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功率半导体研究报告-大国重器

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简介:
本报告聚焦于功率半导体产业的发展趋势与技术突破,旨在探讨其在国家重大基础设施建设中的关键作用及未来前景。 支持集成电路国家大基金肩负着推动半导体产业发展的重要使命。功率半导体作为产值高达200亿美元的行业板块,在高铁动力系统、汽车动力系统以及消费及通讯电子系统的自主可控性方面扮演关键角色,其战略地位不容忽视。因此,可以预见国家大基金会全力扶持这一领域。 回顾过去三年中,集中投资细分领域的龙头企业一直是国家大基金的投资策略之一。我们预计在资本的推动下,我国功率半导体行业的领军企业将加速整合海外优质资源,并加快向高端市场迈进的步伐。 目前全球范围内掌握技术优势的功率半导体供应商主要分布在北美、欧洲和日本等地区。而中国大陆及台湾地区的厂商则多集中在二极管、晶闸管以及低压MOSFET这类低端功率器件领域,相比之下,在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和中高压MOSFET等领域的发展相对滞后。

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    本报告聚焦于功率半导体产业的发展趋势与技术突破,旨在探讨其在国家重大基础设施建设中的关键作用及未来前景。 支持集成电路国家大基金肩负着推动半导体产业发展的重要使命。功率半导体作为产值高达200亿美元的行业板块,在高铁动力系统、汽车动力系统以及消费及通讯电子系统的自主可控性方面扮演关键角色,其战略地位不容忽视。因此,可以预见国家大基金会全力扶持这一领域。 回顾过去三年中,集中投资细分领域的龙头企业一直是国家大基金的投资策略之一。我们预计在资本的推动下,我国功率半导体行业的领军企业将加速整合海外优质资源,并加快向高端市场迈进的步伐。 目前全球范围内掌握技术优势的功率半导体供应商主要分布在北美、欧洲和日本等地区。而中国大陆及台湾地区的厂商则多集中在二极管、晶闸管以及低压MOSFET这类低端功率器件领域,相比之下,在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和中高压MOSFET等领域的发展相对滞后。
  • MOSFET
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    本报告深入分析了功率MOSFET市场的发展趋势、技术进步和应用前景,旨在为行业投资者提供战略参考。 在11月21日发布的《功率半导体总览:致更高效、更精密、更清洁的世界》报告中,我们向读者介绍了功率半导体这一现代社会电气化运作的核心,并对其未来的发展趋势进行了预测。在这篇后续的报告里,我们将重点介绍功率MOSFET——目前全球市场占比最大的功率器件细分行业。 根据载流子种类与掺杂方式的不同,MOSFET可以分为四种类型:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。在《总览》报告中我们提到,功率半导体行业是一个需求驱动的行业,因此功率MOSFET行业的市场空间主要来自于对工作频率为10kHz以上及输出功率5kW以下的功率器件的需求。
  • 2023-2028年市场现状及前景.pdf
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    本报告深入分析了2023至2028年间全球功率半导体市场的当前状况与未来趋势,涵盖市场规模、增长驱动因素、竞争格局及主要参与者策略。 功率半导体市场现状与前景调研报告概述了该领域的重要趋势和发展方向,对于企业和从业者制定战略规划具有重要指导意义。本报告涵盖了功率半导体的定义、分类、行业监管情况、政策法规、行业发展特征、汽车电动化对功率半导体的影响、供应链安全与国产化进程以及碳化硅器件的应用等,并分析了行业内主要企业的现状。 功率半导体是一种关键电子元件,用于控制和转换电能,在能源管理、交通运输及工业自动化等多个领域广泛应用。其分类主要包括IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。理解这些元件的特性及其应用性能指标对于选择设计高效可靠的电力系统至关重要。 行业监管情况与政策法规构成了企业运营的基础,报告详细介绍了功率半导体行业的归属、主管部门及相关法律法规,为企业合规经营及遵循相关政策提供了清晰指引。国家产业政策对行业发展影响重大,包括但不限于技术升级、市场准入和税收优惠等措施。 2022-2023年间中国功率半导体行业展现出了积极的发展态势,在汽车电动化趋势的推动下市场需求强劲。电动汽车普及促进了IGBT与MOSFET等元件的需求增长,并且国内企业加快产品开发验证以满足更加严格的车规级标准,逐步打破了国际巨头的市场垄断。 供应链安全成为全球关注焦点,芯片短缺问题促使国产厂商抓住机遇通过IDM(垂直整合制造)和Fabless(无晶圆厂半导体公司)模式加速国产替代进程。车企投资支持及国产芯片性能提升使得“国产替代”策略在功率半导体领域取得显著进展。 碳化硅作为新一代半导体材料因其高效率、高温稳定性等优点,在新能源汽车充电桩以及光伏等领域展现出巨大应用潜力,随着衬底和外延技术的成熟产业链布局逐步完善这将进一步推动功率半导体技术创新与市场扩张。 报告还分析了行业内如斯达半导、闻泰科技、时代电气、士兰微及新洁能等代表性企业在技术创新市场份额以及业务拓展方面各自特色展示了中国功率半导体产业活力与竞争力。 这份报告为投资者从业者和政策制定者提供了全面的功率半导体市场洞察有助于理解当前市场的挑战机遇并预测未来可能的发展路径。通过深入研究分析企业可以据此调整战略把握行业趋势实现可持续发展。
  • 芯片产化专题(20页).zip
    优质
    本报告深入探讨了功率半导体芯片的技术发展趋势及市场需求,并分析了国产化进程中的机遇与挑战。报告共20页,为读者提供了详尽的数据和见解。 芯片国产化专题报告:功率半导体(20页)
  • 产业系列产化进程中的稳健前行.pdf
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    本报告深入分析了中国功率半导体行业的现状与发展趋势,探讨了国产化进程中企业的挑战与机遇,展示了行业稳健前行的步伐。 半导体产业系列研究:长风破浪,功率半导体国产化之路稳中求进.pdf 该文档深入探讨了中国半导体产业发展现状及未来趋势,特别聚焦于功率半导体领域的国产化进程。报告分析了当前面临的机遇与挑战,并提出了推动行业稳步前进的策略建议。
  • 行业(70页).zip
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    本报告深入分析了泛半导体行业的现状与趋势,涵盖市场概览、技术动态及未来展望等内容,共七十余页。 泛半导体行业专题报告(70页),资源名称为:泛半导体行业专题报告(70页)泛半导体行业专题报告.zip。
  • IC设计行业.pptx
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    本报告深入分析了当前半导体IC设计行业的市场动态、技术趋势及竞争格局,并预测未来发展方向。适合业内专业人士参考。 半导体IC设计行业发展报告涵盖了该行业的发展趋势、技术进步以及市场前景等内容。报告详细分析了当前行业的现状,并对未来几年内可能出现的变化进行了预测。此外,还探讨了影响半导体IC设计发展的关键因素及其对整个电子产业的影响。 此文档旨在为业内人士提供有价值的见解和信息,帮助他们更好地理解行业发展动态并作出相应战略规划。(注:原文中提到的内容已根据要求进行重写处理,未包含任何联系方式或链接地址)
  • 清洗设备市场
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    本报告深入分析全球及中国半导体清洗设备市场的现状、趋势和前景,涵盖市场规模、增长驱动因素、竞争格局及主要企业动态。 在半导体工艺过程中,杂质的存在会导致崩溃电压降低、氧化速率变化以及电学性质改变等问题,从而影响成品良率。需要处理的杂质种类繁多,主要包括微粒、金属离子、有机物、微粗糙和氧化物五类。 颗粒包含聚合物、光刻胶及刻蚀残留等物质,这些杂质吸附在晶圆表面,会影响器件制造过程中图形形成以及电学参数;有机物杂质包括细菌、机械油、光刻胶和清洗溶剂等来源广泛,在硅片表面上容易形成薄膜阻碍后续的清洁与加工步骤。因此通常在清洗阶段会首先去除有机物;常见的金属杂质有铁、铜、铝及铬等,这些金属来源于各种工艺过程以及设备如制造工具或化学试剂中;微粗糙一般由原材料和化学品引起,并会影响电学性质;而氧化物则是在半导体圆片暴露于空气与水环境中形成的。
  • 设备:ASML(25页).zip
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    本报告深入分析了全球领先的光刻机制造商ASML在半导体设备行业的市场地位、技术优势及未来发展策略。通过详尽的数据和案例研究,为投资者和技术爱好者提供了全面的行业洞察。文件共25页,适合专业人士阅读参考。 《半导体设备报告:ASML(25页)》是一份深度剖析全球半导体设备行业的专业报告,其中ASML作为行业领头羊,其技术优势、市场地位及未来发展趋势是报告的核心内容。ASML(阿斯麦)是全球领先的光刻设备制造商,在推动半导体制造工艺的进步方面发挥着关键作用。 该报告重点介绍了ASML的创新技术。在半导体生产中,光刻机至关重要,因为它直接影响到芯片的质量和性能。尤其是ASML开发的极紫外光(EUV)光刻技术被认为是行业里程碑,它显著提升了芯片制程能力,并使7纳米、5纳米甚至更小工艺节点成为可能。报告详细解析了EUV光刻的工作原理、优势及其面临的挑战,包括光源功率、掩模质量等问题。 ASML在全球市场中的领导地位也是报告的重要部分。许多高端芯片制造商如台积电、三星和英特尔都是其重要客户。该报告分析了ASML的市场份额、销售业绩以及与尼康和佳能等竞争对手的竞争态势。此外,报告还探讨了ASML在供应链管理、研发投入及全球布局方面的策略。 另外,报告预测了EUV技术对未来半导体产业的影响。随着摩尔定律接近物理极限,ASML的技术被视为推动行业进步的关键因素之一。报告可能会讨论下一代高数值孔径(High-NA EUV)光刻机的发展潜力及其对量子计算和人工智能等领域的潜在影响。 此外,《半导体设备报告:ASML(25页)》还可能涵盖ASML的战略合作与投资动态,包括与其他芯片制造商的合作研发项目以及在新兴市场的布局情况。同时,该报告也会分析公司面临的风险因素,如技术迭代风险、供应链波动及国际贸易环境变化等。 总的来说,《半导体设备报告:ASML(25页)》为全面理解半导体行业提供了重要视角,并通过深入研究ASML这一领军企业揭示了当前制造趋势以及科技进步如何影响未来的数字化世界。
  • 关于件中场限环的.pdf
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    本文档深入探讨了功率半导体器件中场限环现象的机理和特性,并分析其对器件性能的影响,为优化设计提供理论依据。 本段落主要探讨了功率半导体器件中的场限环(Field Limiting Ring, FLR)结构理论及其相关研究。FLR是一种用于增强功率半导体器件阻断能力的常见设计方式,研究人员通过深入分析其理论基础,总结出影响击穿电压的关键因素,并详细讨论在给定击穿电压条件下场限环电场分布及峰值电场表达式。 此外,本研究还提出了确定FLR数量的方法,包括圆柱坐标对称解和MEDICI半导体器件模拟工具的应用。研究表明表面电荷对于带FLR的功率半导体器件击穿电压以及优化环间距具有显著影响。因此,研究人员进行了大量分析与模拟工作,探讨了FLR结构在实际应用中的效果,并为设计更优的FLR提出了一系列建议。 鉴于功率半导体器件在电力电子领域的广泛应用及其重要性,对FLR结构进行理论研究和实践探索不仅具备重要的学术价值也具有广泛的实用意义。随着技术进步,高压功率半导体器件的应用范围日益扩大至汽车、消费电子产品、开关电源及工业控制等多个领域。然而,在现代半导体制造工艺中采用平面型终端设计导致结深较浅且边缘弯曲的问题使得耐压性能下降,并影响到安全工作区的大小和设备稳定性。 因此,增强功率半导体器件的阻断能力成为当前研究的重点之一。本段落通过对FLR结构理论的研究及应用探讨了这一问题的有效解决方案。希望本项研究成果能够推动该领域的发展并提升其可靠性和效能。 总体而言,本研究的主要贡献包括:(1)对FLR结构理论进行了详尽分析,并总结出影响击穿电压的关键因素;(2)提出了确定场限环数量的多种方法;(3)深入探讨了表面电荷对于带FLR器件性能的影响以及如何优化环间距;(4)讨论并提出了一些设计和应用FLR结构的具体建议。研究结果与现有文献中的数值模拟数据一致,为后续的设计工作提供了宝贵的指导信息。