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DRAM、NAND Flash和NOR Flash三种存储器解析

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简介:
本文深入解析了DRAM、NAND Flash以及NOR Flash这三种主要存储器的技术特点与应用领域,帮助读者理解它们在现代电子设备中的作用。 内存的正式名称是“存储器”,它是半导体行业中的三大支柱之一。2016年,全球半导体市场规模达到3400亿美元,其中存储器占据了768亿美元的份额。对于身边的手机、平板电脑、个人计算机(PC)和笔记本等所有电子产品而言,存储器就像钢铁之于现代工业一样至关重要,是电子行业的“原材料”。 在存储器芯片领域中,主要分为两大类:易失性和非易失性。易失性指的是断电后存储器中的信息会丢失的类型,例如动态随机存取内存(DRAM)。这类内存主要用于个人计算机和手机的内存,两者各占三成左右的比例。而非易失性的存储器则是在断电之后仍能保持数据不变,主要包括闪存芯片如NAND Flash 和 NOR Flash。其中,NOR Flash 主要用于代码存储介质中,而 NAND 则广泛应用于数据存储领域。

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  • DRAMNAND FlashNOR Flash
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    本文深入解析了DRAM、NAND Flash以及NOR Flash这三种主要存储器的技术特点与应用领域,帮助读者理解它们在现代电子设备中的作用。 内存的正式名称是“存储器”,它是半导体行业中的三大支柱之一。2016年,全球半导体市场规模达到3400亿美元,其中存储器占据了768亿美元的份额。对于身边的手机、平板电脑、个人计算机(PC)和笔记本等所有电子产品而言,存储器就像钢铁之于现代工业一样至关重要,是电子行业的“原材料”。 在存储器芯片领域中,主要分为两大类:易失性和非易失性。易失性指的是断电后存储器中的信息会丢失的类型,例如动态随机存取内存(DRAM)。这类内存主要用于个人计算机和手机的内存,两者各占三成左右的比例。而非易失性的存储器则是在断电之后仍能保持数据不变,主要包括闪存芯片如NAND Flash 和 NOR Flash。其中,NOR Flash 主要用于代码存储介质中,而 NAND 则广泛应用于数据存储领域。
  • NAND Flash系列之初探:Nor FlashNAND Flash对比分
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    本文深入浅出地解析了Nor Flash和NAND Flash两种闪存技术的区别,旨在帮助读者理解其特性、应用场景及优缺点。 作者:刘洪涛,华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 FLASH存储器又称闪存,主要有两种类型:NorFlash和NandFlash。下面我们将从多个角度来对比介绍这两种类型的闪存,在实际开发中设计者可以根据产品需求合理选择适合的闪存种类。 1. 接口对比 NorFlash采用了通用SRAM接口,可以方便地连接到CPU的地址、数据总线上,对CPU接口的要求较低。由于其芯片内执行(XIP,eXecute In Place)的特点,应用程序可以直接在flash存储器中运行,无需再将代码读入系统RAM中。例如,在uboot中,ro段可以在NorFlash上直接运行,只需把rw和zi段复制到RAM并重写即可。
  • 类型:ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAMFLASH的区别分
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    本文详细探讨了ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM及FLASH等不同类型存储器的特点与区别,旨在帮助读者全面了解它们的工作原理和技术应用。 常见的存储器概念包括ROM(只读存储器)、SDRAM(同步动态随机存取内存)、RAM(随机存取内存的总称)、DRAM(动态随机存取内存)以及SRAM(静态随机存取内存)。此外,还有Flash存储器。这些不同类型的存储设备在数据访问速度、容量和用途方面各有特点。例如,ROM通常用于存放固定不变的数据或程序代码;而RAM则为计算机提供临时工作空间。DRAM和SRAM都属于RAM类型但它们之间存在性能差异:SRAM速度快于DRAM但是成本也更高。SDRAM与传统DRAM相比具有更好的同步功能可以更好地配合CPU的工作频率提高数据传输效率。FLASH存储器适用于需要频繁进行读写操作且要求长期保存信息的应用场景中如U盘和固态硬盘等设备上广泛使用。
  • NAND FLASH手册翻译.docx
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    《NAND Flash存储器手册翻译》提供了对原版英文NAND闪存技术文档的详尽中文翻译与解析,便于国内技术人员快速掌握相关知识和技能。 mt29f32g08abaaa, mt29f64g08afaaa, mt29f128g08a my [j/k/m]aaa
  • NOR-Flash简介与编程指南
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    本文介绍了NOR Flash存储器的基本概念、工作原理及编程方法,并提供了详细的编程指南和应用示例。 NOR Flash具备非易失性特点,并且易于擦除与写入操作。Flash技术结合了OTP存储器的成本效益和EEPROM的可再编程性能,因此在应用中越来越广泛。本实验主要介绍NOR Flash器件Am29LV160D在Blackfin处理器系统中的使用方法。
  • 不同类型的(PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM)比较分
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    本文对五种主要类型的记忆体——PROM、EEPROM、Flash、SRAM及DRAM进行深入对比分析,涵盖了它们的技术特性、应用场景和优劣之处。 本段落主要讨论了PROM(可编程只读存储器)、EEPROM(电擦除可编程只读存储器)、FLASH、SRAM(静态随机存取存储器)以及DRAM(动态随机存取存储器)之间的区别及其组成。 这五种类型中,PROM、EEPROM和FLASH都基于浮栅管单元结构。然而,它们之间存在显著差异。EPROM的浮栅位于绝缘二氧化硅层内,需要紫外线能量才能释放其中的电子;而EEPROM则由FLOTOX及一个额外的晶体管组成,由于其特性和双管结构特性,使得它可以进行位级别的读写操作。 FLASH存储器结合了EPROM和EEPROM技术。许多FLASH设备使用雪崩热电子注入方式编程,并且擦除过程与EEPROM相似,采用Fowler-Nordheim隧穿机制完成。 对于用户来说,EEPROM和FLASH的主要区别在于:EEPROM支持位级别的读写操作,而FLASH只能以块为单位进行擦写。因此,在容量较大时,使用Flash存储器更具成本效益。 SRAM与DRAM是两种不同的RAM类型。其中,SRAM是一种静态随机存取存储器,其速度非常快,并且适用于对性能要求极高的场景(例如CPU的一级缓存和二级缓存);而DRAM则保留数据的时间较短并且比SRAM慢,但价格更为便宜。 DDR RAM是改进型的RAM技术,在一个时钟周期内可以读写两次数据,从而将传输速度翻倍。目前在个人电脑中广泛使用,并且由于其成本优势击败了Intel公司的Rambus DRAM标准。此外,许多高端显卡也配备了高速DDR RAM来增加带宽。 PROM是一种一次性可编程的只读存储器,灌入软件后无法修改;而EPROM则可以通过紫外线照射擦除原有程序并重新写入新数据。这两种类型都是早期的产品,在现代技术中已经不再使用了。 总的来说,每种类型的存储设备都具有其独特的优势和应用领域,了解它们之间的区别有助于更好地选择合适的解决方案。
  • NAND_FLASH_MODEL_VERILOG_nand_model.zip_NAND Flash Model_Verilog NAND Flash
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    这是一个包含Verilog代码的压缩文件,用于模拟NAND闪存的行为。该模型可以用来验证和测试各种存储器系统设计。 Nand Flash的Verilog代码可用于对Nand Flash进行操作的仿真。
  • MX25 NAND Flash驱动.pdf
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    本PDF文档深入剖析了MX25系列NAND Flash的驱动程序,涵盖其工作原理、编程接口及优化技巧等内容,适用于开发者和工程师参考学习。 ### MX25 NAND Flash驱动分析 #### 概述 本段落档深入探讨了基于MX25架构的NAND Flash驱动的设计与实现。MX25 NAND Flash在嵌入式系统中广泛使用,是重要的存储介质之一。为了更好地理解其驱动的工作原理,我们将详细解析驱动的关键组成部分及其内部工作流程。 #### 关键函数分析 1. **`void (*cmdfunc)(struct mtd_info *mtd, unsigned command, int column, int page_addr);`** - **概述**:该指针定义了一个处理NAND Flash命令的函数类型。在MX25 NAND Flash驱动中,通常将此字段赋值为 `mxc_nand_command` 函数。 - **功能**:用于向NAND Flash发送指令执行读写或擦除等操作。 - **实现路径**: 1. 在`board.c`中的`start_armboot`函数调用`nand_init` 2. `nand_init` 调用 `nand_init_chip` 3. `nand_init_chip` 进一步调用 `board_nand_init` 4. 在此过程中,将该字段设置为 `mxc_nand_command` 2. **`int (*waitfunc)(struct mtd_info *mtd, struct nand_chip *this);`** - **概述**:定义了一个等待NAND Flash准备就绪的函数指针类型。在MX25 NAND Flash驱动中,该字段通常被赋值为 `nand_wait` - **功能**:发送读取状态命令并检查芯片的状态以确认是否可以继续下一步操作。 - **实现路径**: 1. 同样,在`board.c`中的`start_armboot`函数调用`nand_init` 2. `nand_init` 调用 `nand_init_chip` 3. `nand_init_chip` 进一步调用 `nand_scan` 4. 在此过程中,会执行多个步骤如调用 `board_nand_init`, 并最终在其中设置该字段为 `chip->waitfunc = nand_wait` 3. **`static inline int nand_read(nand_info_t *info, loff_t of, size_t *len, u_char *buf)`** - **概述**:实现从NAND Flash读取数据的基本操作。 - **功能**:将指定长度的数据从NAND Flash读入缓冲区 `buf` - **实现路径**: 1. 调用`info->read`函数 2. 在`nand_scan_tail`中,该字段被赋值为 `nand_read` 3. 完成数据的读取操作 4. **`static inline int nand_write(nand_info_t *info, loff_t of, size_t *len, u_char *buf)`** - **概述**:实现向NAND Flash写入数据的基本操作。 - **功能**:将缓冲区 `buf` 中的数据写入到 NAND Flash - **实现路径**: 1. 调用`info->write` 2. 在执行过程中,该字段被赋值为 `nand_write` 3. 进一步调用`chip->write_page`, 直至完成所有数据的写入 5. **`int nand_erase_opts(nand_info_t *meminfo, const nand_erase_options_t *opts)`** - **概述**:实现NAND Flash擦除操作。 - **功能**:根据指定选项对 NAND Flash 进行擦除 - **实现路径**: 1. 在 `nand_util.c` 中的函数中执行该操作 2. 调用 `meminfo->erase` 3. 在此过程中,将该字段设置为 `nand_erase` 4. 最终通过调用 `nand_erase_nand` 完成擦除 #### 总结 通过对上述关键函数的详细解析,我们可以清晰地看到MX25 NAND Flash驱动的核心逻辑及其实现方式。理解这些函数的工作原理及其调用关系有助于掌握NAND Flash驱动的设计思想,并为进一步优化和定制提供坚实基础。此外,对于初学者来说熟悉基本操作流程也有助于加深对NAND Flash存储机制的理解。
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    《Nor Flash资料》是一份全面介绍NOR型闪存技术及其应用的手册,内容涵盖了NOR Flash的工作原理、特点以及在各种嵌入式系统中的使用方法。 NOR Flash是由英特尔公司在1988年推出的一种商业性闪存芯片。它具有较长的擦除与写入时间,并提供完整的寻址与数据总线支持,允许随机访问存储器中的任何区域。此外,它可以承受一万次到一百万次的擦除循环,是早期可移动式闪存介质的基础技术之一。
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    简介:NAND Flash控制器是专门设计用于管理和优化NAND闪存存储设备性能的关键芯片。它负责执行错误校正、磨损均衡和读/写操作等任务,以确保数据的安全性和延长存储设备寿命。 NAND Flash控制器包含三个主要模块:NAND Flash读取模块、NAND Flash写入模块和NAND Flash擦除模块。