CS205项目中的粒子散射MATLAB模拟代码。

简介：
MATLAB模拟粒子散射代码CS205最终项目：规划带电缺陷的轨迹可参考该网站。该研究探讨了钻石中氮空位（NV）中心作为量子计算机存储器系统的潜在存储单元的价值，从而激发了对相关材料（例如SiC）缺陷中心的关注。SiC因其独特的特性而备受瞩目，它是一种多相材料，拥有约250种已知的晶型，这使其具备了钻石所不具备的灵活性。三种最常见的晶型，包括4H-SiC、6H-SiC和3C-SiC，在20K时的自旋弛豫时间范围为8至24毫秒（4H-SiC最高），并且在室温下保持着显著的相干性[1]。除了优异的长自旋相干性之外，关键的一点是能够通过光学方法实现对自旋状态的精确寻址（即写入和读取）。然而，在环境温度下，许多缺陷的发光或发射被转移到涉及散射过程的跃迁中，这些跃迁并非完全源于所需的自旋跃迁。事实上，仅约4%的发光来自于预期的自旋跃迁[2]。一种可能的解决方案是将其缺陷放置在谐振腔附近，并利用所需的跃迁[3]进行共振。尽管如此，精确定位这些缺陷仍然是一项具有挑战性的任务。利用聚焦离子束注入Craft.io技术可以在大致所需的位置上引入缺陷；然而，这种Craft.io技术也可能造成严重的样品损坏。为了减轻这种损坏的影响，通常需要对样品进行退火处理，以促进缺陷扩散并使其通过转化为其他物质而消失。