服关闭
  • 氮化镓(GaN)第三代半导体行业报告
    优质
    本报告全面分析了氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料在电子行业的应用现状与发展趋势，探讨其技术优势、市场挑战及未来前景。 HVPE是制备GaN的主要方法。该过程在高温下使高纯度镓与HCl反应生成GaCl蒸气，并在外延面或衬底上与NH3进行化学反应，从而沉积出结晶的GaN。这种方法可以实现大面积生长且生长速度快（可达100µm/h），并且可以在异质衬底上外延生长数百微米厚的层，进而减少衬底和外延膜之间的热失配及晶格失配对外延材料性质的影响。在完成生长后，通过研磨或腐蚀方法去除衬底，即可获得单晶片。采用此法得到的晶体尺寸较大，并且能够较好地控制位错密度。
     
  • 半导体ATE自动化测试行业研究报告
    优质
    本报告深入分析了全球及中国半导体ATE（Automatic Test Equipment）自动化测试行业的现状、趋势与前景。涵盖了市场规模、竞争格局和技术创新等方面的内容，为业内人士提供详实的数据支持和战略建议。 半导体测试是设计与生产过程中的关键环节。它通过测量半导体的输出响应并与预期输出进行比较来确定或评估集成电路的功能和性能，主要涉及电学参数测试。每个芯片通常需要经历两类测试： 一是参数测试，这种测试用于确认芯片管脚是否符合各种上升时间、下降时间、建立时间和保持时间以及高低电压阈值和电流规范的要求。它包括直流（DC）参数测试与交流（AC）参数测试。其中，直流参数测试涵盖短路检测、开路检查及最大电流试验等项目；而交流参数测试则包含传输延迟评估、建立时间和保持时间验证、功能速度测量等内容。这些测试通常都具有工艺相关性。 CMOS输出电压的测定是此类测试中的一个重要方面。
     
  • 氮化镓资料.zip
    优质
    《氮化镓资料》是一份关于第三代半导体材料氮化镓的技术文档合集，内容涵盖其物理特性、应用领域及最新研究进展。 本段落介绍新型宽禁带半导体氮化镓器件的应用电路设计和驱动设计，供读者参考学习。
     
  • Cree氮化镓晶体管的ADS模型
    优质
    本文章介绍如何建立适用于ADS软件的Cree氮化镓(GaN)晶体管模型，并探讨其在射频功率放大器设计中的应用。 创建Cree氮化镓晶体管ADS模型。
     
  • 2022年中国氮化镓行业发展概况.pdf
    优质
    本报告深入剖析了2022年中国氮化镓行业的现状、发展趋势及面临的挑战，为业内提供详实的数据支持与战略指导。 半导体及电子行业的行业分析与数据分析报告提供了对该领域的深入洞察。这些报告涵盖了市场趋势、技术发展以及竞争格局等方面的信息。通过综合的数据支持和专业见解，帮助读者更好地理解当前的产业环境并预测未来的发展方向。
     
  • 半导体芯片设计行业报告：三维视角分析
    优质
    本报告从技术趋势、市场格局和应用前景三个维度深入剖析了半导体芯片设计行业的现状与未来走向。 从中长期来看，半导体作为科技领域的制高点，在国内外贸易和技术领域将占据重要地位，并在实业与资本市场引发重大变化。理解半导体产业是把握未来科技发展趋势的关键。 深入研究半导体行业之前，首先需要明确一些基本概念：半导体包括光电子、传感器和微电子产品；其中最核心的是微电子技术。集成电路（IC）则是微电子领域的关键部分，CPU、GPU、FPGA及NPU等都属于此类产品，并且一块芯片可以集成大量晶体管。广义上的“芯片”涵盖了光电子、传感器以及微电子产品，而狭义的则仅指集成电路。 从全球市场需求来看，亚太地区占据了60%的需求份额：一方面是因为日本、韩国和中国大陆等地拥有众多IC下游产业，成为世界工厂；另一方面则是由于这些地区的消费市场庞大。
     
  • 氮化镓的优点.doc
    优质
    本文档探讨了氮化镓材料在电子器件中的优点，包括高效率、大功率处理能力以及高温操作稳定性等特性。 本段落介绍了新型宽禁带半导体材料在电路设计和硬件开发中的应用情况。
     
  • 泛半导体行业研究报告（70页）.zip
    优质
    本报告深入分析了泛半导体行业的现状与趋势，涵盖市场概览、技术动态及未来展望等内容，共七十余页。 泛半导体行业专题报告（70页），资源名称为：泛半导体行业专题报告（70页）泛半导体行业专题报告.zip。
     
  • 半导体IC设计行业研究报告.pptx
    优质
    本报告深入分析了当前半导体IC设计行业的市场动态、技术趋势及竞争格局，并预测未来发展方向。适合业内专业人士参考。 半导体IC设计行业发展报告涵盖了该行业的发展趋势、技术进步以及市场前景等内容。报告详细分析了当前行业的现状，并对未来几年内可能出现的变化进行了预测。此外，还探讨了影响半导体IC设计发展的关键因素及其对整个电子产业的影响。 此文档旨在为业内人士提供有价值的见解和信息，帮助他们更好地理解行业发展动态并作出相应战略规划。（注：原文中提到的内容已根据要求进行重写处理，未包含任何联系方式或链接地址）
     
  • 氮化镓与碳化硅的应用.docx
    优质
    本文档探讨了氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种半导体材料在电力电子、射频器件及光电器件等领域的广泛应用及其技术优势。 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）是两种重要的半导体材料，在多个领域有着广泛的应用。它们具有高耐压、低损耗以及高频特性，因此在电力电子设备中扮演着重要角色。 氮化镓常用于制造射频器件如微波放大器等；而碳化硅则因其卓越的热导率和机械强度被应用于高温环境下的功率半导体器件之中。这两种材料的应用不仅提高了相关产品的性能指标，还促进了整个行业技术的发展进步。