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针对SAR ADC的CMOS比较器设计

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简介:
本研究专注于开发适用于高速数据采集系统的SAR ADC中高效、低功耗的CMOS比较器。通过优化电路结构和工艺参数,提升比较器性能,推动高性能模拟集成电路的发展。 本段落提出了一种带有时钟控制的可再生比较器设计,特别适用于时间上离散化的信号处理。该设计基于传统前置预放和锁存级联结构,并通过引入交叉耦合负载、复位及钳位技术,在速度与精度方面超越了文献[3]中的方法。 本段落重点讨论了用于SAR ADC(逐次逼近型模数转换器)的CMOS比较器的设计,着重于提升其工作速度和测量精确度。作为ADC的核心组件之一,CMOS比较器在模拟信号向数字信号转化过程中扮演着判断输入电压大小的关键角色。设计中采用了带有时钟控制的可再生比较器结构,该方案特别适合处理时间间隔固定的离散化信号。 此设计方案中的比较器包含两极前置放大模块,并运用了交叉耦合负载、复位和钳制技术。传统前置放大电路通常由差分输入对、伪电流源及交叉耦合负载构成,其中正反馈机制通过调整管子的宽长比来实现。然而,这种设计虽然增加了增益但同时也可能降低信号传输速度。 为解决这一问题,本方案引入了复位功能,并利用时钟RS控制比较器在每次比较前恢复初始状态,从而加快翻转速率。此外,在输出端使用钳制二极管或MOS管来限制电压摆幅范围,确保快速响应时间并提高整体性能表现。 第三级设计为锁存式比较器结构,采用可再生比较器(即锁存器)模式,并利用两相非重叠时钟进行控制。当Q1信号处于高电平状态时,比较器进入复位阶段;随后在正反馈作用下调整电压值,在Q2信号转为高电平时输出最终的比较结果。 值得注意的是,前置放大模块的-3dB带宽约为50MHz,确保了快速信号放大的能力。同时锁存器输入特性决定了其达到稳定状态所需的时间长度。 综上所述,通过引入创新性的CMOS比较器结构,并结合时钟控制、复位功能及钳制技术的应用,本设计成功地提高了SAR ADC中比较器的工作速度和测量精度,在高精度与高速度的模数转换应用领域具有重要的意义。

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客服
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  • SAR ADCCMOS
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    本研究专注于开发适用于高速数据采集系统的SAR ADC中高效、低功耗的CMOS比较器。通过优化电路结构和工艺参数,提升比较器性能,推动高性能模拟集成电路的发展。 本段落提出了一种带有时钟控制的可再生比较器设计,特别适用于时间上离散化的信号处理。该设计基于传统前置预放和锁存级联结构,并通过引入交叉耦合负载、复位及钳位技术,在速度与精度方面超越了文献[3]中的方法。 本段落重点讨论了用于SAR ADC(逐次逼近型模数转换器)的CMOS比较器的设计,着重于提升其工作速度和测量精确度。作为ADC的核心组件之一,CMOS比较器在模拟信号向数字信号转化过程中扮演着判断输入电压大小的关键角色。设计中采用了带有时钟控制的可再生比较器结构,该方案特别适合处理时间间隔固定的离散化信号。 此设计方案中的比较器包含两极前置放大模块,并运用了交叉耦合负载、复位和钳制技术。传统前置放大电路通常由差分输入对、伪电流源及交叉耦合负载构成,其中正反馈机制通过调整管子的宽长比来实现。然而,这种设计虽然增加了增益但同时也可能降低信号传输速度。 为解决这一问题,本方案引入了复位功能,并利用时钟RS控制比较器在每次比较前恢复初始状态,从而加快翻转速率。此外,在输出端使用钳制二极管或MOS管来限制电压摆幅范围,确保快速响应时间并提高整体性能表现。 第三级设计为锁存式比较器结构,采用可再生比较器(即锁存器)模式,并利用两相非重叠时钟进行控制。当Q1信号处于高电平状态时,比较器进入复位阶段;随后在正反馈作用下调整电压值,在Q2信号转为高电平时输出最终的比较结果。 值得注意的是,前置放大模块的-3dB带宽约为50MHz,确保了快速信号放大的能力。同时锁存器输入特性决定了其达到稳定状态所需的时间长度。 综上所述,通过引入创新性的CMOS比较器结构,并结合时钟控制、复位功能及钳制技术的应用,本设计成功地提高了SAR ADC中比较器的工作速度和测量精度,在高精度与高速度的模数转换应用领域具有重要的意义。
  • 基于10位SAR ADC高精度电路
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    本研究提出了一种基于10位SAR ADC的高精度比较器电路设计方案,旨在提高ADC的整体性能和精度。通过优化电路结构与参数配置,实现低功耗、高速度及高线性度的目标,适用于高性能数据采集系统。 本段落提出了一种用于10位逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的高精度比较器设计,该比较器具有较高的精度与较低的功耗特点。采用差分结构前置放大电路来提高输入信号的精确度,并通过隔离效果减少锁存器回踢噪声和失调电压的影响。动态锁存电路使用两级正反馈机制以加快比较速度;输出缓冲级则增强了驱动能力和优化了波形调整性能。 该设计基于SMIC 65 nm CMOS工艺技术实现,利用Cadence公司的Spectre系列软件进行仿真测试,在2.5 V工作电压和2 MHz采样频率条件下得出:所提出的高精度比较器的分辨率为0.542 5 mV、11位精度以及失调电压为1.405 μV;静态功耗仅为63 μW。该设计已成功应用于实际的10位SAR ADC器件中。
  • CMOS运算放大及应用
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    本书《CMOS运算放大器与比较器的设计及应用》深入浅出地介绍了CMOS运算放大器和比较器的工作原理、设计方法及其在各类电子产品中的广泛应用,是学习模拟集成电路设计的宝贵资料。 CMOS运算放大器和比较器的设计及应用探讨了这两种关键半导体器件的原理、设计方法以及实际应用场景。这些设备在现代电子系统中扮演着重要角色,尤其是在需要高精度信号处理的应用场合。通过优化CMOS工艺技术,可以显著提高运算放大器和比较器的性能指标,如带宽、增益和功耗效率等。此外,文章还讨论了如何根据具体应用需求选择合适的电路架构,并提供了设计实例以帮助工程师更好地理解和实现这些复杂的集成电路模块。
  • 14位SAR ADC数字自校准算法
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    本研究提出了一种适用于14位SAR ADC的高效数字自校准算法,旨在提升ADC的线性度和转换精度。 为了实现高精度14位逐次逼近型SAR(Successive Approximation)模数转换器ADC,本段落提出了一种数字自校准算法。该算法通过切换两种电容阵列的工作状态来获取电容之间的失配误差,并在ADC正常工作时将这些误差加载到电路中以消除失配影响。最后通过对一个存在0.5%失配误差的14位SAR ADC系统模型进行参数仿真,验证了所提出的数字校准算法的有效性和正确性。
  • SAR ADC动态电容不匹配影响与校正分析
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    本文深入探讨了SAR ADC中的比较器在面对动态电容不匹配问题时的表现,并提出有效的校正方法以提升ADC的整体性能。 本段落探讨了在逐次逼近型模拟-数字转换器(SAR ADC)中的比较器动态电容器不匹配及其校正方法的影响。SAR ADC因其高能效及易于集成的特点,成为一种重要的数据转换形式,在要求高精度和高速度的应用中十分流行。然而,随着CMOS工艺的缩小,诸如电容不匹配、KTC噪声、顶板寄生电容以及非线性寄生电容等非理想因素限制了SAR ADC的速度和动态性能。 在这些影响因素当中,比较器输入对中的非线性寄生电容对于高速且高精度SAR ADC的设计尤为关键。这种非线性源于MOS晶体管的特性,在数字模拟转换器(DAC)单元缩小到几十至几百飞法拉时变得显著。这导致了在快速运行的SAR ADC中,必须考虑比较器的影响。 为了克服这些问题,本段落提出了一种校正方法来减少比较器输入对中的非线性寄生电容影响,特别针对广泛应用于高分辨率和高速度SAR ADC的传统二进制加权电容器阵列拓扑。文章首先分析了动态电容不匹配的后果,并提出了两种可行方案以减轻这种不利影响。 为了验证所提出的校正方法的有效性,作者设计了一款基于CMOS 40纳米工艺的SAR ADC,并通过密集后仿真对其进行了性能表征。结果显示,在采用改进策略之后,该ADC的无杂散动态范围(SFDR)和信噪失真比(SNDR)分别提高了约7dB和4dB;微分非线性(DNL)与积分非线性(INL),在经过校准后从1.00 LSB及3.81 LSB改善至了0.67 LSB、0.57 LSB以及1.46 LSB、0.77 LSB。 本段落提出的修正措施对于设计高性能SAR ADC具有重要意义。文章的主要观点和详细内容可以总结为: - SAR ADC的基本原理及其在高速度与高精度应用中的优势。 - 在SAR ADC中非理想因素对性能的具体影响,特别是电容不匹配、KTC噪声、顶板寄生电容以及非线性寄生电容的介绍。 - 高速和高精度SAR ADC设计过程中比较器输入端非线性寄生电容的问题分析与考虑。 - 提出用于校正传统二进制加权电容器阵列拓扑中存在问题的方法。 - 动态电容不匹配的影响评估以及具体的校正方案介绍。 - 通过实例设计和后仿真验证提出的修正方法的有效性,包括SFDR、SNDR、DNL及INL性能的改善情况。 - 对未来高精度SAR ADC设计方向给出建议与展望。 这项研究不仅有助于优化现有SAR ADC的设计,也为混合信号集成电路领域的工程师在处理电容不匹配等问题上提供了宝贵的参考。
  • Verilog
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    本项目专注于Verilog语言在数字电路比较器设计中的应用,通过详细讲解比较器的工作原理及其Verilog实现代码,旨在帮助电子工程和计算机科学专业的学生深入理解硬件描述语言与逻辑电路的设计方法。 设计一个带有功能选择的字节(8位)比较器(compare.v)。该模块用于比较两个字节的大小,并根据选择控制位sel[1:0]输出相应的结果: 1. 当 sel=00 时,如果 a[7:0] 大于 b[7:0],则输出高电平;否则输出低电平。 2. 当 sel=01 时,如果 a[7:0] 小于 b[7:0],则输出高电平;否则输出低电平。 3. 当 sel=10 时,如果 a[7:0] 等于 b[7:0],则输出高电平;否则输出低电平。
  • 基于CMOS高性能集成电压研究与
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    本项目聚焦于研发一种基于CMOS技术的高性能集成电压比较器,旨在优化其速度、功耗及精度,推动模拟集成电路的发展。 电压比较器用于对输入信号进行鉴幅与比较的电路设计,其功能在于对比一个模拟信号与其参考信号,并输出二进制结果。该器件在A/D转换器、数据传输设备以及切换功率调节器等装置中有着广泛应用。 对于高速度和高精度的A/D转换器而言,电压比较器的表现直接影响到整个系统的性能指标,包括转换速度与精确性;而在数据传输应用方面,比较器的质量对误码率有重要影响。此外,在切换功率调节领域里,电源管理的效果很大程度上取决于所使用的电压比较器的效能。 因此,在模拟集成电路及数模混合电路中,高性能、高频率和低失调误差的电压比较器具有极其重要的作用。仿真结果表明,该类新型电压比较器适用于高速A/D转换以及快速数据传输等场景。
  • 基于两个简单窗口-电压与迟滞应用
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    本文介绍了一种创新性的窗口比较器设计方案,巧妙结合了电压比较器和迟滞比较器的优点。通过采用这两种基本比较器,提高了电路性能并简化了设计复杂度,适用于各种电子设备中的信号处理。 由两个简单比较器组成的窗口比较器包括: 电路图 传输特性 注意:连接方式
  • 低功耗高精度CMOS动态与实现(2005年)
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    本文于2005年完成,专注于设计并实现了一种低功耗、高精度的CMOS动态比较器,提升了电路性能和效率。 本段落设计了一种全差分动态比较器。该比较器由前置放大器与动态锁存器组成的开关电容电路构成,在四相不交叠的时钟控制下运作,能够对输入信号进行采样并放大。高增益提高了比较器的精度,并通过采用正反馈结构提升了其速度。文中分析了引起失调的原因,并结合版图给出了减小失调的方法。经过分析和模拟验证,该比较器具有2V的动态范围、3.5mV的低失调电压以及8位精度的要求,并实现了0.48mW的功耗水平。
  • 高性能CMOS集成电压設計
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    本研究致力于设计高性能的CMOS集成电压比较器,通过优化电路结构和参数选择,提升比较器的速度、精度及功耗效率,适用于各种电子系统。 电压比较器是一种用于鉴幅与比较输入信号的电路。它能够将一个模拟信号与另一个参考信号进行对比,并输出相应的二进制结果。这种器件在A/D转换器、数据传输设备以及切换功率调节器等场合中被广泛应用。特别是在高速度和高精度的A/D转换器中,电压比较器的性能直接影响到整个电路的转换准确性和速度;而在数据传输系统里,其表现会显著影响误码率的表现。