绝缘栅场效应管-Oracle学习笔记

简介：
本笔记聚焦于绝缘栅场效应管（IGFET）的基础知识与应用技巧，结合Oracle数据库技术的学习心得，旨在为电子工程及计算机科学爱好者提供理论与实践相结合的学习指南。 10.2 绝缘栅型场效应管（MOSFET） 绝缘栅型场效应管简称MOS管，分为耗尽型和增强型两大类，每种类型又细分为P沟道和N沟道两种。 10.2.1 增强型MOS管 1．图形符号 增强型MOS管包括N沟道与P沟道两种，其对应的图形符号如图所示。 2．结构与工作原理 增强型MOS管有N沟道和P沟道之分，分别称为增强型NMOS管和增强型PMOS管。这两种类型的结构及工作原理基本一致，在实际应用中更常见的是增强型NMOS管。以下以增强型NMOS管为例进行说明。 （1）结构 增强型NMOS管的构造及其等效图形符号如图所示。 增强型NMOS管采用P型硅片作为基底，其上形成两个掺杂较多杂质的N型区域，并在其表面覆盖一层薄二氧化硅(SiO2)绝缘层。在两侧N型材料分别引出漏极(D极)和源极(S极)，并在它们之间的SiO2绝缘层中制作一个电荷控制区。