使用L-Edit绘制电容版图的详细步骤-L-Edit版图绘制指南1
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简介：
本指南详细介绍使用L-Edit软件绘制电容版图的全过程，包括准备工作、设计规则设置及具体操作步骤，旨在帮助初学者快速掌握L-Edit版图绘制技巧。
使用L-Edit绘制电容版图的具体步骤如下：
1. 创建新的电容单元：执行Cell/New子命令，在弹出的Create New Cell对话框中输入单元名称（例如“Cap”），然后点击OK按钮。
2. 绘制电容单元：在设计过程中需要用到Poly、Poly2、Metal1、Poly Contact、Poly2 Contact和Poly-Poly2 Capacitor ID等图层。电容的有效面积由正对的Poly和Poly2之间的重叠部分决定，即为Poly2的尺寸。
具体步骤如下：
- 首先绘制一层50×50栅格大小的Poly2。
- 接着在该区域内部画一个与之完全匹配的Poly-Poly2 Capacitor ID图层。
- 然后绘制另一层64×56栅格尺寸的Poly。
接下来需要放置接触点：
- 在Poly2上放置若干个Poly2 Contact，确保它们与Poly-Poly2 Capacitor ID之间至少间隔3个栅格。
- 使用Metal1将这些Contact包围起来，并保持相邻金属之间的距离为3个栅格。
- 重复上述步骤，在另一层的Poly上同样放置Ploy Contact。
为了减少多晶硅和金属间的接触电阻，应尽可能多地添加接触点。最后使用Metal1连接所有Poly接触孔与Poly2接触孔，以此作为电容对外界导通的两个端口。
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