
基于金属-半导体-金属结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及其性能特征
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简介:
本研究聚焦于开发AlGaN/GaN异质结基的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器,深入探讨其构造原理与独特性能特点,旨在提升器件的灵敏度和响应速度。
我们制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器,并使用Ni/Au作为电极材料。实验研究了该探测器的光电响应特性和I-V特性,发现其具有两个光谱响应范围,在288纳米和366纳米处分别达到了峰值响应率0.717 A/W 和 0.641 A/W,并且在这些波长下的量子效率分别为308% 和 217%。
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